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980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺
被引量：
1
1
作者
乔闯
苏瑞巩
+5 位作者
房丹
唐吉龙
方铉
王登魁
张宝顺
魏志鹏
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期13-19,共7页
为了解决半导体激光器传统刻蚀工艺中侧壁陡直度差和器件难以重复制作的问题,利用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的刻蚀手段,对980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺进行优化.通过对台面粗糙度与刻蚀速度的研究,确定湿法腐蚀液和浓度配比的差异.并...
为了解决半导体激光器传统刻蚀工艺中侧壁陡直度差和器件难以重复制作的问题,利用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的刻蚀手段,对980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺进行优化.通过对台面粗糙度与刻蚀速度的研究,确定湿法腐蚀液和浓度配比的差异.并分析电感耦合等离子刻蚀对脊波导与腔破坏凹槽表面形貌的影响.研究结果表明,选择配比为NH_3·H_2O∶H_2O_2∶H_2O=1∶1∶50的腐蚀液进行湿法腐蚀,刻蚀速率约为7nm/s,速率容易控制.且样品表面具有较好的粗糙度和均匀性,利用电感耦合等离子刻蚀得到的脊波导与腔破坏凹槽侧壁陡直度良好,没有出现横向钻蚀的情况.
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关键词
锥形半导体激光器
陡直度
刻蚀工艺
脊波导
腔破坏凹槽
下载PDF
职称材料
题名
980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺
被引量：
1
1
作者
乔闯
苏瑞巩
房丹
唐吉龙
方铉
王登魁
张宝顺
魏志鹏
机构
长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期13-19,共7页
基金
国家自然科学基金(No.61504012)
吉林省科技厅中青年科技创新领军人才及团队项目(No.20160519007JH)
+1 种基金
吉林省优秀青年人才基金项目(No.20170520117JH)
吉林省自然科学基金项目(No.20160101255JC)~~
文摘
为了解决半导体激光器传统刻蚀工艺中侧壁陡直度差和器件难以重复制作的问题,利用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的刻蚀手段,对980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺进行优化.通过对台面粗糙度与刻蚀速度的研究,确定湿法腐蚀液和浓度配比的差异.并分析电感耦合等离子刻蚀对脊波导与腔破坏凹槽表面形貌的影响.研究结果表明,选择配比为NH_3·H_2O∶H_2O_2∶H_2O=1∶1∶50的腐蚀液进行湿法腐蚀,刻蚀速率约为7nm/s,速率容易控制.且样品表面具有较好的粗糙度和均匀性,利用电感耦合等离子刻蚀得到的脊波导与腔破坏凹槽侧壁陡直度良好,没有出现横向钻蚀的情况.
关键词
锥形半导体激光器
陡直度
刻蚀工艺
脊波导
腔破坏凹槽
Keywords
Tapered
semiconductor
laser
Steepness
Etching
process
Ridge
waveguide
cavity
failure
groove
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TN365
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺
乔闯
苏瑞巩
房丹
唐吉龙
方铉
王登魁
张宝顺
魏志鹏
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
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