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Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响
被引量：
3
1
作者
姜胜林
张海波
+1 位作者
刘梅冬
黄焱球
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期72-74,77,共4页
为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,...
为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 的溶胶中制成 .研究结果表明 :利用新型Sol Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中 ,ZnCr2 O4相在较低的Cr2 O3 添加量时出现 ,当Cr2 O3 的摩尔分数为 0 .75 %时 ,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为 7,压敏电压为 6V ,漏电流密度为 0 .7μA/mm2 .
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关键词
Zn
o
陶瓷薄膜
新型S
o
l-Gel方法
cr
2
o
3
掺杂
低压压敏特性
下载PDF
职称材料
Cr_(2)O_(3)对ZnO-Bi_(2)O_(3)基高压压敏陶瓷性能的影响
2
作者
桂阳海
涂远生
+3 位作者
田宽
郭会师
黄海
张心华
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期54-60,共7页
采用固相烧结法制备ZnO-Bi_(2)O_(3)-Co_(2)O_(3)-NiO-Mn_(3)O_(4)-SiO_(2)-Cr_(2)O_(3)压敏陶瓷,研究不同掺杂量的Cr_(2)O_(3)对ZnO压敏陶瓷的微观结构和电气性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及电化学...
采用固相烧结法制备ZnO-Bi_(2)O_(3)-Co_(2)O_(3)-NiO-Mn_(3)O_(4)-SiO_(2)-Cr_(2)O_(3)压敏陶瓷,研究不同掺杂量的Cr_(2)O_(3)对ZnO压敏陶瓷的微观结构和电气性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及电化学工作站分别对样品的物相、微观形貌及电性能进行表征。结果表明:Cr_(2)O_(3)的加入不仅具有抑制ZnO晶粒异常生长和提升晶粒均匀分布的作用,而且能显著降低ZnO晶粒电阻,增加晶界电阻。在Cr_(2)O_(3)添加量为0%~0.21%(摩尔分数,下同)范围内,随着添加量的增大,压敏陶瓷的非线性系数表现为先增加后减小。当Cr_(2)O_(3)掺杂量为0.14%时,ZnO压敏陶瓷具有优异的电气性能:电位梯度E_(1 mA)=216 V·mm^(-1)、泄漏电流J_L=0.36μA·cm^(-2)、非线性系数α=25、残压比K=1.815、老化系数K_(ct)=0.647。此外,该压敏陶瓷在4/10μs波形下100 kA脉冲电流冲击2次后U_(1 mA)仍保持为初始的96.75%,表现出良好的冲击稳定性,在配电系统避雷器中具有巨大的应用潜力。
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关键词
ZN
o
压敏陶瓷
cr
_(
2
)
o
_(3)
掺杂
微观结构
电气性能
阻抗性能
下载PDF
职称材料
题名
Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响
被引量：
3
1
作者
姜胜林
张海波
刘梅冬
黄焱球
机构
华中科技大学电子科学与技术系
中国地质大学材料科学与化学工程学院
出处
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期72-74,77,共4页
文摘
为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 的溶胶中制成 .研究结果表明 :利用新型Sol Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中 ,ZnCr2 O4相在较低的Cr2 O3 添加量时出现 ,当Cr2 O3 的摩尔分数为 0 .75 %时 ,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为 7,压敏电压为 6V ,漏电流密度为 0 .7μA/mm2 .
关键词
Zn
o
陶瓷薄膜
新型S
o
l-Gel方法
cr
2
o
3
掺杂
低压压敏特性
Keywords
Zn
o
-based ceramic films
n
o
vel s
o
l-gel pr
o
cess
d
o
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cr
_
2
o
_
3
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o
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分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
Cr_(2)O_(3)对ZnO-Bi_(2)O_(3)基高压压敏陶瓷性能的影响
2
作者
桂阳海
涂远生
田宽
郭会师
黄海
张心华
机构
郑州轻工业大学材料与化学工程学院
南阳金牛电气有限公司
河南恒安电力股份有限公司
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期54-60,共7页
基金
国家自然科学基金项目(U1904213,U20041102)
河南省2023年科技发展计划(232102230128)。
文摘
采用固相烧结法制备ZnO-Bi_(2)O_(3)-Co_(2)O_(3)-NiO-Mn_(3)O_(4)-SiO_(2)-Cr_(2)O_(3)压敏陶瓷,研究不同掺杂量的Cr_(2)O_(3)对ZnO压敏陶瓷的微观结构和电气性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及电化学工作站分别对样品的物相、微观形貌及电性能进行表征。结果表明:Cr_(2)O_(3)的加入不仅具有抑制ZnO晶粒异常生长和提升晶粒均匀分布的作用,而且能显著降低ZnO晶粒电阻,增加晶界电阻。在Cr_(2)O_(3)添加量为0%~0.21%(摩尔分数,下同)范围内,随着添加量的增大,压敏陶瓷的非线性系数表现为先增加后减小。当Cr_(2)O_(3)掺杂量为0.14%时,ZnO压敏陶瓷具有优异的电气性能:电位梯度E_(1 mA)=216 V·mm^(-1)、泄漏电流J_L=0.36μA·cm^(-2)、非线性系数α=25、残压比K=1.815、老化系数K_(ct)=0.647。此外,该压敏陶瓷在4/10μs波形下100 kA脉冲电流冲击2次后U_(1 mA)仍保持为初始的96.75%,表现出良好的冲击稳定性,在配电系统避雷器中具有巨大的应用潜力。
关键词
ZN
o
压敏陶瓷
cr
_(
2
)
o
_(3)
掺杂
微观结构
电气性能
阻抗性能
Keywords
Zn
o
varist
o
r ceramic
cr
_(
2
)
o
_(
3
)d
o
ping
mi
cr
o
structure
electrical pr
o
perty
impedance pr
o
perty
分类号
TM862 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响
姜胜林
张海波
刘梅冬
黄焱球
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
下载PDF
职称材料
2
Cr_(2)O_(3)对ZnO-Bi_(2)O_(3)基高压压敏陶瓷性能的影响
桂阳海
涂远生
田宽
郭会师
黄海
张心华
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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