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钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算
被引量：
3
1
作者
陈俊
王希恩
+2 位作者
严非男
梁丽萍
耿滔
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期188-192,共5页
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低...
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型。Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关。
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关键词
模拟计算
cdmoo
4
晶体
GULP
本征点缺陷
下载PDF
职称材料
题名
钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算
被引量：
3
1
作者
陈俊
王希恩
严非男
梁丽萍
耿滔
机构
上海理工大学理学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期188-192,共5页
基金
国家自然科学基金(61008044)
文摘
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型。Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关。
关键词
模拟计算
cdmoo
4
晶体
GULP
本征点缺陷
Keywords
simulating calculation
cdmoo
4
crystal
GULP
intrinsic defect
分类号
O483 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算
陈俊
王希恩
严非男
梁丽萍
耿滔
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
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