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化学溶液沉积制备涂层导体Eu_(0.3)Ce_(0.7)O_(1.85-x)单一缓冲层
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作者 孙瑞萍 李果 +5 位作者 蒲明华 王文涛 张欣 武伟 杨烨 赵勇 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期523-526,共4页
采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上沉积了厚度大于160nm的Eu0.3Ce0.7O1.85-x(ECO)单一缓冲层。制得的ECO缓冲层双轴织构良好,表面平整、无裂纹。同时,Eu的掺杂提高了CeO2单一缓冲层薄膜的临界厚度... 采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上沉积了厚度大于160nm的Eu0.3Ce0.7O1.85-x(ECO)单一缓冲层。制得的ECO缓冲层双轴织构良好,表面平整、无裂纹。同时,Eu的掺杂提高了CeO2单一缓冲层薄膜的临界厚度。在沉积了ECO缓冲层的NiW基带上外延生长的YBCO薄膜,超导零电阻转变温度Tc0=86K,临界电流密度达到Jc(0T,77K)=0.4MA/cm2。本研究提供了一种操作简单、成本低廉、性能优良的制备涂层导体单一缓冲层的方法。 展开更多
关键词 EU掺杂 ceo2单一缓冲层 高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)
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