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Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长 被引量:4
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作者 王军喜 王晓亮 +4 位作者 刘宏新 胡国新 李建平 李晋闽 曾一平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期678-681,共4页
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si SiO2 Si柔性衬底上生长了GaN外延层 ,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析 .在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层 ,其表面粗糙度为 0 6nm .研究了GaN外延层中的应力及其光学性质 ,光致发光测试结果... 使用MBE方法在Si(111)衬底和Si SiO2 Si柔性衬底上生长了GaN外延层 ,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析 .在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层 ,其表面粗糙度为 0 6nm .研究了GaN外延层中的应力及其光学性质 ,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值 . 展开更多
关键词 分子束外延 GaN 柔性衬底 光致发光
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The Mexican hat effect on the delamination buckling of a compressed thin film 被引量:2
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作者 Yin Zhang Yun Liu 《Acta Mechanica Sinica》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第6期927-932,共6页
Because of the interaction between film and substrate,the film buckling stress can vary significantly,depending on the delamination geometry,the film and substrate mechanical properties.The Mexican hat effect indicate... Because of the interaction between film and substrate,the film buckling stress can vary significantly,depending on the delamination geometry,the film and substrate mechanical properties.The Mexican hat effect indicates such interaction.An analytical method is presented,and related dimensional analysis shows that a single dimensionless parameter can effectively evaluate the effect. 展开更多
关键词 BUCKLING DELAMINATION Elastic foundation Thin film compliant substrate
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Trans-scale surface wrinkling model and scaling relationship analysis of stiff film-compliant substrate structures 被引量:1
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作者 LIU YanWei ZHANG SiYuan +1 位作者 LONG Hao WEI YueGuang 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第11期2776-2786,共11页
The self-assembly of surface-order structures based on the surface wrinkling of stiff film-compliant substrate structures(SFCS)is potentially useful in the fabrication of functional devices,the manufacture of superhyd... The self-assembly of surface-order structures based on the surface wrinkling of stiff film-compliant substrate structures(SFCS)is potentially useful in the fabrication of functional devices,the manufacture of superhydrophobic or self-cleaning surfaces,and so on.Due to the influence of the intrinsic characteristic length(g),the surface wrinkling behavior of SFCS at the micro scale is different from that at the macro scale.In this work,based on the strain gradient theory,a trans-scale surface wrinkling model for SFCS is established.First,the effectiveness of this model is verified by previous experiments.Then,based on the model and dimensional analysis,the effect of g on the surface wrinkling behavior is investigated,and the scaling relationship of surface wrinkling of SFCS at different scales is analyzed.The results show that the influence of g cannot be neglected when the film thickness decreases to the one comparable to g.At the micro scale,g will lead to the increase of the critical wrinkling wavelength and load.In addition,the scaling relationship of surface wrinkling at the micro scale will not follow the traditional one.Our study explains the underlying mechanism of the dissimilarity of surface wrinkling behaviors of SFCS at different scales and lays a theoretical foundation for the precise control of surface-order structures. 展开更多
关键词 stiff film-compliant substrate structures surface wrinkling trans-scale model dimensional analysis scaling relationship
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应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用
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作者 陈涌海 杨少延 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1740-1743,共4页
用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层... 用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层可以完全吸收支撑衬底和外延层之间的应变而不产生任何界面失配位错,具有所谓无支撑衬底的应变协调作用. 展开更多
关键词 应变异质外延结构 晶格失配 可协变衬底 失配位错
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可变形电子结构的力学性能研究 被引量:1
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作者 蔡晓苏 胡超 欧智成 《科学技术与工程》 2011年第15期3372-3376,共5页
薄膜/柔性基底可变形电子结构目前应用广泛。从现有的研究出发,分析已有的屈曲理论模型的特点及适用性,并作出初步的有限元分析。同时将实验结果、理论分析和有限元分析值三者进行对比。在预应变小于5%的情况下,小应变理论适用,预应变大... 薄膜/柔性基底可变形电子结构目前应用广泛。从现有的研究出发,分析已有的屈曲理论模型的特点及适用性,并作出初步的有限元分析。同时将实验结果、理论分析和有限元分析值三者进行对比。在预应变小于5%的情况下,小应变理论适用,预应变大于5%时,适用大应变理论。同时对可控的屈曲模型进行了相应的分析。解析解和有限元分析值均与实验数据吻合良好。 展开更多
关键词 薄膜 柔性基底 屈曲力学 有限元分析
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过渡金属硫族化合物柔性基底体系的模型与应用
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作者 周愈之 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第21期20-28,共9页
柔性基底体系是晶体外延生长领域于20世纪90年代提出的概念.其核心思想是利用超薄的基底,使其在外延生长时能同时与外延晶膜发生应变,以抵消二者之间的晶格失配,从而减少外延晶膜中的位错,提高晶膜的质量.但是人工制备性能优良的超薄基... 柔性基底体系是晶体外延生长领域于20世纪90年代提出的概念.其核心思想是利用超薄的基底,使其在外延生长时能同时与外延晶膜发生应变,以抵消二者之间的晶格失配,从而减少外延晶膜中的位错,提高晶膜的质量.但是人工制备性能优良的超薄基底往往需要较为复杂的工艺.另一方面,过渡金属硫族化合物由于其层状结构特性和层间较弱的范德瓦耳斯相互作用,是天然的柔性基底.本文介绍近几年来新发展的过渡金属硫族化合物柔性基底体系的模型及应用.以Au-MoS_2作为柔性基底外延生长的原型,结合密度泛函理论、线性弹性理论以及位错理论构建模型,并根据计算结果解释了早先利用透射电子显微镜观测到的Au薄膜在MoS_2上外延生长的相关实验现象.此外,本文还介绍了受到该理论模型启发的相关实验工作,特别是利用Au薄膜分离大面积、单层、高质量MoS_2的技术.最后,讨论了在该领域内值得关注和进一步探索的理论问题. 展开更多
关键词 柔性基底 过渡金属硫族化合物 第一性原理计算 线性弹性理论
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边界条件对附于软基体上压电薄膜的局部屈曲的影响(英文)
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作者 付志鹏 周志东 《科学技术与工程》 北大核心 2012年第24期6139-6141,6147,共4页
研究了附于预拉伸弹性软基体上的压电薄膜的局部屈曲行为,弹性软基体和刚性支座之间为滑动边界。通过比较弹性软基体和刚性支座之间为固支情况下附于基体上压电薄膜的局部屈曲行为,讨论边界条件对于压电薄膜的局部屈曲的影响。
关键词 局部屈曲 压电薄膜 预拉伸相容基体 边界条件
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