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坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性
被引量：
5
1
作者
陈红兵
肖华平
+3 位作者
徐方
方奇术
蒋成勇
杨培志
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期1036-1040,共5页
采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律.结果表明,Cd...
采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律.结果表明,CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发,且熔体中CdO比WO3更加易于挥发;CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征,初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高,后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小,相应地单晶在380～550nm区域的光透过率略有降低,X射线激发发光强度有所降低,且发光波长出现略微红移的趋势.通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理,可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性.
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关键词
钨酸镉
晶体生长
坩埚下降法
光学均匀性
下载PDF
职称材料
题名
坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性
被引量：
5
1
作者
陈红兵
肖华平
徐方
方奇术
蒋成勇
杨培志
机构
宁波市新型功能材料及其制备科学国家重点实验室培育基地
昆明物理研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期1036-1040,共5页
基金
宁波市自然科学基金(2007A610025)
文摘
采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律.结果表明,CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发,且熔体中CdO比WO3更加易于挥发;CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征,初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高,后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小,相应地单晶在380～550nm区域的光透过率略有降低,X射线激发发光强度有所降低,且发光波长出现略微红移的趋势.通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理,可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性.
关键词
钨酸镉
晶体生长
坩埚下降法
光学均匀性
Keywords
cdwo
4
crystal
growth
bridgman
process
optical
homogeneity
分类号
O782 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性
陈红兵
肖华平
徐方
方奇术
蒋成勇
杨培志
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
5
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职称材料
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