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非晶ZnTiSnO薄膜的溶液燃烧法制备与TFT器件性能
被引量:
2
1
作者
冯丽莎
江庆军
+1 位作者
叶志镇
吕建国
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期177-180,共4页
本文采用溶液燃烧法,在较低温度下成功制备出非晶ZnTiSnO(ZTTO)薄膜,用作沟道层制备薄膜晶体管(TFT)。研究了Ti掺入对薄膜的结构、光学性能、元素化学态以及对TFT器件电学性能影响。研究结果表明,所制得的ZTTO薄膜均为非晶结构,可见光...
本文采用溶液燃烧法,在较低温度下成功制备出非晶ZnTiSnO(ZTTO)薄膜,用作沟道层制备薄膜晶体管(TFT)。研究了Ti掺入对薄膜的结构、光学性能、元素化学态以及对TFT器件电学性能影响。研究结果表明,所制得的ZTTO薄膜均为非晶结构,可见光透过率大于84%;适量Ti的掺入可作为载流子抑制剂有效降低薄膜中的氧空位缺陷浓度,从而提升TFT器件性能。当Zn/Ti摩尔百分比为30/1时,ZTTO TFT性能良好,开关比可达3.54×10~5。
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关键词
溶液燃烧法
ZnTiSnO薄膜
非晶态
薄膜晶体管
下载PDF
职称材料
题名
非晶ZnTiSnO薄膜的溶液燃烧法制备与TFT器件性能
被引量:
2
1
作者
冯丽莎
江庆军
叶志镇
吕建国
机构
浙江大学材料科学与工程学院
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期177-180,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(51372002)
文摘
本文采用溶液燃烧法,在较低温度下成功制备出非晶ZnTiSnO(ZTTO)薄膜,用作沟道层制备薄膜晶体管(TFT)。研究了Ti掺入对薄膜的结构、光学性能、元素化学态以及对TFT器件电学性能影响。研究结果表明,所制得的ZTTO薄膜均为非晶结构,可见光透过率大于84%;适量Ti的掺入可作为载流子抑制剂有效降低薄膜中的氧空位缺陷浓度,从而提升TFT器件性能。当Zn/Ti摩尔百分比为30/1时,ZTTO TFT性能良好,开关比可达3.54×10~5。
关键词
溶液燃烧法
ZnTiSnO薄膜
非晶态
薄膜晶体管
Keywords
combustion
-
solution
method
ZnTiSnO
film
Amorphous
state
Thin-film
transistor
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶ZnTiSnO薄膜的溶液燃烧法制备与TFT器件性能
冯丽莎
江庆军
叶志镇
吕建国
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017
2
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职称材料
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