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温度对CVD-TaC涂层组成、形貌与结构的影响 被引量:41
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作者 李国栋 熊翔 黄伯云 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期565-571,共7页
利用TaCl52C3H62H22Ar反应体系,用化学气相沉积法(CVD)成功地在C/C复合材料表面沉积TaC涂层及C2TaC复合涂层。研究了温度对TaC涂层的相组成和表面形貌的影响以及CVD2TaC涂层的沉积机理。结果表明:在1373~1673K温度范围内能够在C/C复合... 利用TaCl52C3H62H22Ar反应体系,用化学气相沉积法(CVD)成功地在C/C复合材料表面沉积TaC涂层及C2TaC复合涂层。研究了温度对TaC涂层的相组成和表面形貌的影响以及CVD2TaC涂层的沉积机理。结果表明:在1373~1673K温度范围内能够在C/C复合材料表面制备碳化钽涂层,它由TaC和游离碳组成。提高沉积温度和H2/C3H6的流量比,TaC涂层中游离碳的含量减少;随着沉积温度的升高,TaC涂层的颗粒尺寸增大,均匀程度下降;在1573K时颗粒间出现明显的烧结界面,结构致密无裂纹。制备出成分波动的C2TaC复合涂层,该涂层与基体间具有良好的机械相容性。分析了低应力、无裂纹TaC复合涂层的形成机制。 展开更多
关键词 TAC涂层 C—TaC复合涂层 化学气相沉积 相组成 涂层形貌 低应力涂层
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N掺杂多孔碳材料研究进展 被引量:25
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作者 余正发 王旭珍 +1 位作者 刘宁 刘洋 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期824-831,862,共9页
通过掺杂氮原子对多孔碳材料进行功能化,可强化多孔碳材料固有的优异性能并赋予其新功能,从而拓宽其在各领域的应用范围。近年来,研究者相继开发了一系列技术方法,已制备得到多种结构特异、性能优异的氮掺杂多孔碳材料。本文基于氮掺杂... 通过掺杂氮原子对多孔碳材料进行功能化,可强化多孔碳材料固有的优异性能并赋予其新功能,从而拓宽其在各领域的应用范围。近年来,研究者相继开发了一系列技术方法,已制备得到多种结构特异、性能优异的氮掺杂多孔碳材料。本文基于氮掺杂多孔碳材料的最新研究进展,详细介绍了利用液相模板法、化学气相沉积法、氨气后处理法、化学活化法和水热法等制备氮掺杂多孔碳材料的方法,评述了各种方法的特点及局限性,并简要介绍了该类材料在电池催化、气体吸附分离、储氢及污染气体脱除等方面的应用,指出了氮掺杂多孔碳材料工业应用的规模化制备发展方向。 展开更多
关键词 多孔碳 N掺杂 模板法 化学气相沉积 吸附
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CVD金刚石涂层刀具研究与应用前景 被引量:21
3
作者 赵志岩 邓福铭 +1 位作者 卢学军 徐国军 《硬质合金》 CAS 北大核心 2009年第4期246-251,共6页
论述了CVD金刚石涂层硬质合金刀具的研究开发现状、存在的主要问题,重点介绍了硬质合金基体表面预处理方法及工艺。
关键词 化学气相沉积(cvd) 金刚石涂层 硬质合金 预处理
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类金刚石薄膜的摩擦学特性及磨损机制研究进展 被引量:18
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作者 李振军 徐洮 +3 位作者 李红轩 郝俊英 周惠娣 陈建敏 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期774-777,共4页
类金刚石薄膜已显示了重要的摩擦学应用价值 ,其中化学气相沉积的类金刚石薄膜 (DLC)具有膜层致密、厚度均匀、摩擦学性能优良等特点成为广泛采用的一种沉积方法。本文介绍了气源成分、基体材料、摩擦环境、摩擦对偶、载荷及速度对化学... 类金刚石薄膜已显示了重要的摩擦学应用价值 ,其中化学气相沉积的类金刚石薄膜 (DLC)具有膜层致密、厚度均匀、摩擦学性能优良等特点成为广泛采用的一种沉积方法。本文介绍了气源成分、基体材料、摩擦环境、摩擦对偶、载荷及速度对化学气相沉积制备类金刚石薄膜的摩擦学特性的影响 ,概述了其摩擦磨损机理 ,同时探讨了进一步研究工作的方向。 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 摩擦学特性 磨损机制 化学气相沉积
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先进陶瓷基复合材料制备技术-CVI法现状及进展 被引量:9
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作者 侯向辉 李贺军 +1 位作者 刘应楼 康沫狂 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1999年第2期32-36,共5页
化学气相渗透法(CVI)是制备先进陶瓷基复合材料最赋潜力的技术。本文概要阐述了CVI法的原理与动力学机制,论述了CVI先进陶瓷基复合材料中纤维、基体、界面的研究现状,对不同类型的CVI工艺及目前的CVI模拟技术作了一... 化学气相渗透法(CVI)是制备先进陶瓷基复合材料最赋潜力的技术。本文概要阐述了CVI法的原理与动力学机制,论述了CVI先进陶瓷基复合材料中纤维、基体、界面的研究现状,对不同类型的CVI工艺及目前的CVI模拟技术作了一定的评价,提出了CVI技术的发展方向和研究课题。 展开更多
关键词 化学气相渗透 化学气相沉积 陶瓷 CVI 复合材料
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高性能光学合成石英玻璃的制备和应用 被引量:21
6
作者 聂兰舰 王玉芬 +2 位作者 向在奎 王蕾 王慧 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2916-2924,共9页
介绍了制备光学合成石英玻璃的常用工艺方法,包括化学气相沉积、等离子化学气相沉积和间接合成法等;给出了不同光学石英玻璃使用的原材料、它们的特点及其在不同领域的应用综述了该项技术在国内外的发展现状。比较了上述制备方法的优缺... 介绍了制备光学合成石英玻璃的常用工艺方法,包括化学气相沉积、等离子化学气相沉积和间接合成法等;给出了不同光学石英玻璃使用的原材料、它们的特点及其在不同领域的应用综述了该项技术在国内外的发展现状。比较了上述制备方法的优缺点,其中立式化学气相沉积工艺是目前最成熟的商业化工艺,可用于制备直径达Φ600mm以上、光学均匀性优于2×10^(-6)、抗激光损伤阈值达30J/cm2@355nm的大尺寸合成石英玻璃;等离子化学气相沉积工艺可制备内在质量优异、羟基含量≤5×10^(-6)、光谱透过率T190-4000nm≥80%的全光谱透过石英玻璃;间接合成法可制备光吸收系数小于1×10^(-6)/cm@1064nm、羟基含量≤1×10^(-6)、光谱透过率T157-4000nm≥80%的石英玻璃,而且易于掺杂及控制缺陷,进而制备各类掺杂特殊功能的石英玻璃。文章最后指出:上述制备工艺各有优缺点,应根据高端光电技术领域的应用需求采取适当的制备工艺。 展开更多
关键词 光学石英玻璃 化学气相沉积 等离子化学气相沉积 间接合成法 综述
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硬质合金CVD金刚石涂层最新进展 被引量:20
7
作者 吕继磊 满卫东 +2 位作者 陈朋 朱金凤 吴飞飞 《硬质合金》 CAS 北大核心 2011年第5期321-331,共11页
金刚石因具有优异的物理化学性能被认为是理想的刀具材料。硬质合金基底上涂覆CVD金刚石薄膜有利于改善刀具的加工性能和寿命,但涂层和基底之间存在热膨胀系数差异以及合金中Co对沉积有不利影响,使得薄膜附着力较差。本文综述了近几年... 金刚石因具有优异的物理化学性能被认为是理想的刀具材料。硬质合金基底上涂覆CVD金刚石薄膜有利于改善刀具的加工性能和寿命,但涂层和基底之间存在热膨胀系数差异以及合金中Co对沉积有不利影响,使得薄膜附着力较差。本文综述了近几年来各种提高CVD金刚石涂层刀具切屑性能的方法,从提高薄膜附着力和改善金刚石膜的质量两个方面进行了讨论。并介绍了国外较先进的CVD金刚石涂层刀具的应用,随着技术的不断成熟,CVD金刚石涂层将会有更为广泛的应用。 展开更多
关键词 硬质合金 化学气相沉积 金刚石薄膜 过渡层
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CVD金刚石涂层硬质合金刀具研究进展 被引量:19
8
作者 尹超 毛善文 《硬质合金》 CAS 2016年第4期275-282,共8页
CVD金刚石涂层硬质合金刀具结合了金刚石和硬质合金的优异性能,是切削加工的理想材料,具有广阔的发展前景。当前限制CVD金刚石涂层刀具应用的主要问题是金刚石涂层与刀具基体之间的附着性能较差,其主要原因是粘接相Co对CVD沉积存在不利... CVD金刚石涂层硬质合金刀具结合了金刚石和硬质合金的优异性能,是切削加工的理想材料,具有广阔的发展前景。当前限制CVD金刚石涂层刀具应用的主要问题是金刚石涂层与刀具基体之间的附着性能较差,其主要原因是粘接相Co对CVD沉积存在不利影响以及涂层与基体之间热膨胀系数存在较大差异。本文综述了提高界面结合强度和降低涂层表面粗糙度的方法,重点介绍了在界面添加过渡层来提高界面结合强度,并指出在硬质合金基体和CVD涂层之间添加过渡层和开发纳米CVD涂层是CVD金刚石涂层刀具今后的发展方向。 展开更多
关键词 化学气相沉积(cvd) 金刚石涂层 硬质合金 过渡层 表面粗糙度
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Effects of gradient structure on the microstructures and properties of coated cemented carbides 被引量:19
9
作者 Li Chen Enxi Wu +1 位作者 Fei Yin Jia Li 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2006年第4期363-367,共5页
The effects of gradient structure on the microstructure and properties of coated cemented carbides were researched with optical microscopy (OM), scanning electron microscopy (SEM), strength measurements, and cutti... The effects of gradient structure on the microstructure and properties of coated cemented carbides were researched with optical microscopy (OM), scanning electron microscopy (SEM), strength measurements, and cutting tests. It shows that vacuum sintering of WC-Ti(C, N)-TaC-Co cemented carbides results in the formation of a surface ductile zone. The ductile zone prevents crack propagation and leads to the increase of transverse rupture strength of the substrate. The impact resistance of coated gradient inserts was obviously improved on the basis of maintaining resistance to abrasion and the forming mechanism of the gradient structure was also analyzed. 展开更多
关键词 cemented carbide chemical vapor deposition cvd COATING gradient structure
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低辐射镀膜玻璃的研究开发进展 被引量:13
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作者 周家斌 任毅 +1 位作者 付志强 王成彪 《建筑结构学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期104-108,共5页
随着人们节能与环保意识的提高,低辐射镀膜玻璃以其优异的节能、环保性能受到了国内外的普遍关注。本文就低辐射镀膜玻璃的发展历史、主要性能、工艺方法进行了详细介绍,对在线和离线两种方法的特点及膜层性能进行了比较,介绍了两种方... 随着人们节能与环保意识的提高,低辐射镀膜玻璃以其优异的节能、环保性能受到了国内外的普遍关注。本文就低辐射镀膜玻璃的发展历史、主要性能、工艺方法进行了详细介绍,对在线和离线两种方法的特点及膜层性能进行了比较,介绍了两种方法下的镀膜工艺,并简单介绍了新型的低辐射镀膜玻璃。提出我国需在低辐射镀膜玻璃的生产工艺、膜层质量、生产成本和规模化生产等方面进一步改进。 展开更多
关键词 低辐射镀膜玻璃 磁控溅射 化学气相沉积
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真空热处理碳纳米管的储氢性能研究 被引量:14
11
作者 易双萍 张海燕 +2 位作者 欧阳玉 王银海 庞晋山 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期2644-2650,共7页
研究了真空热处理对多壁碳纳米管(MWNTs)电化学储氢性能的影响.采用化学气相沉积法(CVD)制备碳纳米管,碳纳米管与LaNi5储氢合金按质量比1∶10混合,制作成CNTs-LaNi5电极.电解池采用三电极体系,6mol/L KOH为电解液,Ni(OH)2为正极,Hg/HgO... 研究了真空热处理对多壁碳纳米管(MWNTs)电化学储氢性能的影响.采用化学气相沉积法(CVD)制备碳纳米管,碳纳米管与LaNi5储氢合金按质量比1∶10混合,制作成CNTs-LaNi5电极.电解池采用三电极体系,6mol/L KOH为电解液,Ni(OH)2为正极,Hg/HgO为参比电极.实验结果表明,在相同的充放电条件下,850℃时CNTs-LaNi5电极的储氢性能最好,克容量最大为503·6mAh/g,相应的平台电压高达1·18V.从500—850℃随着温度升高,放电量有较大幅度的增加,但到950℃时放电量反而下降.由此可见,碳纳米管的热处理温度对碳纳米管的电化学储氢性能有着较大的影响. 展开更多
关键词 碳纳米管(CNTs) 储氢性能 LANI5合金 化学气相沉积法(cvd法)
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化学气相沉积法制备TiC涂层的相组成和表面形貌 被引量:11
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作者 舒武炳 郭海明 +2 位作者 乔生儒 孟国文 田长生 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期229-232,共4页
用化学气相沉积法 (CVD)在碳 /碳复合材料表面沉积 Ti C涂层。研究了工艺参数对 Ti C涂层的相组成和表面形貌的影响以及 CVD Ti C涂层的沉积机理。实验结果表明 ,当进入沉积室的气体流量 (m L· min-1 )比为 H2 ∶ Ti Cl4∶ CH4=30 ... 用化学气相沉积法 (CVD)在碳 /碳复合材料表面沉积 Ti C涂层。研究了工艺参数对 Ti C涂层的相组成和表面形貌的影响以及 CVD Ti C涂层的沉积机理。实验结果表明 ,当进入沉积室的气体流量 (m L· min-1 )比为 H2 ∶ Ti Cl4∶ CH4=30 0∶ 2 5∶ 1 0时 ,所得涂层中含较少的游离碳 ,Ti C纯度较高。随 CH4流量增加 ,游离碳含量增加。沉积温度对 Ti C的形貌有明显影响 ,较低温度下沉积的 Ti C粒子尺寸小 ,分布均匀 ,随温度升高 ,Ti C的粒径增大 。 展开更多
关键词 化学气相沉积 TIC涂层 相组成
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CVD SiC致密表面涂层制备及表征 被引量:14
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作者 刘荣军 张长瑞 +2 位作者 周新贵 曹英斌 刘晓阳 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期3-6,共4页
考察了沉积温度、稀释气体流量对化学气相沉积(CVD)SiC涂层的显微结构及晶体结构的影响,分析得出:沉积温度为1100℃,稀释气体Ar流量<400mL/min时,制备的SiC涂层晶体结构完整、致密。在该制备工艺条件下沉积的SiC涂层密度为3.204g/cm3... 考察了沉积温度、稀释气体流量对化学气相沉积(CVD)SiC涂层的显微结构及晶体结构的影响,分析得出:沉积温度为1100℃,稀释气体Ar流量<400mL/min时,制备的SiC涂层晶体结构完整、致密。在该制备工艺条件下沉积的SiC涂层密度为3.204g/cm3,显微硬度为HV4459.2,弹性模量为471GPa,涂层具有优异的光学加工性能,光学加工后表面粗糙度为0.429nm,能满足光学应用的要求。 展开更多
关键词 化学气相沉积 SIC涂层 制备工艺 性能表征
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纳米金刚石薄膜研究进展 被引量:12
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作者 王学根 孙方宏 +2 位作者 张志明 沈荷生 陈明 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2003年第5期1-7,共7页
本文对纳米金刚石薄膜的研究现状和发展趋势进行了综合评述 ,从纳米金刚石薄膜的沉积原理和工艺以及纳米效应表征等方面分析了国内外最新研究成果 ,比较了常规和纳米金刚石薄膜不同沉积工艺和形核生长机理 ,对纳米金刚石薄膜的硬度、内... 本文对纳米金刚石薄膜的研究现状和发展趋势进行了综合评述 ,从纳米金刚石薄膜的沉积原理和工艺以及纳米效应表征等方面分析了国内外最新研究成果 ,比较了常规和纳米金刚石薄膜不同沉积工艺和形核生长机理 ,对纳米金刚石薄膜的硬度、内应力、摩擦特性等机械性能也作了概述 ,在此基础上 ,提出在常规金刚石薄膜基础上沉积纳米金刚石薄膜组成复合涂层的新方法。 展开更多
关键词 纳米金刚石薄膜 化学气相沉积 复合涂层 研究进展 cvd
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CVD金刚石大单晶外延生长及高技术应用前景 被引量:14
15
作者 吕反修 黑立富 +4 位作者 刘杰 宋建华 李成明 唐伟忠 陈广超 《热处理》 CAS 2013年第5期1-12,共12页
CVD(化学气相沉积)金刚石大单晶生长是CVD金刚石膜研究领域在过去十余年中所取得的重大技术进展之一,在一系列高新技术领域有极其重要的应用前景。针对CVD金刚石大单晶的制备和应用进行了综述。首先对CVD金刚石大单晶生长技术进行了概... CVD(化学气相沉积)金刚石大单晶生长是CVD金刚石膜研究领域在过去十余年中所取得的重大技术进展之一,在一系列高新技术领域有极其重要的应用前景。针对CVD金刚石大单晶的制备和应用进行了综述。首先对CVD金刚石大单晶生长技术进行了概括性的描述,然后对CVD金刚石单晶制备方法进行详细介绍和评述。并对CVD大单晶在高性能辐射(粒子)探测器、金刚石高温半导体器件、高压物理试验、超精密加工以及在首饰钻戒等方面的应用现状与前景进行了介绍与评述。最后针对CVD高仿钻戒与天然钻戒的鉴别进行了评述,并提出了新的建议。 展开更多
关键词 金刚石大单晶 化学气相沉积(cvd) 外延生长 高技术应用
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CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究 被引量:7
16
作者 谢莲革 沃银花 +4 位作者 汪建勋 沈鸽 翁文剑 刘起英 韩高荣 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1824-1828,共5页
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温... 采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因. 展开更多
关键词 化学气相沉积(cvd) Sb掺杂SnO2薄膜 掺杂量
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石墨烯薄膜的制备方法及应用研究进展 被引量:13
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作者 何延如 田小让 +3 位作者 赵冠超 代玲玲 聂革 刘敏胜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期48-60,77,共14页
完美石墨烯由于具有高导电性、高透光性、高柔韧性、高阻隔性、高机械强度、高化学稳定性、超薄等特性,被誉为21世纪最具颠覆性的“新材料之王”,引起全球各界的关注,并预期在电子领域、光子领域、能源领域、环保领域、生物医疗健康等... 完美石墨烯由于具有高导电性、高透光性、高柔韧性、高阻隔性、高机械强度、高化学稳定性、超薄等特性,被誉为21世纪最具颠覆性的“新材料之王”,引起全球各界的关注,并预期在电子领域、光子领域、能源领域、环保领域、生物医疗健康等领域具有广阔的发展前景。目前,欧洲、美国、日本等众多国家,都把石墨烯列为本世纪最重要的新材料进行研究和开发,并已在新能源、电子等方面取得重要进展和初步应用效果。我国也明确把石墨烯作为国家重要战略材料列入国家“十三五”规划。石墨烯分为石墨烯粉体(还原氧化石墨烯)和石墨烯薄膜两大类。目前研究较多的是石墨烯粉体,且其制备和应用方面都有了系统的研究,并取得了一定成果。对于石墨烯薄膜,研究较多的是其制备技术,虽然对石墨烯薄膜在各个领域的应用均进行了初步研究,验证了它应用于其中的可行性,并预期其在部分应用领域具有显著优势,但多数处于研究初期,还面临众多技术挑战。因为目前制备的石墨烯薄膜性能和理论性能有较大差距,所以需要研究者们一方面改进制备技术,提升石墨烯薄膜性能;另一方面结合石墨烯特性选择拥有显著优势的应用领域进行深入研究,设计能够体现石墨烯薄膜性能优势的产品器件,这样才能真正打开石墨烯薄膜的应用市场。本文首先介绍了化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的研究现状及发展趋势。目前,石墨烯薄膜晶畴尺寸多为微米级到毫米级,少数研究机构所制的石墨烯薄膜晶畴可达到厘米级;石墨烯薄膜迁移率一般可达到10000~30000 cm 2/(V·s),方阻小于150Ω/□,透光率达到97.7%。石墨烯薄膜发展趋势是开发可控、快速制备大面积、大晶畴、高质量原位沉积石墨烯薄膜的技术和找到可体现石墨烯薄膜优异性能的应用场景。其次在欧盟“石墨烯旗舰计 展开更多
关键词 石墨烯薄膜 化学气相沉积(cvd) 透明导电层 场效应晶体管 分离隔离膜
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纳米八面体形FeP@PC的制备及催化析氢性能 被引量:12
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作者 王文峰 秦山 +3 位作者 张荣荣 周盼盼 杨庆华 陈天云 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1979-1987,共9页
以UIO-66为载体,经过FeCl3化学气相沉积、原位碳化和磷化及HF刻蚀等步骤制备了多孔FeP@PC催化剂.利用X射线衍射仪、场发射透射电子显微镜、 X射线光电子能谱仪和气体吸附仪等对催化剂的结构、形貌和比表面积等进行了表征;同时采用线性... 以UIO-66为载体,经过FeCl3化学气相沉积、原位碳化和磷化及HF刻蚀等步骤制备了多孔FeP@PC催化剂.利用X射线衍射仪、场发射透射电子显微镜、 X射线光电子能谱仪和气体吸附仪等对催化剂的结构、形貌和比表面积等进行了表征;同时采用线性扫描伏安法和电化学阻抗谱等对其电化学性质进行了考察.结果表明, FeP@PC保持了原UIO-66的八面体多孔结构,比表面积为83 m2/g;仅需要过电位156 mV即可驱动电流密度10 mA/cm^2,塔菲尔斜率为84 mV/dec,电荷转移电阻为44Ω,电化学活性表面积为13.9 mF/cm^2;在持续电解12 h和循环1000次后,催化剂的活性几乎没有衰减. 展开更多
关键词 磷化铁 金属有机框架 化学气相沉积 原位磷化 析氢反应
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化学气相沉积制备V_2O_5-WO_3/TiO_2催化剂及表征 被引量:11
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作者 杨眉 刘清才 +1 位作者 薛屺 高英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期683-686,共4页
以蜂窝堇青石为基体,采用化学气相沉积技术结合浸渍工艺制备出V2O5-WO3/TiO2脱硝催化剂,通过SEM、BET、XRD和EDS完成载体以及催化剂微观结构和成分表征,并利用活性评价装置测试了催化剂NO脱出率。试验结果表明,化学气相沉积技术制备的... 以蜂窝堇青石为基体,采用化学气相沉积技术结合浸渍工艺制备出V2O5-WO3/TiO2脱硝催化剂,通过SEM、BET、XRD和EDS完成载体以及催化剂微观结构和成分表征,并利用活性评价装置测试了催化剂NO脱出率。试验结果表明,化学气相沉积技术制备的载体表面为锐钛矿型TiO2,其颗粒聚集成团块状,BET为62.73m2/g,平均孔径为9.8nm。制备的V2O5-WO3/TiO2催化剂孔结构规律与TiO2载体相似,V2O5在TiO2载体上无定形态单层分散,微量V2O5在微区长大成针状,宽度<100nm;在350℃、4000h-1、n(NH3)/n(NO)=1时,催化剂NO脱出率ηNO达到96.7%。 展开更多
关键词 无机非金属材料 V2O5-WO3/TIO2催化剂 化学气相沉积 表征
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6.5%Si渗硅工艺新进展 被引量:11
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作者 卢凤喜 王爱华 《金属功能材料》 CAS 2008年第1期40-43,共4页
介绍了化学气相沉积法(CVD)6.5%Si钢连续渗硅生产线及处理工艺进展状况,比较了6.5%Si与3%Si的磁性,简述硅钢原板的成分要求,添加Cr、Al对高频性能的影响,涂布绝缘薄膜对降低噪音的影响。
关键词 化学气相沉积法(cvd) 渗硅生产线 渗硅工艺
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