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硒化镉纳米线在应力作用下的第一性原理研究 被引量：1
1
作者 姜豹 汪礼胜 +1 位作者 曹功辉 陈凤翔 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第7期1275-1280,共6页
基于密度泛函理论的第一性原理计算分析了不同横向尺寸的硒化镉(CdSe)纳米线在拉伸和压缩单轴应力作用下的能带结构、载流子(电子和空穴)的有效质量以及迁移率的变化。计算结果表明,CdSe纳米线在施加应变或改变横向尺寸时,均表现为直接... 基于密度泛函理论的第一性原理计算分析了不同横向尺寸的硒化镉(CdSe)纳米线在拉伸和压缩单轴应力作用下的能带结构、载流子(电子和空穴)的有效质量以及迁移率的变化。计算结果表明,CdSe纳米线在施加应变或改变横向尺寸时,均表现为直接带隙半导体。随着压缩应变(0%^-10%)和拉伸应变(2%~10%)的增加,CdSe纳米线的带隙逐渐减小,但横向尺寸小的纳米线的带隙相对宽些。导带底电子迁移率随着应变从-10%至10%变化而逐渐减小,而价带顶空穴迁移率在施加应变从4%至10%变化时也缓慢减小。直径为1.2nm的CdSe纳米线在施加的压缩应变为-10%时,电子和空穴迁移率最大,分别为2890cm^2·V^-1·s^-1和2273cm2·V^-1·s^-1。因此,横向尺寸较小的CdSe纳米线在合适的压应力调控下有望成为一种制备高性能新型纳米电子器件的候选材料。 展开更多
关键词 cdse纳米线 应力 能带结构 迁移率 第一性原理
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控电位法制备CdSe纳米线阵列及其性能研究 被引量：1
2
作者 王宏智 卢敬 +1 位作者 姚素薇 张卫国 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2014年第7期1-6,共6页
以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理。在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵... 以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理。在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征。扫描电镜形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100 nm,与模板孔径一致。X-射线衍射测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型。光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5 h后,CdSe纳米线的降解率达94.29%,强于CdSe薄膜(52.03%)。 展开更多
关键词 AAO cdse纳米线 电沉积 光电响应 光催化
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模板法制备CdSe纳米线及其光学性质的研究
3
作者 曾云 苏轶坤 +1 位作者 吴喜明 汤皎宁 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期413-417,共5页
利用恒电位沉积方法，在阳极氧化铝（AA0）模板里沉积了CdSe纳米线。对其进行了结构和光学性质的表征，并且用循环伏安法讨论了其沉积机理。结果表明：室温下，0．1mol·L^-1CdS04＋0．25mol·L^-1H2SO4＋50mmol·L^-1SeO2... 利用恒电位沉积方法，在阳极氧化铝（AA0）模板里沉积了CdSe纳米线。对其进行了结构和光学性质的表征，并且用循环伏安法讨论了其沉积机理。结果表明：室温下，0．1mol·L^-1CdS04＋0．25mol·L^-1H2SO4＋50mmol·L^-1SeO2配比的溶液，0．4v恒电位沉积，在AAO模板中制备出了CdSe纳米线。EDS的结果表明Cd和se的化学计量比接近于1：1；通过XRD确定了所沉积的CdSe为面心立方结构，其择优取向为（111）晶面。紫外可见分光光度计吸收光谱表明其吸收范围在400～700nm，吸收最大处在500nm，PL发射谱表明CdSe纳米线的发光峰在400nm左右。 展开更多
关键词 电沉积 半导体 cdse纳米线
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CdSe纳米线阵列的制备及其表征(英文) 被引量：1
4
作者 杨文彬 卢忠远 +2 位作者 胡小平 李鸿波 张冰杰 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1619-1622,共4页
通过在含有SeSO32-和Cd2+的室温水溶液中,用模板-电沉积法在纳米孔阵列阳极氧化铝膜(AAM)模板中制备了高有序性的CdSe纳米线阵列,并对其形貌、结构和组分进行了表征。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果表明,纳米线阵列中的C... 通过在含有SeSO32-和Cd2+的室温水溶液中,用模板-电沉积法在纳米孔阵列阳极氧化铝膜(AAM)模板中制备了高有序性的CdSe纳米线阵列,并对其形貌、结构和组分进行了表征。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果表明,纳米线阵列中的CdSe纳米线具有相同的长度和直径,分别对应于使用的AAM模板的厚度和孔径;X-射线衍射(XRD)和X-射线能谱(EDAX)结果表明,CdSe纳米线中Cd和Se的化学组成非常接近于1∶1,其结构为立方CdSe。另外,对模板-电沉积法制备CdSe纳米线的机理进行了讨论。 展开更多
关键词 cdse纳米线阵列 阳极氧化铝膜 模板-电沉积 形貌 结构
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一维Co-CdSe异质结纳米线的磁耦合及双功能性研究
5
作者 申豪哲 苏轶坤 汤皎宁 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期3914-3918,共5页
利用多孔阳极氧化铝模板辅助法,在Co电解液和CdSe电解液的双槽体系中用直流电沉积法交替沉积合成一维多段Co-CdSe金属-半导体异质结纳米线。分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、振动样品磁强计(VSM)、紫外可见分光光度计(UV-... 利用多孔阳极氧化铝模板辅助法,在Co电解液和CdSe电解液的双槽体系中用直流电沉积法交替沉积合成一维多段Co-CdSe金属-半导体异质结纳米线。分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、振动样品磁强计(VSM)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)以及光致发光光谱仪(PL)对异质结纳米线的形貌、结构、磁学及光学特性进行表征。结果表明,Co-CdSe异质结纳米线分层明显,且同时以面心立方结构存在。Co-CdSe异质结纳米线拥有与单质金属Co纳米线相同的磁矫顽力,同时,异质结纳米线也表现优异的光学性能。 展开更多
关键词 电沉积 Co-cdse异质结纳米线 矫顽力
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