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一种低开销的三点翻转自恢复锁存器设计 被引量:3
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作者 黄正峰 李先东 +5 位作者 陈鹏 徐奇 宋钛 戚昊琛 欧阳一鸣 倪天明 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第9期2508-2517,共10页
随着集成电路特征尺寸的不断缩减,在恶劣辐射环境下,纳米级CMOS集成电路中单粒子三点翻转的几率日益增高,严重影响可靠性。为了实现单粒子三点翻转自恢复,该文提出一种低开销的三点翻转自恢复锁存器(LC-TNURL)。该锁存器由7个C单元和7... 随着集成电路特征尺寸的不断缩减,在恶劣辐射环境下,纳米级CMOS集成电路中单粒子三点翻转的几率日益增高,严重影响可靠性。为了实现单粒子三点翻转自恢复,该文提出一种低开销的三点翻转自恢复锁存器(LC-TNURL)。该锁存器由7个C单元和7个钟控C单元组成,具有对称的环状交叉互锁结构。利用C单元的阻塞特性和交叉互锁连接方式,任意3个内部节点发生翻转后,瞬态脉冲在锁存器内部传播,经过C单元多级阻塞后会逐级消失,确保LC-TNURL锁存器能够自行恢复到正确逻辑状态。详细的HSPICE仿真表明,与其他三点翻转加固锁存器(TNU-Latch, LCTNUT, TNUTL, TNURL)相比,LC-TNURL锁存器的功耗平均降低了31.9%,延迟平均降低了87.8%,功耗延迟积平均降低了92.3%,面积开销平均增加了15.4%。相对于参考文献中提出的锁存器,LC-TNURL锁存器的PVT波动敏感性最低,具有较高的可靠性。 展开更多
关键词 锁存器 抗辐射加固设计 c单元 自恢复 三点翻转
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一种低成本的四节点翻转自恢复锁存器设计
2
作者 徐辉 宁亚飞 +2 位作者 朱瑞 刘璇 周静 《信阳农林学院学报》 2022年第3期96-101,共6页
为了有效地容忍软错误,本文基于32nm CMOS工艺提出了一种低成本的四节点翻转自恢复锁存器(LCQNUSRL)。该锁存器由24个C单元构成,形成6×4的阵列结构,构建了四级过滤的容错机制。当锁存器内部任意四个节点发生翻转,经过C单元的阻塞后... 为了有效地容忍软错误,本文基于32nm CMOS工艺提出了一种低成本的四节点翻转自恢复锁存器(LCQNUSRL)。该锁存器由24个C单元构成,形成6×4的阵列结构,构建了四级过滤的容错机制。当锁存器内部任意四个节点发生翻转,经过C单元的阻塞后,该锁存器可自行恢复到正确值。采用HSPICE进行实验表明,与三个锁存器(LCTNURL,TNURL,LC-TSL)平均值相比功耗降低了32.94%,延迟降低了30.2%,功耗延迟积(power delay product,PDP)降低了53.35%,晶体管数量增加了25%,使用较多的晶体管实现了QNUs自恢复,有着更高的可靠性。此外,所提出的锁存器对电压和温度的变化不敏感。 展开更多
关键词 锁存器 c单元 自恢复 四节点翻转 软错误
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多因素作用下钢筋混凝土构件氯离子扩散系数模型 被引量:25
3
作者 滕海文 舒正昌 +1 位作者 黄颖 霍达 《土木建筑与环境工程》 CSCD 北大核心 2011年第1期12-16,共5页
通过对钢筋混凝土氯离子侵蚀机理的分析,在Fick第二扩散定律基础上,建立了综合考虑水灰比、湿度、时间、温度、混凝土材料对氯离子结合作用等多因素作用下的氯离子侵蚀模型,并给出了考虑边界条件的侵蚀模型数学解。通过对长期现场暴露... 通过对钢筋混凝土氯离子侵蚀机理的分析,在Fick第二扩散定律基础上,建立了综合考虑水灰比、湿度、时间、温度、混凝土材料对氯离子结合作用等多因素作用下的氯离子侵蚀模型,并给出了考虑边界条件的侵蚀模型数学解。通过对长期现场暴露试验数据分析,验证了该侵蚀模型的有效性和可靠性。与传统的Fick第二扩散定律模型对比并分析得:该模型不仅能反映结构实际受氯盐侵蚀的发展趋势和混凝土不同深度处的氯离子浓度,而且能预测不同时期钢筋处的氯离子含量和钢筋开始锈蚀时间。 展开更多
关键词 侵蚀 扩散系数 多因素 钢筋混凝土构件
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基于C单元反馈回路的容SEU锁存器设计 被引量:4
4
作者 黄正峰 彭小飞 鲁迎春 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期178-183,共6页
随着电子技术的不断发展,集成电路的特征尺寸不断缩小,导致电路对宇宙高能粒子引发的单粒子翻转愈发敏感。提出了一种对单粒子翻转完全免疫的抗辐射加固锁存器。该锁存器利用具有过滤功能的C单元构建反馈回路,并在锁存器末端使用钟控C... 随着电子技术的不断发展,集成电路的特征尺寸不断缩小,导致电路对宇宙高能粒子引发的单粒子翻转愈发敏感。提出了一种对单粒子翻转完全免疫的抗辐射加固锁存器。该锁存器利用具有过滤功能的C单元构建反馈回路,并在锁存器末端使用钟控C单元来阻塞传播至输出端的软错误。HSPICE仿真结果显示,在与TMR锁存器同等可靠性的情况下,该锁存器面积下降50%,延迟下降92%,功耗下降47%,功耗延迟积下降96%。 展开更多
关键词 单粒子翻转 锁存器 c单元 软错误
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32 nm工艺下基于输入分离C单元的三节点翻转容忍锁存器设计
5
作者 夏宇 《现代信息科技》 2024年第9期43-46,52,共5页
随着集成电路特征尺寸的不断缩减,存储电路中单粒子效应造成的多节点翻转的概率越来越大,严重影响了电路的可靠性。因此,为了增加存储电路的抗辐射加固能力和可靠性,提出一种三节点翻转加固锁存器TNUTL。该锁存器使用双模冗余和输入分离... 随着集成电路特征尺寸的不断缩减,存储电路中单粒子效应造成的多节点翻转的概率越来越大,严重影响了电路的可靠性。因此,为了增加存储电路的抗辐射加固能力和可靠性,提出一种三节点翻转加固锁存器TNUTL。该锁存器使用双模冗余和输入分离C单元实现100%三节点翻转容忍能力。钟控技术和传输门的使用有效降低了锁存器的功耗和延迟。32 nm CMOS工艺下的仿真结果表明,所提出的锁存器对比同类型结构平均降低了36.84%的功耗和65.31%的延迟,以及82.13%的功耗延迟积。 展开更多
关键词 锁存器 c单元 软错误 三节点翻转
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一种低开销加固锁存器的设计 被引量:2
6
作者 黄正峰 倪涛 易茂祥 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期387-392,共6页
针对单粒子翻转问题,设计了一种低开销的加固锁存器。在输出级使用钟控C单元,以屏蔽锁存器内部节点的瞬态故障;在输出节点所在的反馈环上使用C单元,屏蔽输出节点上瞬态故障对电路的影响;采用了从输入节点到输出节点的高速通路设计,延迟... 针对单粒子翻转问题,设计了一种低开销的加固锁存器。在输出级使用钟控C单元,以屏蔽锁存器内部节点的瞬态故障;在输出节点所在的反馈环上使用C单元,屏蔽输出节点上瞬态故障对电路的影响;采用了从输入节点到输出节点的高速通路设计,延迟开销大幅降低。HSPICE仿真结果表明,相比于FERST,SEUI,HLR,Iso-DICE锁存器,该锁存器的面积平均下降23.20%,延迟平均下降55.14%,功耗平均下降42.62%。PVT分析表明,该锁存器的性能参数受PVT变化的影响很小,性能稳定。 展开更多
关键词 软错误 单粒子翻转 加固锁存器 c单元
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一种自恢复容SEU锁存器的设计 被引量:1
7
作者 吴悠然 梁华国 +2 位作者 王志 闫爱斌 黄正峰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期643-648,共6页
随着集成电路工艺水平的不断提高、器件尺寸的不断缩小以及电源的不断降低,传统的锁存器越发容易受到由辐射效应引起的软错误影响。为了增强锁存器的可靠性,提出了一种适用于低功耗电路的自恢复SEU加固锁存器。该锁存器由传输门、反馈... 随着集成电路工艺水平的不断提高、器件尺寸的不断缩小以及电源的不断降低,传统的锁存器越发容易受到由辐射效应引起的软错误影响。为了增强锁存器的可靠性,提出了一种适用于低功耗电路的自恢复SEU加固锁存器。该锁存器由传输门、反馈冗余单元和保护门C单元构成。反馈冗余单元由六个内部节点构成,每个节点均由一个NMOS管和一个PMOS管驱动,从而构成自恢复容SEU的结构。在45nm工艺下,使用Hspice仿真工具进行仿真,结果表明,与现有的加固方案FERST[1]结构相比,在具备相同面积开销和单粒子翻转容忍能力的情况下,提出的锁存器不仅适用于时钟门控电路,而且节省了61.38%的功耗-延迟积开销。 展开更多
关键词 锁存器设计 反馈冗余单元 c单元 低功耗 软错误
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一种低开销的抗SEU锁存器 被引量:1
8
作者 方文庆 梁华国 黄正峰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期679-682,686,共5页
随着微电子技术的不断进步,集成电路工艺尺寸不断缩小,工作电压不断降低,节点的临界电荷越来越小,空间辐射引起的单粒子效应逐渐成为影响芯片可靠性的重要因素之一。针对辐射环境中高能粒子对锁存器的影响,提出了一种低开销的抗SEU锁存... 随着微电子技术的不断进步,集成电路工艺尺寸不断缩小,工作电压不断降低,节点的临界电荷越来越小,空间辐射引起的单粒子效应逐渐成为影响芯片可靠性的重要因素之一。针对辐射环境中高能粒子对锁存器的影响,提出了一种低开销的抗SEU锁存器(LOHL)。该结构基于C单元的双模冗余,实现对单粒子翻转的防护,从而降低软错误发生的概率。Spice模拟结果显示,与其他相关文献中加固锁存器相比,LOHL在电路面积、延迟和延迟-功耗积上有优势。 展开更多
关键词 锁存器 c单元 软错误 双模冗余
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A 130 nm radiation hardened flip–flop with an annular gate and a C-element
9
作者 王雷 蒋见花 +1 位作者 向一鸣 周玉梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第1期135-139,共5页
This paper presents a radiation hardened flip-flop with an annular gate and a Muller C-element. The proposed cell has multiple working modes which can be used in different situations. Each part of the cell can be veri... This paper presents a radiation hardened flip-flop with an annular gate and a Muller C-element. The proposed cell has multiple working modes which can be used in different situations. Each part of the cell can be verified easily and completely by using different modes. This cell has been designed under an SMIC 0.13 μm process and 3-D simulated by using Synopsys TCAD. Heavy-ion testing has been done on the cell and its counterparts. The test results demonstrate that the presented cell reduces the cell's saturation cross section by approximately two orders of magnitude with little penalty on performance. 展开更多
关键词 SEU flip-flop annular gate c-element
原文传递
一种低功耗的容软错误锁存器设计
10
作者 徐辉 施峰 《铜陵学院学报》 2020年第4期97-102,共6页
为了缓解单粒子效应对锁存器的影响,设计了一种低功耗、高可靠的锁存器。该锁存器在内部使用了高电平信号控制时钟反相器的方法构建反馈回路,功耗开销大幅降低;并在锁存器末端使用了具有过滤瞬态故障能力的C单元作为输出级。Hspice仿真... 为了缓解单粒子效应对锁存器的影响,设计了一种低功耗、高可靠的锁存器。该锁存器在内部使用了高电平信号控制时钟反相器的方法构建反馈回路,功耗开销大幅降低;并在锁存器末端使用了具有过滤瞬态故障能力的C单元作为输出级。Hspice仿真表明,该锁存器不但可以过滤从上游组合电路传播过来的SET脉冲,而且对SEU完全容忍。相比于FERST、LCHR、STI、TMR、LESH-1锁存器,文章中提出锁存器的功耗平均下降55.01%,功耗延迟积下降了75.22%,延迟下降了37.34%。 展开更多
关键词 软错误 单粒子效应 反馈回路 c单元
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一种功控状态保持低功耗C单元设计
11
作者 董恒锋 雷师节 邬杨波 《宁波大学学报(理工版)》 CAS 2016年第2期23-28,共6页
提出了一种新的具有状态保持功能的功控低功耗C单元,该C单元采用高阈值NMOS管作为功控开关,以减小C单元休眠期间的漏功耗,并利用交叉耦合的高阈值反相器构成数据保持单元,保持电路休眠状态时的数据.版图后仿真结果表明:该C单元具有正确... 提出了一种新的具有状态保持功能的功控低功耗C单元,该C单元采用高阈值NMOS管作为功控开关,以减小C单元休眠期间的漏功耗,并利用交叉耦合的高阈值反相器构成数据保持单元,保持电路休眠状态时的数据.版图后仿真结果表明:该C单元具有正确的逻辑功能,与传统弱反馈C单元相比,其漏功耗下降86.6%,动态功耗下降7.6%,可在基于功控技术的低功耗异步电路设计中应用. 展开更多
关键词 异步电路 功控技术 低功耗 c单元 状态保持
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一种新型低功耗抗软错误锁存器
12
作者 张章 周宇澄 +2 位作者 刘俊丞 程心 解光军 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第10期2520-2525,共6页
该文提出一种新型的C单元的连接方法,将距离输出节点比较远的P型和N型晶体管的栅端与C单元的输出节点相连接,利用晶体管自身的反馈机制形成反馈路径,实现了自恢复功能,因此大幅降低动态消耗和硬件开销;采用点加强型C单元作为输出级电路... 该文提出一种新型的C单元的连接方法,将距离输出节点比较远的P型和N型晶体管的栅端与C单元的输出节点相连接,利用晶体管自身的反馈机制形成反馈路径,实现了自恢复功能,因此大幅降低动态消耗和硬件开销;采用点加强型C单元作为输出级电路并进行优化,使得电路抵御单粒子翻转的能力更强;基于上述改进,搭建出一个新的抗软错误锁存器,将输入信号经过传输门以后接传到输出端,以降低输入信号传到输出节点的延迟,利用节点之间的反馈比较机制进一步提升各个电路节点的临界电荷量。在22 nm的先进工艺下进行仿真,实验结果表明,提出的新型锁存器电路不仅具有优秀的抗软错误能力,并且在功耗延迟积方面比现有的锁存器电路性能提升了26.74%~97.50%。 展开更多
关键词 锁存器 软错误 c单元 自恢复
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微量C,B对高铌TiAl合金显微组织与力学性能的影响 被引量:26
13
作者 李书江 王艳丽 +2 位作者 林均品 林志 陈国良 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期144-148,共5页
采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等设备,以及拉伸和蠕变试验系统研究微量间隙元素C,B对高铌TiAl合金显微组织与力学性能的影响。微量B元素对高铌TiAl合金没有明显的强化作用,但是微量B元素在合金中以条状或点状的TiB_... 采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等设备,以及拉伸和蠕变试验系统研究微量间隙元素C,B对高铌TiAl合金显微组织与力学性能的影响。微量B元素对高铌TiAl合金没有明显的强化作用,但是微量B元素在合金中以条状或点状的TiB_2存在,TiB_2细化了高铌TiAl合金原始片层团晶粒,对改善高铌TiAl合金片层组织的室温塑性有利。加微量C元素的高铌TiAl合金在长时间的蠕变过程中,大量Ti_3AlC沉淀相的析出提高了高铌TiAl合金全片层组织蠕变抗力。 展开更多
关键词 高铌TIAL合金 间隙元素 显微组织 力学性能
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淬火配分贝氏体钢不同位置残余奥氏体C、Mn元素表征及其稳定性 被引量:16
14
作者 田亚强 田耕 +3 位作者 郑小平 陈连生 徐勇 张士宏 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期332-340,共9页
采用部分奥氏体化-两相区保温-淬火-配分(IQ&PB)热处理工艺,借助SEM、TEM、XRD研究了淬火配分贝氏体钢组织形貌及残余奥氏体特征,利用EPMA、EBSD、纳米压痕等表征了不同位置残余奥氏体中合金元素的分布情况,结合室温拉伸应力-应变曲... 采用部分奥氏体化-两相区保温-淬火-配分(IQ&PB)热处理工艺,借助SEM、TEM、XRD研究了淬火配分贝氏体钢组织形貌及残余奥氏体特征,利用EPMA、EBSD、纳米压痕等表征了不同位置残余奥氏体中合金元素的分布情况,结合室温拉伸应力-应变曲线,研究了C、Mn元素对不同位置残余奥氏体稳定性的影响及其相变规律。结果表明,淬火贝氏体钢室温组织中残余奥氏体以块状和薄膜状形态存在。在拉伸形变过程中,发生TRIP效应,残余奥氏体体积减小,相变优先发生在铁素体晶界,最后发生在贝氏体板条之间,C、Mn元素对残余奥氏体有稳定作用,使残余奥氏体不易发生相变。拉伸断口处应力集中,残余奥氏体完全转变为马氏体,距离断口2和4 mm处,残余奥氏体体积分数分别为3.12%和5.03%。薄膜状残余奥氏体比块状残余奥氏体稳定性更强,并且<111>γ晶向的残余奥氏体不稳定,容易向马氏体转变。 展开更多
关键词 淬火配分贝氏体钢 不同位置残余奥氏体 c、Mn元素分布 残余奥氏体稳定性 TRIP效应
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纳米级石墨晶体的各向异性力学性能的计算 被引量:3
15
作者 杨学贵 曾攀 《应用基础与工程科学学报》 EI CSCD 2006年第3期375-383,共9页
理想的石墨晶体是由碳原子以sp2杂化轨道和邻近的三个碳原子形成共价键,构成六角平面的网状层片结构,层片之间以Van derW aals力相结合.基于原子键合理论的力能关系基本原理:层片内以C—C键合单元相结合,层片间采用连续介质填充单元,建... 理想的石墨晶体是由碳原子以sp2杂化轨道和邻近的三个碳原子形成共价键,构成六角平面的网状层片结构,层片之间以Van derW aals力相结合.基于原子键合理论的力能关系基本原理:层片内以C—C键合单元相结合,层片间采用连续介质填充单元,建立石墨晶体的复合模型.其中C—C键合单元包括两个节点,每个节点包含三个自由度:ux,uy,uz.键合单元是该复合建模方法的主要部分.通过运算分析,确定了石墨晶体C—C键合单元的各个参数,该参数保证了石墨晶体正交各向异性的性质.同时,通过建立石墨晶体的拉伸、剪切等计算模型,并与实验数据相对比,验证了该石墨晶体复合建模方法的正确性,并将该复合模型用于研究石墨晶体的模态分析.该复合建模方法为研究石墨的微观结构、性能等提供了一种有效的数值模拟方法. 展开更多
关键词 纳米级石墨晶体 各向异性 cc键合单元 复合建模方法 实验验证
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C、Mn元素对淬火配分贝氏体钢残留奥氏体稳定性的影响 被引量:4
16
作者 田亚强 田耕 +3 位作者 郑小平 魏英立 宋进英 陈连生 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期112-116,共5页
采用双相区保温-淬火(I&Q)、淬火-配分-贝氏体区等温(Q&PB)和双相区保温-淬火-配分-贝氏体区等温(IQ&PB)热处理工艺,研究C、Mn元素对残留奥氏体热稳定和机械稳定性的影响。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(X... 采用双相区保温-淬火(I&Q)、淬火-配分-贝氏体区等温(Q&PB)和双相区保温-淬火-配分-贝氏体区等温(IQ&PB)热处理工艺,研究C、Mn元素对残留奥氏体热稳定和机械稳定性的影响。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和电子探针(EPMA)对试验钢的组织形貌、残留奥氏体含量及合金元素分布进行表征。结果表明,试验钢在双相区保温过程中C、Mn元素由铁素体向奥氏体扩散,在奥氏体发生富集,使奥氏体的热稳定性增强;在形变过程中由于C、Mn元素的稳定作用使残留奥氏体的机械稳定性提高。试验钢经IQ&PB工艺处理后,抗拉强度为1098MPa,伸长率达20%,其强塑积达21 960MPa·%,与Q&PB工艺相比,强塑积提高了6840MPa·%。 展开更多
关键词 IQ&PB工艺 c、Mn元素配分 残留奥氏体的稳定性 力学性能
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食品供应链管理实施的要素组合和目标优化 被引量:2
17
作者 陈蓝荪 《中国流通经济》 CSSCI 北大核心 2007年第12期11-14,共4页
本文认为,食品供应链是将食品产业上下游企业直到最终用户连成一个整体物流的功能网链。食品企业应从实际情况出发,分阶段逐步实施供应链管理。文章指出,食品供应链管理实施包括顾客中心、核心业务、合作、冷链、补充、计策、信用、创... 本文认为,食品供应链是将食品产业上下游企业直到最终用户连成一个整体物流的功能网链。食品企业应从实际情况出发,分阶段逐步实施供应链管理。文章指出,食品供应链管理实施包括顾客中心、核心业务、合作、冷链、补充、计策、信用、创新、循环等九个要素,即9Cs’要素。为从时间和成本两个方面促进产品增值,应通过链站节点、网络参数及政策环境等的优化,建立供应链系统,优化食品供应链管理,提高我国现代食品企业的国际竞争力。 展开更多
关键词 食品供应链管理 9c’s要素 目标优化 单向链模型
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用于C-C共价键力能关系表征的等效C-C键合单元 被引量:1
18
作者 曾攀 杜婧 杨学贵 《固体力学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期325-332,共8页
基于Born-Oppenheimer近似的二次函数形式的势能关系,研究了C-C键沿键轴伸缩、在σ平面和π平面内旋转的力学表征.在原子的平衡位置附近和线弹性的范围内,得到了基于原子核位移表达的平衡关系.在定义一个C-C共价键上两个原子的6个位移... 基于Born-Oppenheimer近似的二次函数形式的势能关系,研究了C-C键沿键轴伸缩、在σ平面和π平面内旋转的力学表征.在原子的平衡位置附近和线弹性的范围内,得到了基于原子核位移表达的平衡关系.在定义一个C-C共价键上两个原子的6个位移自由度的基础上,构建了完整的等效C-C键合单元.当对构成晶形碳的C-C共价键的六环结构进行建模时,等效C-C键合单元方法能够反映出共价键中的键长、键角和键能这三大特征.通过对石墨片和C60分子振动的计算分析和实验比较,得到等效C-C键单元中的力常数,并讨论了力常数的变化状况.该文还对单壁碳纳米管的拉伸弹性模量进行了计算分析,取得较好的效果.等效C-C键合单元可以为碳材料的大规模分子力学计算提供一种实用方法. 展开更多
关键词 等效c-c键合单元 分子结构表征 力常数 石墨 碳纳米管
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CCL20、CCR6、IL-21血清水平变化与自身免疫性肝炎患者肝组织炎症活动分级的关联性分析
19
作者 牛斌 《医学检验与临床》 2021年第10期8-10,15,共4页
目的:研究血清趋化因子C-C-基元配体20(CCL20)、C-C-基元受体6(CCR6)、白介素-21(IL-21)水平变化与自身免疫性肝炎(AIH)患者肝组织炎症活动分级的关联性。方法:选取我院AIH患者121例(2019年5月~2020年5月),及同期健康体检者60例,均行血... 目的:研究血清趋化因子C-C-基元配体20(CCL20)、C-C-基元受体6(CCR6)、白介素-21(IL-21)水平变化与自身免疫性肝炎(AIH)患者肝组织炎症活动分级的关联性。方法:选取我院AIH患者121例(2019年5月~2020年5月),及同期健康体检者60例,均行血清CCL20、CCR6、IL-21水平检测。比较AIH患者、健康体检者及不同肝组织炎症活动分级血清因子水平,分析AIH患者血清因子水平与肝组织炎症活动分级的关联性及联合检测对G3~4级AIH患者的诊断价值。结果:AIH患者血清CCL20、CCR6、IL-21水平高于健康体检者(P<0.05);随着肝组织炎症活动分级的提升,血清CCL20、CCR6、IL-21水平呈逐渐升高趋势(P<0.05);经Spearman相关性分析,AIH患者血清CCL20、CCR6、IL-21水平与肝组织炎症活动分级呈正相关(P<0.05);经ROC曲线分析,联合检测AUC值0.876大于CCL20、CCR6、IL-21检测AUC(P<0.05)。结论:AIH患者血清CCL20、CCR6、IL-21水平会发生明显异常变化,且与肝组织炎症活动分级具有关联性,有助于对G3~4级的准确诊断及针对性治疗方案的制定。 展开更多
关键词 趋化因子c-c-基元配体20 趋化因子c-c-基元受体 白介素-21 自身免疫性肝炎 关联性
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基于要素的高校创新创业课程质量提升研究
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作者 高其胜 《科教导刊》 2023年第25期12-14,共3页
目前,创新创业教育已经在高校形成广泛认识并迅速推进,但创新创业教育的质量控制体系尚未形成,创新创业课程的实施还需要进一步改进。文章以高校创新创业课程实施现状为出发点,分别指出了其在课程内容、课程教学、师资力量、实践平台、... 目前,创新创业教育已经在高校形成广泛认识并迅速推进,但创新创业教育的质量控制体系尚未形成,创新创业课程的实施还需要进一步改进。文章以高校创新创业课程实施现状为出发点,分别指出了其在课程内容、课程教学、师资力量、实践平台、课程效果评价等方面存在的问题,并在此基础上,对课程内容设计、课堂教学设计、课程师资培养、课程实践平台搭建、课程效果评价等五个方面进行了探索,提出了基于5C要素的课程质量提升策略。 展开更多
关键词 高校 创业课程 5c要素 课程质量
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