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电流换向型CMOS混频器的周期时变噪声 被引量:6
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作者 郭本青 文光俊 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第11期18-22,26,共6页
基于线性周期时变理论,提出一种简便的解析方法来分析电流换向型CMOS混频器的噪声特性.通过推导相应的周期时变转移函数,包含尾电容记忆效应的电路各级噪声源至输出的噪声变换系数得以数值求解,进而得到包含热噪声和闪烁噪声的一元化系... 基于线性周期时变理论,提出一种简便的解析方法来分析电流换向型CMOS混频器的噪声特性.通过推导相应的周期时变转移函数,包含尾电容记忆效应的电路各级噪声源至输出的噪声变换系数得以数值求解,进而得到包含热噪声和闪烁噪声的一元化系统噪声解析式.基于Chartered 0.35μm工艺库的仿真结果表明,具有频率依赖性的该解析式在预测高频系统噪声时表现出优势,对于不同中频的预测与模拟取得了较好的一致. 展开更多
关键词 cmos混频器 噪声 记忆效应 电流换向
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A 0.35μm CMOS Mixer for 2.45-GHz RFID Application
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作者 Hao-Ran Yu Jia-Long Lan School of Electronic Engineering,UESTC 《射频世界》 2007年第1期88-90,共3页
A RF mixer with both low noise and high linearity is designed,operating at 2.45-GHz ISM band for RFID application.The designed mixer uses an optimal input matching network and the carefully chosen sizes of transistors... A RF mixer with both low noise and high linearity is designed,operating at 2.45-GHz ISM band for RFID application.The designed mixer uses an optimal input matching network and the carefully chosen sizes of transistors,also with the appropriate bias point,to improve the noise figure(NF).Also,with a resonant LC loop as the current source and a parallel PMOS-resistor as the load,the mixer has a high linearity.The post simulation results show that the single side- band noise figure of 8.57 dB,conversion gain of 10.02 dB,input 1-dB compression point(P-1dB)of-8.33 dBm,and input third-order intercept point(IIP3)of 5.35 dBm. 展开更多
关键词 RFID ISM cmos mixers LINEARITY noise
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CMOS混频器的设计技术 被引量:5
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作者 刘璐 王志华 《电子器件》 EI CAS 2005年第3期500-504,共5页
无线技术的发展对收发信机前端电路提出的新要求是:高的工作频率,低电压,低功耗,高度集成。混频器是射频前端电路中进行频率变换的十分重要的模块,主要介绍了CMOS混频器的基本工作原理,实现混频的一些常见结构,这些结构的优缺点。并介... 无线技术的发展对收发信机前端电路提出的新要求是:高的工作频率,低电压,低功耗,高度集成。混频器是射频前端电路中进行频率变换的十分重要的模块,主要介绍了CMOS混频器的基本工作原理,实现混频的一些常见结构,这些结构的优缺点。并介绍了当前CMOS混频器的主要电路设计技术以及作者在混频器跨导线性度分析方面进行的研究,文中还给出了作者设计的一个新型混频器的结构。 展开更多
关键词 cmos混频器 射频前端 电路设计技术
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一种1V 2.4G CMOS高线性度混频器 被引量:2
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作者 刘飞 王春华 《微计算机信息》 2009年第5期257-259,共3页
本文提出了一种低电压、高线性度CMOS射频混频器。在LC折叠式共源共栅结构中,通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS管的方法来改善线性度。在1V的工作电压下,采用TSMC0.18μm射频CMOS工艺仿真表明,该方法在基本不影响混频器其它参数如增... 本文提出了一种低电压、高线性度CMOS射频混频器。在LC折叠式共源共栅结构中,通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS管的方法来改善线性度。在1V的工作电压下,采用TSMC0.18μm射频CMOS工艺仿真表明,该方法在基本不影响混频器其它参数如增益、功耗、噪声的条件下IIP3提高了6dB。 展开更多
关键词 低电压 高线性度 射频 cmos混频器
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基于CMOS工艺的低噪声、高增益混频器 被引量:3
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作者 吕瑛 康星朝 《信息技术》 2013年第11期144-146,149,共4页
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益的混频器。通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声;并且在开关管的源级增加电流注入电路的基础上并联一个电容与开关管共源节点处的寄生电容谐振,进一... 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益的混频器。通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声;并且在开关管的源级增加电流注入电路的基础上并联一个电容与开关管共源节点处的寄生电容谐振,进一步降低混频器的噪声,增大电路的增益。仿真结果表明,在本振(LO)频率为2.395GHz,射频(RF)频率为2.4GHz时,混频器的增益为14.2dB,双边带噪声系数为5.9dB,输入三阶交调点为-3.2dBm。混频器工作电压1.8V,直流电流为8mA。 展开更多
关键词 cmos混频器 电流注入 噪声抵消 高增益
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2.1GHz射频CMOS混频器设计(英文) 被引量:2
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作者 李恩玲 苑永霞 +1 位作者 褚蒙 王雪 《电子器件》 CAS 2009年第2期338-342,346,共6页
设计了一个用于第三代移动通信的2.1 GHz CMOS下变频混频器,采用TSMC 0.25μm CMOS工艺。在设计中,用LC振荡回路作电流源实现低电压;并用增大电流和降低跨导的方法提高线性度。在Cadence RF仿真器中对电路进行了模拟,在1.8 V电源电压下... 设计了一个用于第三代移动通信的2.1 GHz CMOS下变频混频器,采用TSMC 0.25μm CMOS工艺。在设计中,用LC振荡回路作电流源实现低电压;并用增大电流和降低跨导的方法提高线性度。在Cadence RF仿真器中对电路进行了模拟,在1.8 V电源电压下,仿真结果为:1 dB压缩点P1 dB-10.65 dBm,IIP3 1.25 dBm,转换增益7 dB,噪声系数10.8 dB,功耗14.4 mW,且输入输出端口实现了良好的阻抗匹配。并用Cadence中的Virtuoso Layout Editor软件绘制了电路的版图。 展开更多
关键词 射频集成电路 cmos混频器 阻抗匹配 线性度
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基于ADS仿真的高线性CMOS混频器设计
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作者 姜宇 伍越 《应用科技》 CAS 2011年第12期29-31,35,共4页
提出了一种提高混频器线性度的方法:采用交叉差分的结构取代原有的混频器结构.改进后,输出信号的三次谐波会被消除,混频器的三阶截止点也得到改善.混频器工作电压1.8 V,射频信号5 GHz,电路采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的先进... 提出了一种提高混频器线性度的方法:采用交叉差分的结构取代原有的混频器结构.改进后,输出信号的三次谐波会被消除,混频器的三阶截止点也得到改善.混频器工作电压1.8 V,射频信号5 GHz,电路采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的先进设计系统ADS(advanced design system)对电路进行仿真设计.仿真结果表明,经过改善后,混频器IP3提高3.5 dB(线性度提高),转换增益提高4.8 dB. 展开更多
关键词 ADS cmos混频器 线性度 转换增益 三阶截止点
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一种低噪声高增益CMOS混频器设计
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作者 高丽娜 庞建丽 《信阳师范学院学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第3期413-416,共4页
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益的混频器.通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声,并且在开关管的源级增加电流注入电路以减小本振端的偏置电流,增大电路的增益.仿真结果表明,混频器... 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益的混频器.通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声,并且在开关管的源级增加电流注入电路以减小本振端的偏置电流,增大电路的增益.仿真结果表明,混频器工作电压为1.8 V,直流电流为9.9 mA,在本振(LO)频率为2.39 GHz,射频(RF)频率为2.4 GHz时,混频器的增益为12.65 dB,双边带噪声系数为4.23 dB,输入三阶交调点为-3.45 dBm. 展开更多
关键词 cmos混频器 电流注入 噪声抵消 高增益 低噪声
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2.4 GHz CMOS双平衡混频器的设计与仿真 被引量:2
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作者 高兴国 戴宇杰 +1 位作者 张小兴 吕英杰 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期11-14,共4页
设计了工作在2.4 GHz基于Gilbert单元为核心的CMOS有源双平衡混频器.为改善系统噪声性能,在混频器中变频增益增加了分流源单元和耦合电感单元.混频器RF、LO和IF频率分别为2.4 GHz、2.402 GHz和2 MHz.采用SMIC0.18μm CMOS工艺进行仿真,... 设计了工作在2.4 GHz基于Gilbert单元为核心的CMOS有源双平衡混频器.为改善系统噪声性能,在混频器中变频增益增加了分流源单元和耦合电感单元.混频器RF、LO和IF频率分别为2.4 GHz、2.402 GHz和2 MHz.采用SMIC0.18μm CMOS工艺进行仿真,在1.8 V电源电压下,混频器转换增益为23 dB、噪声系数为8.58 dB、三阶输入截止点为-7.8 dBm、功耗为9.54 mW. 展开更多
关键词 cmos双平衡混频器 1/f噪声 射频集成电路
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一种0.9V低电压低本振功率CMOS有源混频器
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作者 韦保林 戴宇杰 +1 位作者 张小兴 吕英杰 《电讯技术》 北大核心 2010年第1期93-97,共5页
设计了一种可工作于0.9 V低电压和-5 dBm本振功率的CMOS有源混频器。通过在MOS管栅极和衬底间引入耦合电容,利用衬底效应加快MOS管的导通和截止,使开关对的开关状态更理想,有效地降低混频器的噪声并提高其线性特性。采用0.18μmCMOS工... 设计了一种可工作于0.9 V低电压和-5 dBm本振功率的CMOS有源混频器。通过在MOS管栅极和衬底间引入耦合电容,利用衬底效应加快MOS管的导通和截止,使开关对的开关状态更理想,有效地降低混频器的噪声并提高其线性特性。采用0.18μmCMOS工艺设计,在2.45 GHz本振信号和2.44 GHz射频信号输入下,实验结果表明该混频器可有效地实现混频且具有较好的性能指标:电压转换增益为12.4 dB,输入三阶截断点为-0.6 dBm,输入1dB压缩点为-3.4 dBm,单边带噪声系数为12dB。 展开更多
关键词 cmos有源混频器 衬底效应 低电压 低本振功率
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