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大尺寸高质量CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)钙钛矿单晶的生长机理、相转变与光学性能
1
作者
南瑞华
武春燕
+3 位作者
刘腾
罗家欣
魏永星
坚增运
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第13期221-229,共9页
在传统逆温差结晶法基础上,通过引入高质量籽晶,采用籽晶诱导逆温差结晶法生长出尺寸为11mm×11mm×2mm的CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)钙钛矿单晶.X射线衍射和Rietveld精修结果表明,室温下CH3NH3PbCl3单晶是立方相,其空间群为Pm3m,晶...
在传统逆温差结晶法基础上,通过引入高质量籽晶,采用籽晶诱导逆温差结晶法生长出尺寸为11mm×11mm×2mm的CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)钙钛矿单晶.X射线衍射和Rietveld精修结果表明,室温下CH3NH3PbCl3单晶是立方相,其空间群为Pm3m,晶格常数a=0.56877 nm.偏光显微镜研究结果表明,CH3NH3PbCl3单晶的生长机理遵循光滑界面的台阶横向长大机制,并沿着台阶的外法线方向长大.变温拉曼光谱研究表明CH3NH3PbCl3单晶在温度160 K发生了正交-四方相转变,但四方相结构不稳定,存在的温度区间非常狭窄,故再次转变为立方相(Pm3m).紫外-可见-近红外吸收光谱和光致发光谱研究表明,CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)单晶的吸收截止边约在波长442 nm,光致发光峰为450 nm,通过拟合计算得到其带隙值约为2.93 eV,稍大于第一性原理计算的理论带隙值(2.55 eV),分析认为这与籽晶的引入有关,因为籽晶作为异质形核的核心被引入晶体生长过程中,使晶格对称性下降,引起CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)带隙增大.
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关键词
ch
3
nh
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pbcl
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单晶
籽晶诱导逆温差结晶法
台阶横向长大机制
第一性原理计算
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职称材料
溶液法CH3NH3PbCl3单晶的生长与性能研究
2
作者
王万富
苏静
+2 位作者
雷勇
仲坤
王迪
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期1063-1067,共5页
分别采用蒸发结晶法和逆温结晶法生长尺寸约为4 mm′3 mm′3 mm的CH_3NH_3PbCl_3单晶。对两种方法生长的单晶粉体的XRD分析结果显示,单晶具有立方晶系结构,其晶格常数分别为0.56833、0.56891 nm。实验测量了CH_3NH_3PbCl_3单晶的红外光...
分别采用蒸发结晶法和逆温结晶法生长尺寸约为4 mm′3 mm′3 mm的CH_3NH_3PbCl_3单晶。对两种方法生长的单晶粉体的XRD分析结果显示,单晶具有立方晶系结构,其晶格常数分别为0.56833、0.56891 nm。实验测量了CH_3NH_3PbCl_3单晶的红外光谱(FT-IR)和拉曼光谱,并对谱峰进行了指认;使用UV-VIS-NIR分光光度计、荧光光度计对CH_3NH_3PbCl_3单晶的光学性能进行了测试。结果表明:CH_3NH_3PbCl_3晶体的吸收边约为423 nm,光致发光峰为433 nm,带隙值为2.97 e V,与CH_3NH_3PbCl_3薄膜的光学特性相比,CH_3NH_3PbCl_3单晶更具潜在的应用前景。最后,结合第一性原理研究了CH_3NH_3PbCl_3晶体的能带结构,计算得出带隙值2.428 e V,与实验值吻合较好。
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关键词
ch
3
nh
3
pbcl
3
单晶
蒸发结晶法
逆温结晶法
光谱
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职称材料
题名
大尺寸高质量CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)钙钛矿单晶的生长机理、相转变与光学性能
1
作者
南瑞华
武春燕
刘腾
罗家欣
魏永星
坚增运
机构
西安工业大学材料与化工学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第13期221-229,共9页
基金
陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2022JM212)资助的课题。
文摘
在传统逆温差结晶法基础上,通过引入高质量籽晶,采用籽晶诱导逆温差结晶法生长出尺寸为11mm×11mm×2mm的CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)钙钛矿单晶.X射线衍射和Rietveld精修结果表明,室温下CH3NH3PbCl3单晶是立方相,其空间群为Pm3m,晶格常数a=0.56877 nm.偏光显微镜研究结果表明,CH3NH3PbCl3单晶的生长机理遵循光滑界面的台阶横向长大机制,并沿着台阶的外法线方向长大.变温拉曼光谱研究表明CH3NH3PbCl3单晶在温度160 K发生了正交-四方相转变,但四方相结构不稳定,存在的温度区间非常狭窄,故再次转变为立方相(Pm3m).紫外-可见-近红外吸收光谱和光致发光谱研究表明,CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)单晶的吸收截止边约在波长442 nm,光致发光峰为450 nm,通过拟合计算得到其带隙值约为2.93 eV,稍大于第一性原理计算的理论带隙值(2.55 eV),分析认为这与籽晶的引入有关,因为籽晶作为异质形核的核心被引入晶体生长过程中,使晶格对称性下降,引起CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)带隙增大.
关键词
ch
3
nh
3
pbcl
3
单晶
籽晶诱导逆温差结晶法
台阶横向长大机制
第一性原理计算
Keywords
ch
3
nh
3
pbcl
3
single crystal
seed-induced inverse temperature crystallization method
step horizontal growing me
ch
anism
first-principles calculations
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
溶液法CH3NH3PbCl3单晶的生长与性能研究
2
作者
王万富
苏静
雷勇
仲坤
王迪
机构
南京信息工程大学物理与光电工程学院
固体微结构物理国家重点实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期1063-1067,共5页
基金
国家自然科学基金(51472123
51302268
+2 种基金
51502142)
江苏省高等学校大学生实践创新训练计划重点项目(201410300014Z)
江苏省'青蓝工程'项目~~
文摘
分别采用蒸发结晶法和逆温结晶法生长尺寸约为4 mm′3 mm′3 mm的CH_3NH_3PbCl_3单晶。对两种方法生长的单晶粉体的XRD分析结果显示,单晶具有立方晶系结构,其晶格常数分别为0.56833、0.56891 nm。实验测量了CH_3NH_3PbCl_3单晶的红外光谱(FT-IR)和拉曼光谱,并对谱峰进行了指认;使用UV-VIS-NIR分光光度计、荧光光度计对CH_3NH_3PbCl_3单晶的光学性能进行了测试。结果表明:CH_3NH_3PbCl_3晶体的吸收边约为423 nm,光致发光峰为433 nm,带隙值为2.97 e V,与CH_3NH_3PbCl_3薄膜的光学特性相比,CH_3NH_3PbCl_3单晶更具潜在的应用前景。最后,结合第一性原理研究了CH_3NH_3PbCl_3晶体的能带结构,计算得出带隙值2.428 e V,与实验值吻合较好。
关键词
ch
3
nh
3
pbcl
3
单晶
蒸发结晶法
逆温结晶法
光谱
Keywords
ch
3
nh
3
PbC1
3
single crystal
evaporation crystallization
inversion crystallization
spectroscopy
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大尺寸高质量CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)钙钛矿单晶的生长机理、相转变与光学性能
南瑞华
武春燕
刘腾
罗家欣
魏永星
坚增运
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
溶液法CH3NH3PbCl3单晶的生长与性能研究
王万富
苏静
雷勇
仲坤
王迪
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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