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用纳米粉制备线性NTC敏感陶瓷材料
1
作者 王梦魁 王峻岳 《微纳电子技术》 CAS 2006年第4期177-180,189,共5页
重点研究了由CdO-SnO2-WO3系列(简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7,CdSnO3,CdWO4)结构线性敏感陶瓷的制备方法。给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd2Sb2O7和CdSnO3的... 重点研究了由CdO-SnO2-WO3系列(简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7,CdSnO3,CdWO4)结构线性敏感陶瓷的制备方法。给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd2Sb2O7和CdSnO3的导电机理和电阻-温度(R-T)曲线呈线性的机理,并对其他相关特性进行了分析和研究。独立地设计了用化学共沉淀方法制备上述NTC(负温度系数)陶瓷微粉的化学反应方程式,并对聚乙二醇和无水乙醇在制备纳米微粉时所起的防止颗粒发生团聚现象的作用进行了分析。由于大分子量的聚乙二醇几乎是无毒的,对人体基本无毒害作用,因而有广泛的推广价值。 展开更多
关键词 双基体三相结构 线性 共沉淀 cd2sb2o7 cdSno3
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研制Cd-Sb-W和Cd-Sn-W系列敏感陶瓷的新方法
2
作者 王梦魁 杨玉强 +1 位作者 刘文磊 刘连利 《微纳电子技术》 CAS 2005年第1期22-24,36,共4页
重点研究了由CdO-SnO_2-WO_3系列(简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb_2O_3-WO_3系列(简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd_2Sb_2O_7,CdSnO_3,CdWO_4)结构线性敏感陶瓷的制备方法。给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd_2Sb_2O_... 重点研究了由CdO-SnO_2-WO_3系列(简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb_2O_3-WO_3系列(简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd_2Sb_2O_7,CdSnO_3,CdWO_4)结构线性敏感陶瓷的制备方法。给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd_2Sb_2O_7和CdSnO_3的导电机理和电阻-温度(R-t)曲线呈线性的机理,并对其他相关特性进行了深入的分析和研究。 展开更多
关键词 双基体三相结构 线性 共沉淀 cd2sb2o7 cdSno3
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双基体线性敏感陶瓷材料的研究(英文)
3
作者 王梦魁 《微纳电子技术》 CAS 2002年第11期21-24,共4页
重点研究由CdO-SnO2-WO3系列(以下简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(以下简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7、CdSnO3、CdWO4)结构线性敏感陶瓷的制备方法。给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd2Sb2O7和Cd... 重点研究由CdO-SnO2-WO3系列(以下简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(以下简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7、CdSnO3、CdWO4)结构线性敏感陶瓷的制备方法。给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd2Sb2O7和CdSnO3的导电机理和电阻-温度(R-T)曲线呈线性的机理,并对其他特性进行了深入的分析和研究。 展开更多
关键词 双基体 线性敏感陶瓷材料 双基体三相结构 共沉淀 锡酸镉 镉锑钨三元化合物 锑酸镉
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关于Cd-Sb-W和Cd-Sn-W系列敏感陶瓷特性的研究
4
作者 王梦魁 刘文磊 +1 位作者 刘连利 杨玉强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期965-967,共3页
重点研究由CdO-SnO2-WO3系列(以下简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(以下简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7、CdSnO3、CdWO4)结构线性敏感陶瓷的制备方法.给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd2Sb2O7和CdS... 重点研究由CdO-SnO2-WO3系列(以下简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(以下简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7、CdSnO3、CdWO4)结构线性敏感陶瓷的制备方法.给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd2Sb2O7和CdSnO3的导电机理和电阻-温度(R-T)曲线呈线性的机理.并对其他相关特性进行了深入的分析和研究. 展开更多
关键词 双基体三相结构 线性 共沉淀 cd2sb2o7 cdSno3
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气敏半导体材料Cd_2Sb_2O_(6.8)的制备及其性能研究 被引量：1
5
作者 刘杏芹 刘亚飞 沈瑜生 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期837-842,共6页
采用化学共沉淀法，在较低温度（７５０℃）下制备了具有缺陷烧绿石结构的复合氧化物Ｃｄ２Ｓｂ２Ｏ６．８的纯相超微粉；研究了制备条件对物相、结构和气敏性能的影响，并对其反应过程机理进行了探讨．气敏性能测试结果表明，纯相Ｃｄ... 采用化学共沉淀法，在较低温度（７５０℃）下制备了具有缺陷烧绿石结构的复合氧化物Ｃｄ２Ｓｂ２Ｏ６．８的纯相超微粉；研究了制备条件对物相、结构和气敏性能的影响，并对其反应过程机理进行了探讨．气敏性能测试结果表明，纯相Ｃｄ２Ｓｂ２Ｏ６．８气敏元件对乙炔气体有较高的灵敏度和较好的选择性． 展开更多
关键词 缺陷烧绿石结构 气敏半导体 cd2sb2o6 乙炔
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Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷的结构分析
6
作者 张靖漓 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1989年第1期22-24,共3页
本文报道了对一种新合成的半导体陶瓷Cd_6Sb_2O_(10)进行X射线衍射分析的实验结果。利用图解法和解析法对衍射数据进行了分析和探讨。结果表明,Cd_6Sb_2O_(10)属于四方晶系,晶格常数a=0.9775nm,c=0.8798nm。
关键词 半导体陶瓷 cd6sb2o10 X射线衍射
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复合氧化物Cd_2Sb_2O_(7-x)的制备及其应用新进展 被引量：1
7
作者 刘亚飞 刘杏芹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期4-6,共3页
回顾了镉一锑复合氧化物的制备及其应用的进展情况，介绍了一种采用化学共沉淀制备具有缺陷烧绿石结构的Cd2Sb2Q7-x超微纯相粉的方法，并发现该法所得产物具有良好的气敏性能。
关键词 化学共沉淀 缺陷烧绿石结构 cd_2sb_2o_7-x 气敏性能
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新型锑酸镉电子陶瓷的合成与相变的研究
8
作者 张靖漓 李标荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期318-323,共6页
本文报道了对新型锑酸镉 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷进行热分析、化学分析和高温 X 射线衍射分析的实验结果,并对它的合成过程和相变进行了系统的分析讨论。结果表明,在以 CdO 和 Sb_2O_5为原料合成 Cd_6Sb_2O_(10)的过程中,温度效应比较显著... 本文报道了对新型锑酸镉 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷进行热分析、化学分析和高温 X 射线衍射分析的实验结果,并对它的合成过程和相变进行了系统的分析讨论。结果表明,在以 CdO 和 Sb_2O_5为原料合成 Cd_6Sb_2O_(10)的过程中,温度效应比较显著,反应从1000℃开始,到1200℃结束;Cd_6Sb_2O_(10)在240℃左右发生—结构相变,高温相具有较高的对称性,此相变是可逆的,而且与 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷在中温区的电导特性密切相关。 展开更多
关键词 锑酸镉 电子陶瓷 半导体陶瓷 相变
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