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Cd掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究 被引量:29
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作者 唐鑫 吕海峰 +2 位作者 马春雨 赵纪军 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1066-1072,共7页
采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨... 采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨道控制.随着掺杂浓度的增加,决定带隙宽度的CBM的位置下降,同时VBM的位置上升,从而导致了带隙的变窄,出现了红移现象.此外,Cd掺杂会使晶胞发生膨胀,这种张应变也是导致CdxZn1-xO禁带宽度变小的原因之一. 展开更多
关键词 密度泛函理论 电子结构 cd掺杂zno
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第一性原理研究Cd掺杂对ZnO电子结构与光学性质的影响 被引量:5
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作者 熊金龙 杨晓红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期3194-3200,共7页
采用第一性原理平面波超软赝势方法超软赝势方法,研究了Cd掺杂前后ZnO的电子结构以及光学性质。计算结果发现:Cd的掺入使得ZnO的电子结构发生了改变,晶胞变大,禁带宽度变窄。Cd掺杂使ZnO的光学性质也发生了变化,4.3eV处的介电峰增强并... 采用第一性原理平面波超软赝势方法超软赝势方法,研究了Cd掺杂前后ZnO的电子结构以及光学性质。计算结果发现:Cd的掺入使得ZnO的电子结构发生了改变,晶胞变大,禁带宽度变窄。Cd掺杂使ZnO的光学性质也发生了变化,4.3eV处的介电峰增强并发生红移,12.9eV处的介电峰减弱,对紫外光吸收作用增强。 展开更多
关键词 cd掺杂zno 电子结构 光学性质
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脉冲激光沉积法制备Zn_(1-x)Cd_xO薄膜及结构和光学性能研究 被引量:2
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作者 邢伯阳 牛世峰 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2011年第4期94-96,117,共4页
采用脉冲沉积(PLD)法在石英玻璃衬底上制备了Zn1-xCdxO薄膜,X射线衍射仪(XRD)结果表明,所制备的Zn1-xCdxO薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且薄膜具有沿着(002)晶面择优取向生长特征,随着Cd掺杂浓度(x)的增加,衍射峰(002)向小角度方... 采用脉冲沉积(PLD)法在石英玻璃衬底上制备了Zn1-xCdxO薄膜,X射线衍射仪(XRD)结果表明,所制备的Zn1-xCdxO薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且薄膜具有沿着(002)晶面择优取向生长特征,随着Cd掺杂浓度(x)的增加,衍射峰(002)向小角度方向移动,晶格常数增加。光致发光光谱表明Zn1-xCdxO薄膜随着Cd的掺杂浓度的增加使光学带隙逐渐变窄了,且控制掺入量就可以实现ZnO薄膜禁带宽度在一定范围内连续可调。 展开更多
关键词 cd掺杂zno 光学性能 红移
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纤锌矿Cd_xZn_(1-x)O电子结构的第一性原理研究
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作者 赵冬秋 刁先锋 +3 位作者 王桂丽 邱国莉 黄晓伟 李蕴才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期7814-7821,共8页
采用第一性原理的平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO及不同量Cd掺杂ZnO的电子结构.计算结果表明,Cd的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度变窄.主要原因在于Cd的掺入导致Zn4s轨道中能级越来越低的电子参与作用,使得决定导带底的反键Zn4s态能级... 采用第一性原理的平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO及不同量Cd掺杂ZnO的电子结构.计算结果表明,Cd的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度变窄.主要原因在于Cd的掺入导致Zn4s轨道中能级越来越低的电子参与作用,使得决定导带底的反键Zn4s态能级逐渐降低,同时由pd反键轨道控制的价带顶能级逐渐升高. 展开更多
关键词 密度泛函理论 超软赁势方法 cd掺杂zno
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