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题名紫外探测器用CdS晶片制备工艺研究
被引量：2
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作者
黄江平
何雯瑾
袁俊
王羽
李玉英
杨登全
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机构
昆明物理研究所
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出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2014年第6期446-450,456,共6页
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文摘
介绍了叠层紫外/红外双色探测器结构特点、工作原理及选择CdS晶体材料制作紫外探测器光敏元的理论依据。阐述了CdS晶片制备及表面抛光质量的重要性和必要性。针对磨抛工艺对CdS紫外探测器性能的影响进行了研究。对比了几种抛光液对晶片表面的抛光效果,并进行了扫描电镜、红外透过率和表面粗糙度分析,得到了抛光后晶片表面的扫描电子显微镜(SEM)照片和CdS晶片厚度与红外透过率的关系曲线及CdS晶片厚度与振动噪声的关系。通过理论和实践的结合,确定了最佳抛光材料及最佳晶片厚度,研制出了完全能满足紫外探测器工艺要求的CdS探测器晶片。
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关键词
紫外探测器
cds晶片
抛光
红外透过率
表面粗糙度
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Keywords
ultraviolet detector
cds wafer
polishing
infrared transmission
surface roughness
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分类号
TN23
[电子电信—物理电子学]
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题名CdS晶片化学机械抛光的表面粗糙度研究
被引量：1
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作者
李晖
徐世海
高飞
徐永宽
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2018年第10期931-935,共5页
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文摘
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响。通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于Cd S晶片Cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO_2浓度为20%,氧化剂NaClO的浓度为2.5%,pH值为10.64。在优化其他工艺条件下,采用该抛光液对CdS晶片Cd面进行抛光,可以获得高质量的抛光表面,经原子力显微镜(AFM)测试,在10mm×10mm的区域内,Cd面表面粗糙度Ra仅为0.171 nm。该抛光液也适用于S面的抛光,S面表面粗糙度Ra可达到0.568 nm,从而达到双面共用的效果。
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关键词
CMP
cds晶片
Cd面
抛光液
表面粗糙度
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Keywords
CMP
cds wafer
Cd surface
polishing slurry
surface roughness
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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