期刊文献+
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
脉冲电弧放电电离甲醇/氨水溶液合成结晶氮化碳薄膜 被引量:2
1
作者 马志斌 万军 +1 位作者 黄杨风 汪建华 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第2期87-91,共5页
 利用脉冲电弧放电在大气压下产生的高密度等离子体研究了结晶氮化碳薄膜的低温合成。直流脉冲电弧等离子体由甲醇/氨水溶液液滴通过高压电极时诱导放电产生。利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman光谱分析了薄膜样品的形貌和结构。...  利用脉冲电弧放电在大气压下产生的高密度等离子体研究了结晶氮化碳薄膜的低温合成。直流脉冲电弧等离子体由甲醇/氨水溶液液滴通过高压电极时诱导放电产生。利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman光谱分析了薄膜样品的形貌和结构。在基片温度为450℃时所制样品的X射线衍射分析表明薄膜中含有α C3N4和β C3N4两种结构晶体,Raman光谱给出了明显的特征峰,这些特征峰与氮化碳晶体的理论预言值符合较好。当基片温度提高到550℃时,Raman光谱分析表明,样品为炭膜。 展开更多
关键词 脉冲电弧放电 电离 甲醇/氨水溶液 合成 结晶氮化碳薄
下载PDF
热丝辅助射频CVDC_3N_4薄膜(英文) 被引量:1
2
作者 吴现成 贺德衍 +2 位作者 王博 严辉 陈光华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期275-279,共5页
采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积 (CVD)方法直接在Si(10 0 )衬底上制备了多晶C3N4 薄膜。X射线衍射 (XRD)测试表明薄膜同时含有α C3N4 和 β C3N4 晶相以及未知结构。傅立叶变换红外吸收谱 (FTIR)表明薄膜内的C—N ,CN和CN... 采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积 (CVD)方法直接在Si(10 0 )衬底上制备了多晶C3N4 薄膜。X射线衍射 (XRD)测试表明薄膜同时含有α C3N4 和 β C3N4 晶相以及未知结构。傅立叶变换红外吸收谱 (FTIR)表明薄膜内的C—N ,CN和CN键的吸收峰分别位于 12 37,16 2 5和2 191cm- 1。利用扫描电子显微镜 (SEM)观测到线度约为 2 μm、横截面为六边形的 β C3N4 晶粒。纳米压痕法测得薄膜的硬度最高可达 72 .6 6GPa。 展开更多
关键词 X射线衍射 硬度 cVD 氮化碳薄膜 热丝辅助射频
下载PDF
新型半导体薄膜材料的制备、结构和特性研究
3
作者 陈光华 《兰州大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期22-26,共5页
主要介绍了研究所近20 年来在新型薄膜半导体材料的制备、结构及特性研究方面所取得的成就,尤其是对非晶硅碳和非晶硅锗( a  Si C∶ H 和a  Si Ge∶ H)薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼( c  B N)薄... 主要介绍了研究所近20 年来在新型薄膜半导体材料的制备、结构及特性研究方面所取得的成就,尤其是对非晶硅碳和非晶硅锗( a  Si C∶ H 和a  Si Ge∶ H)薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼( c  B N)薄膜、β C3 N4 薄膜和富勒烯薄膜的研究工作取得了重要成果,不少工作已达到国际先进水平,发表论文300 展开更多
关键词 半导体薄膜 立方氮化硼薄膜 非晶硅 制备 结构
下载PDF
热丝辅助射频CVDC3N4薄膜(英文)
4
作者 吴现成 贺德衍 +2 位作者 王博 严辉 陈光华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期275-279,共页
采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积 (CVD)方法直接在Si(10 0 )衬底上制备了多晶C3N4 薄膜。X射线衍射 (XRD)测试表明薄膜同时含有α C3N4 和 β C3N4 晶相以及未知结构。傅立叶变换红外吸收谱 (FTIR)表明薄膜内的C—N ,CN和CN... 采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积 (CVD)方法直接在Si(10 0 )衬底上制备了多晶C3N4 薄膜。X射线衍射 (XRD)测试表明薄膜同时含有α C3N4 和 β C3N4 晶相以及未知结构。傅立叶变换红外吸收谱 (FTIR)表明薄膜内的C—N ,CN和CN键的吸收峰分别位于 12 37,16 2 5和2 191cm- 1。利用扫描电子显微镜 (SEM)观测到线度约为 2 μm、横截面为六边形的 β C3N4 晶粒。纳米压痕法测得薄膜的硬度最高可达 72 .6 6GPa。 展开更多
关键词 化学气相沉积 氮化碳薄膜 X射线衍射 扫描电镜 硬度
全文增补中
Structure and properties of carbon nitrogen films synthesized by ion beam-assisted deposition
5
作者 贺小明 李文治 李恒德 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1995年第20期1752-1757,共6页
β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> compound is a new hard material predicted by Liu and Cohen with theoretical calculation and so far it has not been found out in nature. In was assumed that the β-... β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> compound is a new hard material predicted by Liu and Cohen with theoretical calculation and so far it has not been found out in nature. In was assumed that the β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> compound would adopt the known crystal structure of β-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>, which constructed a network of CN<sub>4</sub> tetrahedra linked at the corners by threefold coordinate N atoms. Thus, the atomic coordination of β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> is sp<sup>3</sup> hybrids on the C atoms and sp<sup>2</sup> hybrids on the N atoms. Based on the theoretical analysis and modeling calculation, it 展开更多
关键词 β-c3n4 cARBOn nITROGEn films LOW-EnERGY IOn BOMBARDMEnT IOn beam-assisted deposition.
原文传递
生成β-C_3N_4的热力学与化学动力学计算
6
作者 史兴键 姚合宝 +3 位作者 贺庆丽 王文秀 汪颖梅 何大韧 《扬州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2000年第4期7-10,共4页
提出了磁控溅射法合成碳化氮实验中 β C3N4 ,P C3N4 ,— ( C2 N2 ) n— 3种结构的最可能生长模式 ,采用化学热力学方法计算了生成这 3种结构的反应在不同温度下的平衡常数 ,并用化学动力学方法计算了各中间产物和β C3N4 ,P C3N4 ,— (... 提出了磁控溅射法合成碳化氮实验中 β C3N4 ,P C3N4 ,— ( C2 N2 ) n— 3种结构的最可能生长模式 ,采用化学热力学方法计算了生成这 3种结构的反应在不同温度下的平衡常数 ,并用化学动力学方法计算了各中间产物和β C3N4 ,P C3N4 ,— ( C2 N2 ) n—的化学反应速率常数 .这些结论对β C3N4 晶体生长于非晶相中这一普遍实验现象给予一种可能的解释 . 展开更多
关键词 磁控溅射法 碳化氮薄膜 化学热力学 平衡常数
下载PDF
金刚石和氮化碳涂层刀具加工高硅铝合金 被引量:7
7
作者 韩慧 杨海东 张崇高 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期66-67,94,共3页
为提高硬质合金刀具加工高硅铝合金的生产率及使用寿命,文章采用金刚石薄膜刀具和氮化碳涂层刀具来对比硬质合金刀具加工高硅铝合金的加工性能;试验结果表明,金刚石薄膜刀具干切削加工的表面粗糙度值较小,氮化碳涂层刀具干切削高硅铝合... 为提高硬质合金刀具加工高硅铝合金的生产率及使用寿命,文章采用金刚石薄膜刀具和氮化碳涂层刀具来对比硬质合金刀具加工高硅铝合金的加工性能;试验结果表明,金刚石薄膜刀具干切削加工的表面粗糙度值较小,氮化碳涂层刀具干切削高硅铝合金与金刚石薄膜刀具相比,积屑瘤较小,是适合加工高硅铝合金的刀具材料。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 氮化碳涂层 涂层刀具 高硅铝合金
下载PDF
氮化碳涂层刀具干切削性能的研究 被引量:3
8
作者 杨海东 张崇高 《工具技术》 北大核心 2004年第9期91-92,141,共3页
采用dc反应磁控溅射法在硬质合金 (YT15 )上沉积氮化碳超硬涂层 ,将其应用于干切削领域 ,通过对硅铝合金和淬火钢的干式切削试验 ,研究了氮化碳涂层刀具的切削加工性能。切削试验表明 ,在干式切削加工硅铝合金时可以达到较高的表面粗糙... 采用dc反应磁控溅射法在硬质合金 (YT15 )上沉积氮化碳超硬涂层 ,将其应用于干切削领域 ,通过对硅铝合金和淬火钢的干式切削试验 ,研究了氮化碳涂层刀具的切削加工性能。切削试验表明 ,在干式切削加工硅铝合金时可以达到较高的表面粗糙度 ,完全能满足生产要求 ;在淬火钢加工中 ,与未涂层的刀具相比 。 展开更多
关键词 涂层刀具 干切削 干式切削 淬火钢 氮化碳 硅铝合金 刀具寿命 研究 性能 沉积
下载PDF
Nafion/GOX/CS-g-C_3N_4/GCE的制备及其在葡萄糖生物传感器中的应用 被引量:1
9
作者 赵琨 孟阿兰 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2018年第5期15-20,26,共7页
首先以三聚氰胺为原料制备出g-C_3N_4纳米材料;再将壳聚糖(CS)与g-C_3N_4混合并滴涂在玻碳电极表面,制得CS-g-C_3N_4/GCE电极;最后将葡萄糖氧化酶(GOX)滴涂并用Nafion膜将其固定在CS-g-C_3N_4/GCE电极表面,制得Nafion/GOX/CS-g-C_3N_4/... 首先以三聚氰胺为原料制备出g-C_3N_4纳米材料;再将壳聚糖(CS)与g-C_3N_4混合并滴涂在玻碳电极表面,制得CS-g-C_3N_4/GCE电极;最后将葡萄糖氧化酶(GOX)滴涂并用Nafion膜将其固定在CS-g-C_3N_4/GCE电极表面,制得Nafion/GOX/CS-g-C_3N_4/GCE葡萄糖生物传感器,实现了葡萄糖氧化酶的直接电化学。采用透射电子显微镜(TEM)、X-射线衍射仪(XRD)、循环伏安法(CV)及差分脉冲伏安法(DPV)等手段对所制备的电极进行了表征和测试。结果表明:所制得的Nafion/GOX/CS-g-C_3N_4/GCE葡萄糖生物传感器的响应范围为0.1~8.0mmol·L-1,检出限为46.7μmol·L-1,Michaelis-Menten常数为0.42mmol·L-1。该生物传感器可以排除尿酸(UA)、抗坏血酸(AA)、多巴胺(DA)等的干扰,表现出优异的抗干扰性和选择性。此外,该生物传感器还表现出较好的重复性和稳定性,可应用于实际样品检测。 展开更多
关键词 葡萄糖氧化酶 g-c3n4纳米复合膜 修饰电极 直接电化学
下载PDF
钾掺杂g-C_(3)N_(4)薄膜光阳极的制备及光电催化氧化降解水中双氯芬酸钠性能
10
作者 龚妍熹 王建兵 +3 位作者 柴歩瑜 韩元春 马云飞 贾超敏 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期258-267,共10页
兼具高光学质量和电化学性能的薄膜光电极难以制备,限制了光电催化氧化技术在水处理中的的应用.本文采用原位煅烧法制备了负载在氧化铟锡(ITO)玻璃上的石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4))薄膜电极,并通过掺杂K^(+)提高其光电催化氧化性能;对电... 兼具高光学质量和电化学性能的薄膜光电极难以制备,限制了光电催化氧化技术在水处理中的的应用.本文采用原位煅烧法制备了负载在氧化铟锡(ITO)玻璃上的石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4))薄膜电极,并通过掺杂K^(+)提高其光电催化氧化性能;对电极进行了表征,研究了其光电催化氧化降解水中双氯芬酸钠(DCF)的效率及降解路径.结果表明,原位煅烧法能制备出高质量的K^(+)/g-C_(3)N_(4)薄膜光电极,K+的掺杂并未明显改变电极上g-C_(3)N_(4)的晶型、价态和多孔形貌,但可以提高ITO玻璃上g-C_(3)N_(4)的负载量,增强电极对可见光的响应;K^(+)的最佳掺杂浓度为0.002 mol/L,K^(+)/g-C_(3)N_(4)薄膜电极光电催化氧化降解DCF的速率常数是纯g-C_(3)N_(4)薄膜电极的1.86倍;当初始pH值为4,电压为1 V,光源强度为0.96 W/cm^(2),反应2 h后水中DCF降解率达到70%.K^(+)/g-C_(3)N_(4)薄膜电极光电催化氧化过程中,光催化氧化和电化学氧化之间存在协同作用,两者相互增强,并提高了反应过程中光生空穴(h^(+))和羟基自由基(·OH)浓度,在这两种活性物质作用下,水中DCF分别被h+氧化生成咔唑衍生物、与·OH发生加成反应生成多羟基芳香化合物,最后开环生成小分子物质. 展开更多
关键词 钾掺杂石墨相氮化碳薄膜光阳极 光电催化氧化 双氯芬酸钠 光催化氧化 电化学氧化
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部