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疲劳过程中垂直晶界Cu双晶形变带中位错组态与裂纹形核 被引量：5
1
作者 李勇 李守新 李广义 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期462-466,共5页
采用电子通道衬度技术对垂直晶界Cu双晶在疲劳过程中位错组态的演化与裂纹的形核进行了研究,结果表明,形变带中墙结构的间距从形成之初到疲劳裂纹出现始终保持恒定;穿晶裂纹与沿晶裂纹尖端的位错组态均为胞结构;裂纹优先从形变带产生。
关键词 cu双晶 位错组态 裂纹 形变带
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