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反胶束法合成Cd_(1-x)Mn_xS量子点及其发光性能研究 被引量:4
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作者 庞起 郭必成 +4 位作者 王建农 杨世和 王玉琦 葛惟昆 龚孟濂 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1593-1596,共4页
应用反胶束法制备了稀磁半导体 Cd1 - x Mnx S量子点 .量子点的大小可通过改变ωo 值 ( wo=[水 ]/ [表面活性剂 ])来控制 .高分辨透射电镜的分析结果表明 ,量子点呈单分散性 ,是几乎没有缺陷的单晶体 .量子点的大小约为 4.8~ 6nm,随 wo... 应用反胶束法制备了稀磁半导体 Cd1 - x Mnx S量子点 .量子点的大小可通过改变ωo 值 ( wo=[水 ]/ [表面活性剂 ])来控制 .高分辨透射电镜的分析结果表明 ,量子点呈单分散性 ,是几乎没有缺陷的单晶体 .量子点的大小约为 4.8~ 6nm,随 wo 值增大而增大 .电子能谱 ( EDS)测定结果表明 ,Mn2 +离子在量子点中的摩尔分数为 1 .5 % .由电子自旋共振 ( ESR)分析确定一部分 Mn2 + 离子取代 Cd2 + 离子位置而位于晶格 ,另一部分 Mn2 +离子位于 Cd1 - x Mnx S的表面或间隙位置 .吸收光谱显示 ,随着量子点变小 ,吸收带边发生蓝移 ,显示明显的量子尺寸效应 .光致荧光光谱分析表明 ,发光峰属于 Mn2 + 的 4 T1 -6 A1 跃迁 ,而且随着ωo 和粒径的增大 ,发光峰从 2 .2 6,2 .1 0 ,2 .0 5 e V红移到 1 .88e V;其发光峰偏离 2 .1 2 e V,主要是由于 Mn2 + 离子位于扭曲的四面体晶体场所致 . 展开更多
关键词 量子点 稀磁半导体 cd1-xmnxs 反胶束 光致荧光
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Structural, Optical and Electrical Studies on Spray Deposited Manganese Doped Cadmium Sulphide Thin Films
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作者 Vijaya Mysore Gopalrao 《Journal of Electrical Engineering》 2014年第1期54-58,共5页
CdS (cadmium sulphide) thin films have been prepared on glass substrate at 400 ℃ using home built spray pyrolysis apparatus. Aqueous solutions of cadmium chloride and thiourea were used for the cadmium sulphide fil... CdS (cadmium sulphide) thin films have been prepared on glass substrate at 400 ℃ using home built spray pyrolysis apparatus. Aqueous solutions of cadmium chloride and thiourea were used for the cadmium sulphide films and different proportions by weight/volume of MnCl2·4H2O was used for doping Cd1-xMnxS (Mn onto cadmium sulphide) films. The films obtained are having continuous, smooth surface with good transmittance. The thickness of CdS film is of the order of 300 nm. Determination of the crystalline nature & calculation of average grain size have been done using XRD pattern. The effect of Mn on the surface morphology of CdS film has been studied by scanning electron microscopy. The optical band gap has been calculated using the data from transmission spectra. Resistance before and after doping with Mn is also presented in the paper. 展开更多
关键词 Spray pyrolysis cdS thin film cd1-xmnxs
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Cd1-xMnxS稀磁半导体纳米线的制备和研究
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作者 陈佩赓 孙玲伟 高有辉 《纳米科技》 2010年第5期42-45,共4页
采用多孔氧化铝模板,通过直流电化学沉积法成功制备出不同掺杂浓度的Cd1-xMnxS纳米线,用XRD、SEM、HRTEM对纳米线的成分、形貌、结构进行了系统分析,并用SQUID对样品进行了磁性测量,结果表明,制得的Cd1-xMnxS纳米线呈单晶CdS纤锌矿结构... 采用多孔氧化铝模板,通过直流电化学沉积法成功制备出不同掺杂浓度的Cd1-xMnxS纳米线,用XRD、SEM、HRTEM对纳米线的成分、形貌、结构进行了系统分析,并用SQUID对样品进行了磁性测量,结果表明,制得的Cd1-xMnxS纳米线呈单晶CdS纤锌矿结构,而且沿002方向有择优取向性,没有发现其它含Mn的化合物生成。从ZFC/FC曲线看出样品的居里温度接近于室温,且在低温处存在奇异现象。45K和300K下测量的的M-H曲线显示磁滞现象,测得的矫顽力分别是300Oe和100Oe,说明样品具有铁磁性。样品的紫外-可见光反射谱显示Cd1-xMnxS纳米线的吸收边并不随掺杂浓度x单调变化,而是随着掺杂量的增大能隙先减小后增大。掺杂度在1%处能隙有最小值。 展开更多
关键词 cd1-xmnxs纳米线 AAO模板 直流电化学沉积
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