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基于原子力显微镜的G/FTO双层薄膜接触特性研究
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作者 王敏 蔡文豪 +3 位作者 郁建元 王智浩 周昊哲 赵洪力 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2023年第6期2262-2272,共11页
本文采用湿法刻蚀法将单层石墨烯(G)与掺氟二氧化锡(FTO)薄膜复合在一起,采用拉曼(Raman)光谱、聚焦离子束(FIB)和透射电子显微镜(TEM)研究了G/FTO双层薄膜的结构、表面和界面形貌、元素分布等信息;采用基于原子力显微镜(AFM)的开尔文... 本文采用湿法刻蚀法将单层石墨烯(G)与掺氟二氧化锡(FTO)薄膜复合在一起,采用拉曼(Raman)光谱、聚焦离子束(FIB)和透射电子显微镜(TEM)研究了G/FTO双层薄膜的结构、表面和界面形貌、元素分布等信息;采用基于原子力显微镜(AFM)的开尔文探针力显微镜(KPFM)和导电原子力显微镜(C-AFM)研究了FTO薄膜和G/FTO双层薄膜的形貌、接触电势差(CPD)、功函数、接触势垒。结果表明,FTO薄膜和G/FTO双层薄膜的接触电势差分别为-0.474、-0.441 V,两者功函数分别为5.329、5.296 eV。与FTO薄膜相比,G/FTO双层薄膜的迁移率由21.26 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)增加到23.82 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。FTO薄膜和G/FTO双层薄膜相应的势垒高度分别(0.39±0.06) V和(0.33±0.05) V,G/FTO双层薄膜的势垒高度更小。 展开更多
关键词 石墨烯 掺氟二氧化锡 双层结构 接触特性 接触电势差 功函数 接触势垒
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接触角滞后与流体动压润滑的相关性研究 被引量:2
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作者 王茜 韩素立 +1 位作者 郭峰 李超 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期340-349,共10页
理论研究表明不同润湿性界面对流体动压润滑油膜厚度有着显著地影响,一般采用接触角(CA)来表征固液界面润湿性.而由热力学原理推导出的界面势能垒理论模型不仅与接触角相关,也是接触角滞后(CAH)的函数.本文作者通过对不同基体材料的滑... 理论研究表明不同润湿性界面对流体动压润滑油膜厚度有着显著地影响,一般采用接触角(CA)来表征固液界面润湿性.而由热力学原理推导出的界面势能垒理论模型不仅与接触角相关,也是接触角滞后(CAH)的函数.本文作者通过对不同基体材料的滑块进行表面张力修饰,获得了不同亲和性的界面.利用干涉法及荧光法分别测量了不同润湿性界面的流体动压润滑膜厚及油膜受剪切的流动特性,研究了接触角及接触角滞后两个界面参数对流体动压润滑油膜厚度的影响,并对势能垒与接触角滞后的关系进行了讨论.结果表明:接触角与流体动压润滑油膜厚度的相关性较差,接触角滞后可以更好地表征界面效应对流体动压润滑油膜厚度的影响. 展开更多
关键词 流体动压润滑 润湿性 接触角 接触角滞后 势能垒
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Pt修饰TiO_2纳米管的接触势与光电性能 被引量:1
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作者 翁晴 李静玲 +2 位作者 廖薇 余华梁 余巧莺 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1152-1157,共6页
采用碱熔-水热法在常压下制备了Pt修饰TiO_2复合纳米管(Pt-TNT),并对其微观组织形貌和性能进行了表征.结果表明,Pt-TNT主要由锐钛矿相和金红石相TiO_2组成,铂和氧化铂(Pt,PtO,PtO_2,记作PtO_x^(δ+))分散在TiO_2纳米管表面.Pt-TNT表面... 采用碱熔-水热法在常压下制备了Pt修饰TiO_2复合纳米管(Pt-TNT),并对其微观组织形貌和性能进行了表征.结果表明,Pt-TNT主要由锐钛矿相和金红石相TiO_2组成,铂和氧化铂(Pt,PtO,PtO_2,记作PtO_x^(δ+))分散在TiO_2纳米管表面.Pt-TNT表面接触势为PtO_x^(δ+)-锐钛矿-金红石-PtO_x^(δ+)类型,Pt-TNT比表面积(BET)由原料的9.0 m^2/g增至41 m^2/g,增加3.55倍.傅里叶变换红外(FTIR)光谱中1047与1641 cm^(-1)处的OH弯曲振动峰是由Pt-TNT样品表面吸附δ-H_2O所致.表面光电压分析显示TiO_2表面光伏响应红移,在外电场作用下深能级上的束缚激子由带-带跃迁变为亚带隙跃迁. 展开更多
关键词 Pt修饰 TIO2纳米管 光电特性 接触势
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Designing Parameters for RF CMOS Cells
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作者 Viranjay M. Srivastava K. S. Yadav G. Singh 《Circuits and Systems》 2010年第2期49-53,共5页
In this paper, we have investigated the design parameters of RF CMOS cells which will be used for switch in the wireless telecommunication systems. This RF switch is capable to select the data streams from the two ant... In this paper, we have investigated the design parameters of RF CMOS cells which will be used for switch in the wireless telecommunication systems. This RF switch is capable to select the data streams from the two antennas for both the transmitting and receiving processes. The results for the development of a cell-library which includes the basics of the circuit elements required for the radio frequency sub-systems of the integrated circuits such as V-I characteristics at low-voltages, contact resistance which is present in the switches and the potential barrier with contacts available in devices has been discussed. 展开更多
关键词 CMOS Cell LIBRARY contact RESISTANCE DG MOSFET DP4T SWITCH potential barrier Radio Frequency RF SWITCH RESISTANCE of MOS Voltage-Current Curve VLSI
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多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运
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作者 吕倩华 郭华忠 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期561-565,共5页
本文研究了多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运的声电电流特性.改变每个量子点接触的栅电压用以实现不同高度的静态势垒,从而调节声电电流.并用电子泵模型解释了不同势垒之间的耦合对于电流的影响,根据此模型得到的模拟结果与实验... 本文研究了多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运的声电电流特性.改变每个量子点接触的栅电压用以实现不同高度的静态势垒,从而调节声电电流.并用电子泵模型解释了不同势垒之间的耦合对于电流的影响,根据此模型得到的模拟结果与实验吻合. 展开更多
关键词 声表面波 量子点接触 声电电流 势垒
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