采用第一性原理贋势平面波方法对（110）应变下立方相Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）能带结构、光学性质的影响.计算结果表明：在92%～100%压应变范围内随着应...采用第一性原理贋势平面波方法对（110）应变下立方相Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）能带结构、光学性质的影响.计算结果表明：在92%～100%压应变范围内随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动,价带向高能方向移动,带隙呈线性逐渐减小,但始终为直接带隙;在100%～102%张应变范围内随着应变的增加,带隙呈逐渐增大,应变达到102%直接带隙最大Eg=0.54378 e V;在102%～104%应变范围内随着应变的增加,带隙逐渐减小;当应变大于104%带隙变为间接带隙且带隙随着应变增大而减小.施加应变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的介电常数、折射率均增大;施加压应变吸收系数增加,反射率减小;施加张应变吸收系数减小,反射率增加.综上所述,应变可以改变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的电子结构和光学常数,是调节Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）光电传输性能的有效手段.展开更多
文摘采用第一性原理贋势平面波方法对（110）应变下立方相Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）能带结构、光学性质的影响.计算结果表明：在92%～100%压应变范围内随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动,价带向高能方向移动,带隙呈线性逐渐减小,但始终为直接带隙;在100%～102%张应变范围内随着应变的增加,带隙呈逐渐增大,应变达到102%直接带隙最大Eg=0.54378 e V;在102%～104%应变范围内随着应变的增加,带隙逐渐减小;当应变大于104%带隙变为间接带隙且带隙随着应变增大而减小.施加应变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的介电常数、折射率均增大;施加压应变吸收系数增加,反射率减小;施加张应变吸收系数减小,反射率增加.综上所述,应变可以改变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的电子结构和光学常数,是调节Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）光电传输性能的有效手段.
