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CdMoO_4:W^(6+)晶体电子结构的模拟计算研究
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作者 严非男 王希恩 陈俊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期3079-3082,共4页
采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO_4:W^(6+)晶体的电子结构。计算结果显示,在CdMoO_4:W^(6+)晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO_4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25e V)的发射带与晶体中的钨类施... 采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO_4:W^(6+)晶体的电子结构。计算结果显示,在CdMoO_4:W^(6+)晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO_4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25e V)的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO_4晶体在500~600 nm区间的发射带的起源。 展开更多
关键词 cdmoo4:w6+晶体 DV-Xα 发射带
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