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PCVD法制取β-SiC超微粉末
被引量：
4
1
作者
郭家银
郑国梁
《化工冶金》
CSCD
北大核心
1991年第1期1-7,共7页
本文以 CH_3SiCl_3为原料,利用 PCVD(Plasma Chemical Vapor Depo-sition)法制取了β—SiC 超微陶瓷粉末。平均粒径<0.1μm,SiC 含量可达到96%,氧含量可小于1.5%。实验探讨了粉末成分与诸因素关系;提供了粉末烧结性能的初步试验研究...
本文以 CH_3SiCl_3为原料,利用 PCVD(Plasma Chemical Vapor Depo-sition)法制取了β—SiC 超微陶瓷粉末。平均粒径<0.1μm,SiC 含量可达到96%,氧含量可小于1.5%。实验探讨了粉末成分与诸因素关系;提供了粉末烧结性能的初步试验研究结果.
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关键词
Β-SIC
超微粉末
气相法
ch
3
sicl
3
下载PDF
职称材料
题名
PCVD法制取β-SiC超微粉末
被引量：
4
1
作者
郭家银
郑国梁
机构
中国科学院化工冶金研究所
出处
《化工冶金》
CSCD
北大核心
1991年第1期1-7,共7页
文摘
本文以 CH_3SiCl_3为原料,利用 PCVD(Plasma Chemical Vapor Depo-sition)法制取了β—SiC 超微陶瓷粉末。平均粒径<0.1μm,SiC 含量可达到96%,氧含量可小于1.5%。实验探讨了粉末成分与诸因素关系;提供了粉末烧结性能的初步试验研究结果.
关键词
Β-SIC
超微粉末
气相法
ch
3
sicl
3
Keywords
Plasma Vapor-phase
ch
emical reaction β-SiC ultrafine ceramic powder Sintering
分类号
TF123.31 [冶金工程—粉末冶金]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PCVD法制取β-SiC超微粉末
郭家银
郑国梁
《化工冶金》
CSCD
北大核心
1991
4
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