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基于FAD的铝合金车体焊接缺陷安全性评价方法研究 被引量:4
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作者 刘俊杰 卢耀辉 +3 位作者 党林媛 肖柯宇 张德文 朱生长 《装备环境工程》 CAS 2018年第12期98-103,共6页
目的确保高速列车运行安全,采用先进的方法和理论对焊接缺陷进行评定显得非常重要。方法采用断裂力学和有限元相结合的方法,建立车体全比例有限元模型。采用热弹塑性法对焊接残余应力进行有限元数值仿真。基于标准BS 7910提供的焊接缺... 目的确保高速列车运行安全,采用先进的方法和理论对焊接缺陷进行评定显得非常重要。方法采用断裂力学和有限元相结合的方法,建立车体全比例有限元模型。采用热弹塑性法对焊接残余应力进行有限元数值仿真。基于标准BS 7910提供的焊接缺陷评价方法,对焊接缺陷进行安全性评定。结果对车体带焊缝的有限元模型,依据BS EN12663标准施加车体所承受的载荷,获取焊缝关注点的应力转化所得到一次应力。根据关注点信息建立所在焊缝处的接头模型进行热弹塑性仿真模拟,从而获取该关注点残余应力数值及分布转化所得到二次应力。将焊接缺陷进行裂纹当量化,从而计算得到载荷比与应力强度因子比值,结合许用FAD曲线,对高速列车铝合金车体上焊缝关注点进行安全性评价。结论该方法对车体这种大型复杂焊接结构的安全性进行评价是可行的,并对焊接缺陷是否合于使用提出质量控制的建议。 展开更多
关键词 铝合金焊接车体 焊接缺陷 FAD曲线 安全性评价 缺陷表征 有限元分析
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用多模分析改善双全法成像
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作者 李衍 《无损探伤》 2022年第1期1-5,共5页
介绍如何同时处理多模式组合,使全矩阵捕获-全聚焦法(FMC/TFM)即"双全法"成像的检测和可靠性均可优化。借助于像素值乘法,并引入非线性波幅因子,可大大提高信噪比(SNR),改善像质。此新法特命名为TFMi^(TM)法。在人工三曲裂纹... 介绍如何同时处理多模式组合,使全矩阵捕获-全聚焦法(FMC/TFM)即"双全法"成像的检测和可靠性均可优化。借助于像素值乘法,并引入非线性波幅因子,可大大提高信噪比(SNR),改善像质。此新法特命名为TFMi^(TM)法。在人工三曲裂纹和实际典型焊接缺陷试样上作了检测验证,确认TFMi^(TM)法效果彰显。 展开更多
关键词 超声相控阵 双全法技术 多模分析 乘法组合 缺陷表征 成像验证
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含缺陷钢结构焊接接头检测与评估 被引量:4
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作者 谢琦 王娜 +4 位作者 杨雅静 段斌 马德志 有移亮 吴素君 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第24期223-232,共10页
由于焊接热过程的作用,焊接接头较容易产生组织性能劣化、残余应力、应力集中以及各种焊接缺陷。焊接缺陷的存在严重影响了焊接结构件的质量和安全使用,因此对含缺陷焊接接头进行安全性评估具有重要的工程应用价值。基于综合考虑含缺陷... 由于焊接热过程的作用,焊接接头较容易产生组织性能劣化、残余应力、应力集中以及各种焊接缺陷。焊接缺陷的存在严重影响了焊接结构件的质量和安全使用,因此对含缺陷焊接接头进行安全性评估具有重要的工程应用价值。基于综合考虑含缺陷焊接接头的缺陷检测手段和BS 7910缺陷规则化表征处理的方法,对BS 7910中失效评估图的级别以及相应级别下针对含缺陷焊接接头评估点坐标确定过程中所涉及的应力种类和修正因子进行探讨,为工程实际利用BS 7910对焊接接头进行评估时的缺陷检测手段选择、缺陷规则化表征处理以及失效评估图级别的选择、评估点坐标的确定提供参考。 展开更多
关键词 缺陷检测 BS 7910 缺陷规则化表征 失效评估图
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相控阵双波法缺陷定量与定性 被引量:2
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作者 李衍 《中国特种设备安全》 2013年第11期28-32,共5页
介绍用相控阵超声检测(PAUT),借助于缺陷衍射回波信号间距和波幅比,改善对缺陷进行定量定性的方法。缺陷快速定性(分类)和准确定量(测高)对在制检测和在用检测很有实用意义。期盼此法迅速推广应用于承压设备检测。
关键词 相控阵超声检测(PAUT) 双波法衍射回波 定量 定性 面型缺陷 体型缺陷
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GaN HEMT外延材料表征技术研究进展 被引量:1
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作者 杜成林 蔡小龙 +4 位作者 叶然 刘海军 张煜 段向阳 祝杰杰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第11期899-908,共10页
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。GaN外延材料的质量决定了高电子迁移率晶体管(HEMT)的性能,不同材料特征的表征需要不... 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。GaN外延材料的质量决定了高电子迁移率晶体管(HEMT)的性能,不同材料特征的表征需要不同的测量工具和技术,进而呈现器件性能的优劣。综述了GaN HEMT外延材料的表征技术,详细介绍了几种表征技术的应用场景和近年来国内外的相关研究进展,简要总结了外延材料表征技术的发展趋势,为GaN HEMT外延层的材料生长和性能优化提供了反馈和指导。 展开更多
关键词 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 外延材料 表征技术 缺陷分析
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