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题名高去除速率低碟形凹陷的铜化学机械抛光液
被引量：1
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作者
荆建芬
张建
杨俊雅
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机构
安集微电子(上海)有限公司
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出处
《集成电路应用》
2018年第7期49-52,共4页
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基金
国家科技重大专项课题(20112X02704-001
2016ZX02301003-004-002)
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文摘
随着集成电路技术节点的缩小,需要开发一种具有高去除速率低碟形凹陷的铜化学机械抛光液,而且对抛光后的残留,腐蚀和微划伤等表面缺陷的要求也更严格。这是一种具有优异性能的铜化学机械抛光液。研究了抛光液配方对抛光性能包括去除速率和轮廓,静态腐蚀速率,碟形凹陷,铜残留物的清除能力和铜腐蚀状况的影响。电化学方法也被用来研究和支持这些抛光结果和性能。通过优化配方和抛光工艺,该铜化学机械抛光液能在>0.9μm/min的去除速率下获得约300?的碟形凹陷。
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关键词
集成电路制造
化学机械抛光
抛光液
铜化学机械抛液
碟形凹陷
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Keywords
IC manufacturing
chemical mechanical polishing （cmp）
slurry
cu cmp slurry
dishing
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名铜化学机械抛光工艺中碟形缺陷的优化
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作者
俞栋梁
程秀兰
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机构
上海交通大学微电子学院
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出处
《电子与封装》
2008年第4期29-31,共3页
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文摘
铜化学机械抛光是近些年发展最快的一种工艺,铜碟形是铜化学机械抛光工艺中的主要问题之一。严重的碟形缺陷会造成产品良率的缺失,使得利润下降。碟形是由于在抛光过程中铜线与介质层不同的抛光速率所导致。文章详细地介绍了铜化学机械抛光的基本步骤和不同作用,然后指出了在抛光过程中碟形产生的基本原理,最后对抛光过程中最重要的抛光液及其成份对碟形的影响进行了分析。通过试验各种成分的剂量组成不同配方的抛光液,最终给出了减少碟形的具体改进方案。
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关键词
铜化学机械抛光
碟形
抛光速率
抛光液
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Keywords
cu cmp
dishing
polish rate
slurry
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分类号
TN305.96
[电子电信—物理电子学]
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题名Cu-CMP抛光液中有机碱的化学作用实验分析
被引量：1
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作者
王新
康志龙
刘玉岭
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机构
河北工业大学科研处
河北工业大学电气学院
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出处
《河北工业大学学报》
CAS
2002年第5期31-34,共4页
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基金
河北省自然科学基金资助项目(502029)
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文摘
分析了带有羟基和双胺基的有机碱在Cu-CMP过程中的化学作用.为得到抛光液的最佳配比,在给定的实验条件下对铜进行抛光实验,得到了铜的抛光速率随有机碱浓度的化学作用曲线,并得到了有机碱在抛光液中的最佳浓度.实验结果表明:随着抛光液中有机碱浓度的增加,抛光过程中的化学作用（络合反应）增强,铜的抛光速率随之增大,当有机碱增加到一定浓度时,抛光速率达到最高值,并相应得到了最佳的抛光表面.
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关键词
cu-cmp
抛光液
有机碱
化学作用
实验分析
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Keywords
slurry
organic alkali
chemical reaction
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分类号
TG580.692
[金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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