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低功耗低相位噪声的互补型电流复用Colpitts VCO设计
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作者 李相敏 康壮 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2019年第11期1174-1177,共4页
在本文中,提出了一种基于变压器的电流复用Colpitts压控振荡器(VC0),电路在互补型形式下,采用变压器,将N型Colpitts振荡器和P型Colpitts振荡器联合,为电路提供差分输出。该VC0由于采用了低噪声Colpitts振荡器结构和负跨导增强技术,因而... 在本文中,提出了一种基于变压器的电流复用Colpitts压控振荡器(VC0),电路在互补型形式下,采用变压器,将N型Colpitts振荡器和P型Colpitts振荡器联合,为电路提供差分输出。该VC0由于采用了低噪声Colpitts振荡器结构和负跨导增强技术,因而实现了较低的相位噪声,并且由于电流复用技术的采用,所消耗的直流功耗降低了一半。基于0.13 pm CMOS工艺对VC0进行流片实现,芯片面积为0.53 mm×0.56 mm。芯片实测结果表明:该VC0的振荡频率为7.34~8.94 GHz,在8.2 GHz振荡频率下,取得了-115.3 dBc/Hz@l MHz的相位噪声。在1.2 V电压供电下,仅消耗了2.5 mW的功耗。将调谐范围计算在内的品质因数F0M为-195.4 dBc/Hz。 展开更多
关键词 cmos振荡器 互补型 电流复用 负跨导
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A wideband low-phase-noise LC VCO for DRM/DAB frequency synthesizer
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作者 雷雪梅 王志功 王科平 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2010年第4期528-531,共4页
The wideband CMOS voltage-controlled oscillator(VCO)with low phase noise and low power consumption is presented for a DRM/DAB(digital radio mondiale and digital audio broadcasting)frequency synthesizer.In order to... The wideband CMOS voltage-controlled oscillator(VCO)with low phase noise and low power consumption is presented for a DRM/DAB(digital radio mondiale and digital audio broadcasting)frequency synthesizer.In order to obtain a wide band and a large tuning range,a parallel switched capacitor bank is added in the LC tank.The proposed VCO is implemented in SMIC 0.18-μm RF CMOS technology and the chip area is 750 μm×560 μm,including the test buffer circuit and the pads.Measured results show that the tuning range is 44.6%;i.e.,the frequency turning range is from 2.27 to 3.57 GHz.The measured phase noise is-122.22 dBc/Hz at a 1 MHz offset from the carrier.The maximum power consumption of the core part is 6.16 mW at a 1.8 V power supply. 展开更多
关键词 cmos voltage-controlled oscillator switched capacitor bank MOS varactors WIDEBAND low phase noise DRM/DAB frequency synthesizer
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低功耗CMOS差分环形压控振荡器设计 被引量:10
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作者 谢连波 桑红石 +2 位作者 方海涛 朱海博 高伟 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第5期104-107,共4页
提出了一个基于0.18μm标准CMOS工艺实现的四级差分环形压控振荡器.全差分环形压控振荡器采用带对称负载的差分延时单元.仿真结果表明,压控振荡器的频率范围在最坏情况为0.21~1.18GHz;偏离中心频率10MHz情况下,压控振荡器的相位噪声为-... 提出了一个基于0.18μm标准CMOS工艺实现的四级差分环形压控振荡器.全差分环形压控振荡器采用带对称负载的差分延时单元.仿真结果表明,压控振荡器的频率范围在最坏情况为0.21~1.18GHz;偏离中心频率10MHz情况下,压控振荡器的相位噪声为-118.13dB/Hz;1.8V电源电压下,中心频率为600MHz时,压控振荡器的功耗仅有4.16mW;版图面积约为0.006mm2,可应用于锁相环和频率综合器设计中. 展开更多
关键词 低功耗 cmos差分环形振荡器 锁相环 相位噪声
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带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计 被引量:6
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作者 李小飞 刘宏 +2 位作者 袁圣越 汪明亮 田彤 《现代电子技术》 北大核心 2015年第18期98-101,共4页
基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~1... 基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~100oC时,振荡器输出频率漂移中心频率790 MHz±10 MHz;当振荡频率为790 MHz时,在偏离其中心频率1 MHz处,压控振荡器的相位噪声为-99 d Bc/Hz;1.2 V电源供电情况下,压控振荡器的功耗为0.96 m W;版图面积约为0.005 mm^2。 展开更多
关键词 低功耗 cmos环形振荡器 温度补偿 系统设计
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