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超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析
被引量：
54
1
作者
苏建修
康仁科
郭东明
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期27-32,共6页
目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有...
目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。
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关键词
化学机械抛光
材料去除机理
cmp
系统
过程
变量
超大规模集成电路
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职称材料
题名
超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析
被引量：
54
1
作者
苏建修
康仁科
郭东明
机构
大连理工大学机械工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期27-32,共6页
基金
国家自然科学基金重大项目资助(50390061)
文摘
目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。
关键词
化学机械抛光
材料去除机理
cmp
系统
过程
变量
超大规模集成电路
Keywords
chemical mechanical polishing
material removal mechanism
process variables of
cmp
system
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析
苏建修
康仁科
郭东明
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
54
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