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Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究
1
作者
卢茜
吴子景
+2 位作者
吴晓京
Weidian Shen
蒋宾
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2008年第4期282-286,共5页
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多...
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象。TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节。
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关键词
cu
/
ta
/
sio
2/
si
多层
膜结构
纳米压入技术
压痕下微观
结构
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职称材料
题名
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究
1
作者
卢茜
吴子景
吴晓京
Weidian Shen
蒋宾
机构
复旦大学材料科学系
复旦大学微纳米电子平台
东密歇根州大学天文物理系
上海集成电路R&D中心
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2008年第4期282-286,共5页
基金
上海市科委资助项目(No.0552nm049)
上海市重点学科建设项目资助(No.:B113)
文摘
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象。TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节。
关键词
cu
/
ta
/
sio
2/
si
多层
膜结构
纳米压入技术
压痕下微观
结构
Keywords
cu
/
ta
/
sio
2/
si
multilayer
nanoinden
ta
tion
microstructure of the indent
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究
卢茜
吴子景
吴晓京
Weidian Shen
蒋宾
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2008
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