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Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体 被引量：3
1
作者 李国强 谷智 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期95-97,99,共4页
　采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为φ30mm×130mm的Cd0.9Zn0.1Te晶锭。测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率。结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体... 　采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为φ30mm×130mm的Cd0.9Zn0.1Te晶锭。测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率。结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高。这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法。 展开更多
关键词 cd补偿垂直布里奇曼法 cd0.9zn0.1te晶体 EPD 红外透过率 电阻率 晶体生长
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Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究 被引量：1
2
作者 孙金池 刘正堂 +2 位作者 张兴刚 崔虎 李阳平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1189-1191,1195,共4页
采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能。讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的... 采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能。讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降。通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流。对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃。利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响。 展开更多
关键词 Cu/Ag导电薄膜 cd0.9zn0.1te晶体 接触 磁控溅射
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Cd0.9Zn0.1Te晶体中的In掺杂研究
3
作者 王涛 徐亚东 +3 位作者 刘伟华 曾冬梅 杨戈 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期230-232,共3页
采用电感耦合等离子质谱仪（ICP-MS）和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态,浓度测试结果表明，In的分凝特性受生长条件影响很大，沿晶体轴向有效分凝因数在0．19到0．5之间变化。对高电阻和低电阻In掺杂Cd0.9... 采用电感耦合等离子质谱仪（ICP-MS）和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态,浓度测试结果表明，In的分凝特性受生长条件影响很大，沿晶体轴向有效分凝因数在0．19到0．5之间变化。对高电阻和低电阻In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶体光致发光强度与温度依赖关系的研究表明，高电阻晶体D^0X峰存在两个热激活能2．8meV和21meV，低电阻晶体A^0X热激活能为3．4meV。分析认为In掺杂导致的自补偿效应是导致掺杂效率低下的原因。 展开更多
关键词 cd0.9zn0.1te晶体 In掺杂 自补偿 ICP-MS PL谱
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Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te低温Raman光谱中荧光背景的猝灭现象 被引量：1
4
作者 裴慧元 方家熊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期968-972,共5页
研究了Cd0 .96 Zn0 .0 4Te表面低温Raman散射光谱中的样品荧光背景随激光功率的变化行为 ,观察到了荧光的“猝灭”现象和同时伴随的声子峰红移 .分析表明样品荧光的“猝灭”现象与声子峰红移显示的表面结构变化有关 ,而激光对Cd0 .96 Zn... 研究了Cd0 .96 Zn0 .0 4Te表面低温Raman散射光谱中的样品荧光背景随激光功率的变化行为 ,观察到了荧光的“猝灭”现象和同时伴随的声子峰红移 .分析表明样品荧光的“猝灭”现象与声子峰红移显示的表面结构变化有关 ,而激光对Cd0 .96 Zn0 .0 4Te表面的加热是导致表面晶体结构变化的原因 . 展开更多
关键词 低温Raman散射光谱 cd0.96zn0.04te晶体 荧光背景 猝灭 激光 表面结构 声子峰红移
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坩埚旋转波形参数对晶体组分偏析影响的数值研究 被引量：2
5
作者 刘俊成 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期987-994,共8页
计算模拟了加速坩埚旋转技术Bridgman(ACRT—B)法生长cd0.96Zn0.04Te单晶体过程,研究了ACRT波形参数对固-液界面凹陷和晶体内组分偏析的影响.计算结果表明: ACRT波形参数的变化几乎不影响固-液界面前沿熔体中均一浓度场的形成.但是,波... 计算模拟了加速坩埚旋转技术Bridgman(ACRT—B)法生长cd0.96Zn0.04Te单晶体过程,研究了ACRT波形参数对固-液界面凹陷和晶体内组分偏析的影响.计算结果表明: ACRT波形参数的变化几乎不影响固-液界面前沿熔体中均一浓度场的形成.但是,波形参数能够显著改变固-液界面的凹陷和晶体内的组分偏析.波形参数不适当时,固-液界面的凹陷深度增加数倍,同时晶体组分的径向偏析也显著增加.波形参数不适当时,固-液界面的凹陷深度不增加或增加很少,晶体组分的径向偏析显著减小,直至为零.本工作所选择的各种波形参数下, ACRT均能明显增加晶体组分的轴向偏析. 展开更多
关键词 cd-zn-te晶体 组分偏析 数值模拟 传热传质 加速坩埚旋转技术
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