期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Cu单晶体驻留滑移带的形成与消失 被引量：7
1
作者 朱荣 李守新 +2 位作者 李勇 李明扬 晁月盛 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期467-470,共4页
在循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体首先出现驻留滑移线(PSL),然后随着循环周次的增加转变为驻留滑移带(PSB),在不同温度、不同时间条件下对疲劳Cu单晶进行真空退火处理,观察PSB结构在热激活条件下的变化情况,结果表明,退火处理过... 在循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体首先出现驻留滑移线(PSL),然后随着循环周次的增加转变为驻留滑移带(PSB),在不同温度、不同时间条件下对疲劳Cu单晶进行真空退火处理,观察PSB结构在热激活条件下的变化情况,结果表明,退火处理过程中由于空位浓度差异所产生的渗透力促使位错运动,并使PSB的某些部位逐步细化,以至消失,实现了PSB的分段相消,在退火过程中由于应变能的逐步释放,未观察到再结晶现象。 展开更多
关键词 cu单晶体 驻留滑移线 驻留滑移带 渗透力 分段相消
下载PDF
一个共面双滑移取向Cu单晶体疲劳位错结构的热稳定性研究 被引量：2
2
作者 郭巍巍 齐成军 李小武 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期107-114,共8页
在不同塑性应变幅下对[233]共面双滑移取向Cu单晶体进行疲劳实验直至循环饱和,然后在不同温度进行退火处理.利用SEM-ECC和TEM观察疲劳位错结构及其退火后微观结构的变化.结果表明,退火温度为300℃时,位错结构均发生了明显的回复,高应变... 在不同塑性应变幅下对[233]共面双滑移取向Cu单晶体进行疲劳实验直至循环饱和,然后在不同温度进行退火处理.利用SEM-ECC和TEM观察疲劳位错结构及其退火后微观结构的变化.结果表明,退火温度为300℃时,位错结构均发生了明显的回复,高应变幅下疲劳样品中甚至出现了部分再结晶.在500和800℃退火,所有晶体都发生了严重的再结晶,并且有大量的退火孪晶出现.随着塑性应变幅和累积塑性应变量的增加,应变集中程度明显增加,为再结晶的发生和孪晶的萌生提供了更大的局部应变能,所以再结晶发生得更为显著,退火孪晶变得更为粗大且数量增加.退火挛晶的形成与层错的出现有密切关系.DSC测试分析表明,再结晶的发生不是突发式的,而是一个缓慢的过程. 展开更多
关键词 cu单晶体 疲劳位错结构 热稳定性 再结晶 退火孪晶
原文传递
共轭和临界双滑移取向Cu单晶体疲劳位错结构的热稳定性研究
3
作者 郭巍巍 齐成军 李小武 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期761-768,共8页
在不同塑性应变幅下对[2ˉ23]共轭双滑移和[017]临界双滑移取向Cu单晶体进行疲劳实验直至循环饱和,然后在不同温度下进行退火处理,考察了其位错结构的热稳定性.结果表明,300℃退火处理后,位错结构发生了明显的回复;500和800℃退火处理后... 在不同塑性应变幅下对[2ˉ23]共轭双滑移和[017]临界双滑移取向Cu单晶体进行疲劳实验直至循环饱和,然后在不同温度下进行退火处理,考察了其位错结构的热稳定性.结果表明,300℃退火处理后,位错结构发生了明显的回复;500和800℃退火处理后,均发生了明显的再结晶现象,并伴随退火孪晶的形成.不同取向Cu单晶体循环变形后形成不同的位错结构,其热稳定性由高到低依次为:脉络结构、驻留滑移带(PSB)结构、迷宫或胞结构.不同取向疲劳变形Cu单晶体中形成的退火孪晶均沿着疲劳后开动的滑移面方向发展,疲劳后的滑移变形程度越高,退火后形成的孪晶数量则越多.但过高的退火温度(如800℃)会加快再结晶晶界的迁移速率,进而抑制孪晶的形成,致使孪晶数量有所减少. 展开更多
关键词 cu单晶体 疲劳位错结构 热稳定性 晶体取向 再结晶 退火孪晶
原文传递
[013]取向Cu单晶体在NaCl水溶液中腐蚀疲劳位错结构的观察
4
作者 杨继红 贾维平 +1 位作者 李守新 柯伟 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期99-102,共4页
利用扫描电镜电子通道衬度技术(SEM-ECC)和透射电子显微镜(TEM)对[013]取向Cu单晶体在空气中和NaCl水溶液中疲劳到饱和的位错结构进行观察。结果表明:在0.5mol/L Nacl水溶液中,腐蚀疲劳饱和位错结构主要是迷宫和脉络位错结构,这与空气... 利用扫描电镜电子通道衬度技术(SEM-ECC)和透射电子显微镜(TEM)对[013]取向Cu单晶体在空气中和NaCl水溶液中疲劳到饱和的位错结构进行观察。结果表明:在0.5mol/L Nacl水溶液中,腐蚀疲劳饱和位错结构主要是迷宫和脉络位错结构,这与空气中的驻留滑移带(PSBs)和脉络位错结构不同,腐蚀疲劳饱和位错结构的观察表明,介质对疲劳位错结构的影响相当于在其它条件都不变的情况下,增大了疲劳的塑性切应变幅。 展开更多
关键词 cu单晶体 腐蚀疲劳 位错微结构
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部