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空心微珠表面改性及其吸波特性 被引量：29
1
作者 唐耿平 程海峰 +2 位作者 赵建峰 楚增勇 周永江 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期11-12,35,共3页
通过CVD方法在空心微珠表面进行金属化改性,用扫描电镜对空心微珠表面镀铁的微观形貌和成分进行了观察、测定,结果表明铁较均匀附着在微珠的表面.分别将改性前后的空心微珠制备成吸波材料,测试其吸波性能.测试结果表明,改性后的空心微... 通过CVD方法在空心微珠表面进行金属化改性,用扫描电镜对空心微珠表面镀铁的微观形貌和成分进行了观察、测定,结果表明铁较均匀附着在微珠的表面.分别将改性前后的空心微珠制备成吸波材料,测试其吸波性能.测试结果表明,改性后的空心微珠具有较好的吸波性能.在8～18GHz扫频测试范围内,小于-10dB的频段范围在17.2～18GHz,最大吸收可达-11.27dB,对应的频率为18GHz.空心微珠的表面改性为其再利用找到有效的途径. 展开更多
关键词 空心微珠 cvd法 铁涂层 吸波性能
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裂解温度、裂解时间和原料气流量对CVD法生产碳纳米管的影响 被引量：19
2
作者 贾志杰 马仁志 +2 位作者 梁吉 魏秉庆 吴德海 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第2期16-20,共5页
用ＣＶＤ法生产碳纳米管时，裂解温度、裂解时间和原料气流量大小对碳纳米管的产率、形态有很大影响，其中以裂解温度的影响最大。适宜的裂解温度、裂解时间和原料气流量有利于提高碳纳米管的产率和产量。在一定范围内提高裂解温度。
关键词 碳 纳米管 裂解温度 裂解时间 原料气 cvd法
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纳米碳纤维的批量制备和应用 被引量：19
3
作者 张勇 唐元洪 +1 位作者 裴立宅 郭池 《高科技纤维与应用》 CAS 2005年第2期20-25,共6页
纳米碳纤维具有优异的物理和化学特性,在复合材料、电子器件、储氢等领域极具应用价值,批量制备低成本的纳米碳纤维是应用的关键。介绍了纳米碳纤维批量制备的方法,并对纳米碳纤维的应用和市场前景进行了评述。
关键词 纳米碳纤维 静电纺丝法 制备方法 cvd法 催化剂 过滤器 高压电源
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CVD法制备单壁碳纳米管的纯化与表征 被引量：9
4
作者 邹红玲 杨延莲 +4 位作者 武斌 卿泉 李清文 张锦 刘忠范 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第5期409-413,共5页
针对CVD法合成的单壁碳纳米管的特点提出了较为有效的纯化方法,并对纯化后碳管的存在形式进行了表征.结果表明,CVD法制备的单壁碳纳米管中所含的载体和催化剂绝大部分可以通过盐酸除去.在表面活性剂溶液中超声分散碳纳米管,可以使管与... 针对CVD法合成的单壁碳纳米管的特点提出了较为有效的纯化方法,并对纯化后碳管的存在形式进行了表征.结果表明,CVD法制备的单壁碳纳米管中所含的载体和催化剂绝大部分可以通过盐酸除去.在表面活性剂溶液中超声分散碳纳米管,可以使管与无定形碳及石墨状碎片进行有效的剥离.空气加热氧化法和稀硝酸回流法可有效地去除碳杂质,稀硝酸回流可以在纯化的同时对管的末端及侧壁进行功能化. 展开更多
关键词 cvd法 单壁碳纳米管 化学气相沉积 纯化 表征
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梯度功能材料的制造方法及应用 被引量：22
5
作者 解念锁 《陕西工学院学报》 2002年第2期4-7,共4页
梯度功能材料是组分和结构呈连续变化的先进材料 ,由于它具有优异的性能和特殊的功能 ,使其填补了合金化材料和复合材料应用领域的空白 ,具有广阔的应用前景。本文详细叙述了梯度功能材料的设计思想和制造方法 ,论述了梯度功能材料的应... 梯度功能材料是组分和结构呈连续变化的先进材料 ,由于它具有优异的性能和特殊的功能 ,使其填补了合金化材料和复合材料应用领域的空白 ,具有广阔的应用前景。本文详细叙述了梯度功能材料的设计思想和制造方法 ,论述了梯度功能材料的应用领域及其研究现状。 展开更多
关键词 梯度功能材料 制造方法 应用 显微组织 逆设计系统 PVD法 cvd法
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CVD法制备碳纳米管的TG-DTA研究——温度对CVD法制备碳纳米管的影响 被引量：18
6
作者 吕德义 徐丽萍 +1 位作者 徐铸德 葛忠华 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第2期118-122,共5页
基于碳纳米管粗产品中无定形碳和不同直径碳纳米管对氧的反应活性的差异 ,通过差热 -热重 (TG DTA)方法 ,结合透射电镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)的测试结果 ,研究了合成温度对以乙炔气体为碳源 ,用CVD法制备碳纳米管的石墨化程度、碳纳... 基于碳纳米管粗产品中无定形碳和不同直径碳纳米管对氧的反应活性的差异 ,通过差热 -热重 (TG DTA)方法 ,结合透射电镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)的测试结果 ,研究了合成温度对以乙炔气体为碳源 ,用CVD法制备碳纳米管的石墨化程度、碳纳米管直径以及直径分布的影响 .结果表明 :反应中 ,由于催化剂Co/SiO2中活性组分 (Co)微晶随合成温度的升高而增大 ,导致所制备的碳纳米管的直径增大 ,从 2 0～ 30nm (6 5 0℃ )增加到 30～ 5 0nm (75 0℃ ) .碳纳米管的石墨化程度随着反应温度的升高而增加 .XRD实验结果还表明 ,当合成温度从 6 5 0℃增加到 85 0℃时 ,2θ值从 2 5 .8°增加到 2 6 .8°,(0 0 2 )晶面的层间距从 3.45 减小到 3.32 ,即随着合成温度的升高 ,碳纳米管 (0 0 2 )晶面的层间距减小 .通过DTA放热峰的峰温和半峰宽的分析得出 ,无定形碳的放热峰峰温Tp<380℃ ,其含量随着温度的升高而减小 .碳纳米管的DTA放热峰的峰温Tp 随着碳纳米管的直径和石墨化的程度的增加而升高 ,半峰宽随着碳纳米管的直径的分布范围增大而增宽 .低温 (6 5 0℃ )有利于生成直径小且均匀的多层碳纳米管 (2 0～ 30nm) ,而高温 (大于 75 0℃ )则有利于生成直径大的多层碳纳米管 (大于 30～5 0nm) . 展开更多
关键词 制备 TG-DTA 温度 差热-热重分析 碳纳米管 cvd法 化学气相沉积
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CVD法与PCVD法TiN薄膜研究 被引量：17
7
作者 刘齐成 刘培英 +1 位作者 陶冶 刘利 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期22-25,共4页
用等离子体增强化学气相沉积 (PCVD)法和化学气相沉积 (CVD)法分别制备 Ti N系薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能 ,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能。研究表明 :... 用等离子体增强化学气相沉积 (PCVD)法和化学气相沉积 (CVD)法分别制备 Ti N系薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能 ,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能。研究表明 :PCVD法 Ti N系薄膜的微观组织形态明显优于同类的 CVD法薄膜 ,PCVD法薄膜晶粒尺寸细小、均匀 ,形态圆整 ,组织致密 ;CVD法薄膜晶粒形态为多边形 ,尺寸较粗大、不均匀 ,组织致密性差 ;PCVD法 Ti N系薄膜的韧性和结合力等力学性能可达到或优于同类 CVD法薄膜 ;虽然 PCVD法薄膜的氯含量 (约为 2 % )远高于 CVD法薄膜 (约为 0 .5 % ) ,但 PCVD法薄膜的耐蚀性能却明显优于 CVD法薄膜。还研究分析了 PCVD法和CVD法成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理。 展开更多
关键词 cvd法 Pcvd法 金属材料 氮化钛薄膜 表面防护
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锂离子电池硬碳负极材料研究进展 被引量：13
8
作者 孙颢 蒲薇华 +3 位作者 何向明 李建军 姜长印 万春荣 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期7-10,共4页
硬碳具有嵌锂容量大,造价低,循环寿命长等优点,是制备高安全性锂离子电池负极潜在的优良材料。介绍了硬碳材料的结构、特性及其用途,并综述了硬碳材料改性的研究发展。
关键词 锂离子电池 硬碳 负极材料 改性处理 循环性能 嵌锂容量 储锂机理 cvd法
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线形同轴耦合式微波等离子体CVD法制备金刚石薄膜 被引量：13
9
作者 杨志威 陈立民 +4 位作者 耿春雷 唐伟忠 吕反修 苗晋琦 赵中琴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期432-435,共4页
线形同轴耦合式微波等离子体CVD装置是一种利用微波天线产生轴向分布的等离子体柱的新型微波等离子体CVD装置。由于它产生的等离子体是沿微波天线分布的 ,因而可避免石英管式、石英钟罩式以及不锈钢谐振腔式微波等离子体CVD装置中等离... 线形同轴耦合式微波等离子体CVD装置是一种利用微波天线产生轴向分布的等离子体柱的新型微波等离子体CVD装置。由于它产生的等离子体是沿微波天线分布的 ,因而可避免石英管式、石英钟罩式以及不锈钢谐振腔式微波等离子体CVD装置中等离子体的分布容易受到金属工件位置干扰的缺点。本文将首先讨论线形同轴耦合式微波等离子体CVD装置的工作原理 ,其后介绍利用此装置进行的金刚石薄膜沉积实验的初步结果。实验结果表明 ,利用线形同轴耦合式微波等离子体CVD装置 。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 制备方法 线形同轴耦合 微波等离子体 cvd法 化学气相沉积技术
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人造大单晶金刚石的合成技术进展及主要应用 被引量：12
10
作者 王裕昌 《超硬材料工程》 CAS 2008年第6期28-32,共5页
随着宝石级金刚石合成技术的不断进步,最好的人造金刚石其品级已经超过了天然金刚石。文章简单介绍了大单晶金刚石高温高压合成技术和CVD合成技术近年来的进展,大单晶金刚石的主要应用以及市场前景。
关键词 大单晶金刚石 高温高压合成 cvd法 综述 温度梯度法
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利用无水乙醇分解制备碳纳米管 被引量：11
11
作者 朱海滨 李振华 +3 位作者 刘子阳 王凤飞 王新庆 王淼 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第2期191-193,共3页
利用CVD法高温分解无水乙醇,以分子筛(合成皂石)基体上的Fe颗粒为催化剂,制备出了管壁更薄、端部为开口结构的碳纳米管.本实验制备出的碳纳米管,相对于传统CVD方法制备出的碳纳米管,在实验条件控制稳定的情况下,管壁较直、缺陷较少、管... 利用CVD法高温分解无水乙醇,以分子筛(合成皂石)基体上的Fe颗粒为催化剂,制备出了管壁更薄、端部为开口结构的碳纳米管.本实验制备出的碳纳米管,相对于传统CVD方法制备出的碳纳米管,在实验条件控制稳定的情况下,管壁较直、缺陷较少、管内径较大.具有这样结构的碳纳米管在储氢等方面应具备更为优良的效果,从而有着潜在的应用前景. 展开更多
关键词 无水乙醇 碳纳米管 制备 分子筛 铁催化剂 cvd法 化学催化热分解
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CVD法生长ZnSe的工艺分析 被引量：9
12
作者 王向阳 方珍意 +2 位作者 蔡以超 张力强 肖红涛 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期235-237,共3页
采用单质Se为原料(Zn Se H2 Ar体系)来生长CVDZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响。这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量。对这些工艺参数进行调整和精... 采用单质Se为原料(Zn Se H2 Ar体系)来生长CVDZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响。这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量。对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnSe生长形态,生长出了质量良好的ZnSe多晶体,透过率超过70%。 展开更多
关键词 cvd法 ZNSE 温度 压力 透过率 化学气相沉积 光学吸收系数
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催化剂中Cu含量对CVD法制备碳纳米管的影响 被引量：7
13
作者 王常青 孙清 +1 位作者 张惠良 沈俭一 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第6期657-662,共6页
本文以溶胶-凝胶法制备了以铜为助剂的Ni/MgO催化剂,X-射线衍射(XRD)表明,经400℃氢气处理,催化剂中只有部分镍被还原,原因是NiO和MgO间存在强相互作用,形成固溶体.XRD和程序升温还原(TPR)表明,加入铜促进了镍的还原.CO 化学吸附得出,... 本文以溶胶-凝胶法制备了以铜为助剂的Ni/MgO催化剂,X-射线衍射(XRD)表明,经400℃氢气处理,催化剂中只有部分镍被还原,原因是NiO和MgO间存在强相互作用,形成固溶体.XRD和程序升温还原(TPR)表明,加入铜促进了镍的还原.CO 化学吸附得出,随着催化剂中铜含量的增加,还原后催化剂表面镍原子数目增多,因此,催化剂的活性和反应寿命增加,C2H4裂解生成碳纳米管(CNT)的产率随之增加;但是,铜含量过高会引起催化剂表面镍颗粒增大,导致产物中纳米碳纤维(CNF)量增多,CNT量减少.对于约50%Ni/MgO催化剂,铜的最佳含量为4%～6%,此时得到的CNT产率最高,达36 g·g-1,质量较好(纯度高、管径均匀、石墨化程度高). 展开更多
关键词 催化剂 CU cvd法 碳纳米管 溶胶-凝胶法 镍 活性 碳纤维
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碳包覆磁性金属纳米粒子的制备及表征 被引量：8
14
作者 刘静 雷中兴 +3 位作者 李平和 左小华 林希峰 李轩科 《武汉科技大学学报》 CAS 2003年第2期123-125,共3页
以含Fe,Co的SiO2气凝胶为催化剂,采用CVD法高温气相催化裂解甲烷的方法合成了碳包覆铁钴磁性纳米粒子,并用透射电子显微镜、X射线衍射仪等对材料的形貌、相结构进行了表征,采用振动样品磁强计对其静态磁性进行了测试。结果表明,碳包覆Fe... 以含Fe,Co的SiO2气凝胶为催化剂,采用CVD法高温气相催化裂解甲烷的方法合成了碳包覆铁钴磁性纳米粒子,并用透射电子显微镜、X射线衍射仪等对材料的形貌、相结构进行了表征,采用振动样品磁强计对其静态磁性进行了测试。结果表明,碳包覆Fe/Co磁性纳米粒子,主要呈球形和椭球形,其包覆层为20层左右的石墨层,另有少量粒子被纳米碳管包覆,位于纳米碳管顶端。其饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc分别为146. 展开更多
关键词 cvd法 碳包覆材料 高分辨像
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金刚石涂层超精加工车刀的研制 被引量：10
15
作者 杨巧勤 赵立华 +1 位作者 李绍禄 杜海清 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期491-494,共4页
使用热丝ＣＶＤ法研究了金刚石涂层生长速度、晶粒大小和结合强度与生长工艺参数的关系．在此研究基础上，选择氮化硅材料作为刀具基底材料，并优化生长工艺参数，使热丝ＣＶＤ法生长金刚石膜的速度提高到２０μｍ／ｈ，膜层平均晶粒度... 使用热丝ＣＶＤ法研究了金刚石涂层生长速度、晶粒大小和结合强度与生长工艺参数的关系．在此研究基础上，选择氮化硅材料作为刀具基底材料，并优化生长工艺参数，使热丝ＣＶＤ法生长金刚石膜的速度提高到２０μｍ／ｈ，膜层平均晶粒度＜１μｍ，划痕临界载荷达到了５０Ｎ．然后进行内应力消除及机械研磨、抛光，这样制成的超精加工刀具用来加工铝合金部件．被加工件的表面不平度＜０．１μｍ，光洁度达到了１２，加工光洁度与寿命达到了单晶金刚石刀具的水平． 展开更多
关键词 金刚石涂层 超精加工 车刀 cvd法
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Fe-Mo/MgO催化剂CVD法制备碳纳米管 被引量：7
16
作者 王红娟 彭峰 +2 位作者 黎志欣 朱汉才 邝志敏 《化学反应工程与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期76-80,共5页
研究了Fe-Mo/MgO催化剂裂解乙炔制备碳纳米管的反应条件。结果表明,反应气氛对碳纳米管的生长具有明显的影响,在H2或Ar气氛下,所得碳纳米管的质量较差,而在N2-H2(1:1体积比)和Ar-H2(5.5:1体积比)气氛下乙炔裂解可制得纯度好、收率较高... 研究了Fe-Mo/MgO催化剂裂解乙炔制备碳纳米管的反应条件。结果表明,反应气氛对碳纳米管的生长具有明显的影响,在H2或Ar气氛下,所得碳纳米管的质量较差,而在N2-H2(1:1体积比)和Ar-H2(5.5:1体积比)气氛下乙炔裂解可制得纯度好、收率较高的碳纳米管。电镜观察发现在Ar-H2气氛下所制备碳纳米管的直径(平均直径为18nm)明显小于在N2-H2气氛下所制备碳纳米管(平均直径为30nm),这便于通过反应气氛的调节来控制碳纳米管的直径。用Fe-Mo/MgO做催化剂、乙炔为碳源,Ar-H2反应气氛下,850℃左右、反应30min所得碳纳米管的质量、产率最佳。 展开更多
关键词 碳纳米管 催化剂 MGO 制备 cvd法 反应气氛 平均直径 反应条件 电镜观察 体积比 乙炔 裂解 质量 收率 碳源
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SiC_f/SiC陶瓷复合材料的研究进展 被引量：6
17
作者 邹世钦 张长瑞 +1 位作者 周新贵 曹英斌 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第8期95-100,共6页
SiCf/SiC陶瓷复合材料具有良好的力学性能、高温抗氧化性和化学稳定性 ,是航空航天和原子能等领域理想的新一代高温结构材料。本文概述了增强体SiCf 的发展状况及存在的问题 ,对SiCf/SiC材料的制备工艺、界面相的研究状态、材料的损伤... SiCf/SiC陶瓷复合材料具有良好的力学性能、高温抗氧化性和化学稳定性 ,是航空航天和原子能等领域理想的新一代高温结构材料。本文概述了增强体SiCf 的发展状况及存在的问题 ,对SiCf/SiC材料的制备工艺、界面相的研究状态、材料的损伤破坏机理和目前的应用研究进展做了综述 ,并分析了SiCf/SiC陶瓷复合材料的研究重点和发展前景。 展开更多
关键词 锎化硅 碳化硅纤维 陶瓷基复合材料 制备工艺 先驱体转化法 cvd法 烧结 化学气相渗透 材料损伤 界面层
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氮化硼球形纳米粒子的制备及影响因素分析 被引量：6
18
作者 陈坤 袁颂东 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期9-11,19,共4页
高温下硼酸乙酯与氨气在氩气氛围中进行化学气相沉积反应，制备出BN纳米粒子，XRD及傅里叶红外分析显示产物主要组成为六方氮化硼（h-BN）。SEM表明氮化硼颗粒呈球形形貌，粒径在80～120nm左右，ED6分析显示氨化前的反应产物中含有碳、... 高温下硼酸乙酯与氨气在氩气氛围中进行化学气相沉积反应，制备出BN纳米粒子，XRD及傅里叶红外分析显示产物主要组成为六方氮化硼（h-BN）。SEM表明氮化硼颗粒呈球形形貌，粒径在80～120nm左右，ED6分析显示氨化前的反应产物中含有碳、氧等杂质。结果表明可通过控制反应条件来调节氮化硼纳米球粒中碳、氧的质量分数，h-BN表面存在微量的碳、氧有利于改善BN纳米球粒的表面化学活性，由此可制备出氮化硼／有机物纳米杂化材料。 展开更多
关键词 BN 球形纳米粒子 cvd法 杂化材料
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真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质 被引量：7
19
作者 杜开英 陈义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期303-308,共6页
使用真空紫外（ＶＵＶ）光直接光ＣＶＤ工艺，在低温（５０－１５０℃）下成功地淀积出了优质的ＳｉＯ２薄膜．测试结果表明：淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合；氧和硅原子的组分非常接近化学计量比；光折射率在１．４２－１... 使用真空紫外（ＶＵＶ）光直接光ＣＶＤ工艺，在低温（５０－１５０℃）下成功地淀积出了优质的ＳｉＯ２薄膜．测试结果表明：淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合；氧和硅原子的组分非常接近化学计量比；光折射率在１．４２－１．５５之间；介电常数大于３．６；击穿电场强度在１×１０７Ｖ／ｃｍ的量级；用氯氟酸腐蚀液（参考配方：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１２）测得膜的平均腐蚀速率约为１．２７ｕｍ／ｓ．试用表明，当使用本实验工艺于硅器件的表面钝化、涂覆及层间隔离，替代ＰＥＣＶＤ和热ＣＶＤ工艺时，器件的击穿特性和反向漏电流均明显地改善． 展开更多
关键词 二氧化硅薄膜 生长 低温 cvd法
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CVD法制备SiO_2薄膜工艺条件的研究 被引量：5
20
作者 郑慧雯 章娴君 王显祥 《西南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期251-254,共4页
在Al2 O3 陶瓷基片上以正硅酸乙酯 (TEOS)为原料 ,高纯氮气作载气 ,采用低压冷壁式设备和化学气相沉积(CVD)方法制备SiO2 薄膜 ,研究了基片温度、TEOS温度和沉积时间对SiO2 薄膜沉积速率的影响 .采用XRD ,XPS和SEM技术对SiO2
关键词 cvd法 制备 二氧化硅薄膜 化学气相沉积 沉积速率 陶瓷材料
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