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毫米波自动对准系统方位角的优化与实现
1
作者 周勇 吴艳 杨峥 《科技视界》 2018年第1期21-22,共2页
本文介绍了云台天线自动对准原理,及其系统中参考方位角的作用与意义。对方位角进行了算法实现和C语言编程,并对该方位角在几个象限特殊值处存的计算缺陷,进行了算法上的优化,解决了几个特殊值导致云台天线大幅摇摆,对准错误的情况,进... 本文介绍了云台天线自动对准原理,及其系统中参考方位角的作用与意义。对方位角进行了算法实现和C语言编程,并对该方位角在几个象限特殊值处存的计算缺陷,进行了算法上的优化,解决了几个特殊值导致云台天线大幅摇摆,对准错误的情况,进一步完善了云台天线自动对准系统。 展开更多
关键词 云台天线自动对准 参考方位角 算法实现 计算缺陷
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铬族金属氢化物中M-H键键能的从头计算 被引量：5
2
作者 唐诗雅 傅尧 郭庆祥 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第18期1923-1929,共7页
铬族金属氢化物M—H键的均裂是在自由基环化反应中的关键过程,它直接影响反应的催化效率和选择性.使用理论方法精确预测铬族金属氢化物M—H键键能不仅有助于了解这类催化剂的结构与性能关系,而且对进一步发展高效的自由基环化反应催化... 铬族金属氢化物M—H键的均裂是在自由基环化反应中的关键过程,它直接影响反应的催化效率和选择性.使用理论方法精确预测铬族金属氢化物M—H键键能不仅有助于了解这类催化剂的结构与性能关系,而且对进一步发展高效的自由基环化反应催化剂具有重要的指导意义.为达此目的,我们使用不同的理论方法计算14个有可靠实验值的铬族金属氢化物M—H键键能,通过比较发现B3P86/lanl2dz+p方法表现最佳(计算精度为1.6 kcal/mol).之后我们运用这个理论方法系统地研究了铬族金属氢化物M—H键键能的构效关系.就周期性规律而言,在铬族金属氢化物中,金属对于M—H键能的影响大于配体的影响.M—H键键裂解能的大小顺序为:铬氢络合物<钼氢络合物<钨氢络合物.此外,我们发现含双茂配体的铬氢化合物中Cr—H键键能与伸缩振动频率呈良好的线性相关.有趣的是,在含双茂配体的铬族金属氢化物中,M—H键能与键长呈现出良好的正线性相关性.即"键长越小,键能越弱".通过自然成键轨道分析,这可能是因为杂化缺失造成原子半径收缩程度比成键变弱引起的扩张程度大. 展开更多
关键词 过渡金属氢化物 键能 从头算 杂化缺失
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二维g-AlN材料中n型掺杂探索:基于第一性原理的带电缺陷计算 被引量：2
3
作者 刘雪飞 吕兵 +1 位作者 肖文君 罗子江 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2021年第5期165-172,共8页
电荷转移能级和缺陷形成能的计算对探索半导体材料的n型和p型掺杂效率具有重要的指导意义.基于第一性原理方法,结合二维带电缺陷计算理论,系统计算了二维氮化铝中四种(C_(Al),Si_(Al),Ge_(Al),Sn_(Al))可能的n型掺杂体系的结构、磁学、... 电荷转移能级和缺陷形成能的计算对探索半导体材料的n型和p型掺杂效率具有重要的指导意义.基于第一性原理方法,结合二维带电缺陷计算理论,系统计算了二维氮化铝中四种(C_(Al),Si_(Al),Ge_(Al),Sn_(Al))可能的n型掺杂体系的结构、磁学、电学以及缺陷性质.结果表明,四种体系的最稳定价态均为+1价和0价,Sn_(Al)具有较深的施主能级,不具备为二维g-AlN提供n型载流子的条件,而C_(Al),Si_(Al),Ge_(Al)表现为浅能级施主特性,均能在一定条件下成为理想的施主杂质,其中Si_(Al)具有最浅的施主特性以及最低的缺陷形成能,因而是二维g-AlN中实现n型掺杂的首选掺杂剂.另外,在p型二维g-AlN中,四种掺杂原子都会成为有效的空穴捕获中心,严重降低p型载流子导电率.研究数据将会为实验上实现二维g-AlN n型掺杂提供理论解释和指导. 展开更多
关键词 二维g-AlN 第一性原理 带电缺陷计算
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二维h-BN材料p型可掺杂性研究 被引量：1
4
作者 肖文君 刘天运 +1 位作者 刘雪飞 罗子江 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期10161-10167,共7页
掺杂对提高半导体材料的载流子浓度,改善半导体器件性能具有关键意义。理论上,通过计算带电缺陷形成能和电荷转移能级可以预测半导体材料中的p型掺杂是否容易实现。本文基于广义梯度近似理论,利用第一性原理方法,结合二维带电缺陷校正技... 掺杂对提高半导体材料的载流子浓度,改善半导体器件性能具有关键意义。理论上,通过计算带电缺陷形成能和电荷转移能级可以预测半导体材料中的p型掺杂是否容易实现。本文基于广义梯度近似理论,利用第一性原理方法,结合二维带电缺陷校正技术,并使用维也纳第一性原理计算软件(VASP)系统计算了二维六方氮化硼(h-BN)中的几种掺杂体系,包括X B体系(X=Be,Mg,Ca,Sr)和Y N体系(Y=C,Si,Ge)共7种潜在的p型掺杂体系的缺陷性质。计算结果表明,SiN缺陷的受主离子化能为0.8 eV,表现为准浅能级受主,而其它6种缺陷均为深能级受主,无法为h-BN提供有效p型载流子。SiN具有较高的缺陷形成能,因而只能靠离子注入等非平衡方式掺入到h-BN中。 展开更多
关键词 二维h-BN 第一性原理 密度泛函理论 带电缺陷计算 电荷转移能级 P型掺杂 缺陷形成能
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基于双脉冲特征的滚动轴承缺陷尺寸估计方法 被引量：1
5
作者 剡昌锋 赵伟坤 +2 位作者 孟佳东 王文斌 吴黎晓 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2021年第2期39-47,共9页
根据提取的滚动轴承特征信号实现对故障缺陷尺寸的准确估计,提出了一种基于双脉冲特征的滚动轴承缺陷尺寸估计方法.采用AR模型对采集到的振动信号进行预白化处理,对预白化处理后的信号进行VMD分解,得到一系列固有模态函数.根据峭度值和... 根据提取的滚动轴承特征信号实现对故障缺陷尺寸的准确估计,提出了一种基于双脉冲特征的滚动轴承缺陷尺寸估计方法.采用AR模型对采集到的振动信号进行预白化处理,对预白化处理后的信号进行VMD分解,得到一系列固有模态函数.根据峭度值和互信息最大,分别选取包含有阶跃成分与冲击成分的分量,并采用平方包络增强信号的特征.根据双脉冲特征,确定滚动体进入和退出缺陷时所对应的时间,提出了故障轴承的缺陷尺寸估计方法.研究了转速和缺陷尺寸对该方法精度的影响,分析了造成误差的原因.通过实验验证该提取方法的有效性,经过估计得到的缺陷尺寸误差在5%以内,验证了该缺陷尺寸估计方法具有较高的精度. 展开更多
关键词 双脉冲 滚动轴承 缺陷尺寸估计 变分模态分解
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