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溅射Ga_2O_3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法制备GaN薄膜 被引量：1
1
作者 伊长虹 孙振翠 +3 位作者 刘玫 张庆刚 满宝元 薛成山 《山东师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第4期55-57,共3页
用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜,用X射线衍射图谱(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN薄膜的结构和形貌进行分析,结果表明,采用两种方法在两种衬底上均可制备出结晶较好的CaN薄膜,但硅衬底上... 用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜,用X射线衍射图谱(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN薄膜的结构和形貌进行分析,结果表明,采用两种方法在两种衬底上均可制备出结晶较好的CaN薄膜,但硅衬底上制备的GaN薄膜的晶粒明显大于在蓝宝石衬底上制备的GaN薄膜的晶粒,进一步表明硅基溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜晶化程度较高. 展开更多
关键词 溅射Ga2O3反应自组装 脉冲激光沉积(PLD) can薄膜
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