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基于CAD/CFD理论对连续制备SiC一维纳米材料CVD反应室结构的设计与模拟优选 被引量：1
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作者 刘晓珑 李镇江 孟春雷 《青岛科技大学学报（自然科学版）》 CAS 2015年第5期524-529,共6页
根据自主研制的用于制备SiC一维纳米材料的可控气氛炉内的空间尺寸以及通气方式,设计了4种不同结构的化学气相沉积(CVD)反应室("S"型结构,"三角"型结构,"双三角"型结构,"回"型结构),并基于CFD... 根据自主研制的用于制备SiC一维纳米材料的可控气氛炉内的空间尺寸以及通气方式,设计了4种不同结构的化学气相沉积(CVD)反应室("S"型结构,"三角"型结构,"双三角"型结构,"回"型结构),并基于CFD原理,使用Fluent软件对这4种反应室内的温度场及气流场进行了模拟,得到了各反应室内温度及气体流速的分布云图。通过比较分析发现,在达到稳态后,4种结构反应室内气孔附近的温度均比较低;但气流场模拟结果显示,"回"型结构CVD反应室内,在产物生长的基片表面附近存在气体流量最多且层流面积最大,适于SiC纳米线生长的面积最大,最适用于SiC一维纳米材料的连续制备,其结果已被实验验证。 展开更多
关键词 cad/cfd理论 SiC一维纳米材料 CVD反应室
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