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钴锰合金磷酸根离子敏感电极研究 被引量：6
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作者 苏宾 袁红雁 +1 位作者 王柯敏 肖丹 《化学传感器》 CAS 1999年第4期33-37,共5页
本文以钴粉和锰粉为原料分别制备了不同钴锰比例的钴锰合金磷酸根离子敏感电极。结果表明,当钴锰比(w/w)为9:1时,钴锰合金磷酸根离子敏感电极对磷酸根响应斜率为30mV/dec.,线性响应范围为10^(-4)～10^(-1)mol·L^(-1),检测下限为2&#... 本文以钴粉和锰粉为原料分别制备了不同钴锰比例的钴锰合金磷酸根离子敏感电极。结果表明,当钴锰比(w/w)为9:1时,钴锰合金磷酸根离子敏感电极对磷酸根响应斜率为30mV/dec.,线性响应范围为10^(-4)～10^(-1)mol·L^(-1),检测下限为2×10^(-5)mol·L^(-1)。电极对常见离子NO_3^-、SO_4^(-2)、Br^-、OAc^-和Cl^-的选择性系数分别为5.5×10^(-2)、2.5×10^(-2)、1.5×10^(-2)、1.0×10^(-2)和1.2×10^(-2)。本文对Co—Mn合金制备磷酸根离子敏感电极的响应机理进行了初步探讨。 展开更多
关键词 钴锰合金 磷酸根 离子敏感电极 电极 高温熔融
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