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题名C掺杂AlN的电子结构和光学性质的第一性原理研究
被引量：6
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作者
王腊节
聂招秀
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机构
南昌大学共青学院
南昌工程学院
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出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2019年第1期116-122,共7页
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文摘
采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了C掺杂铅锌矿AlN的电子结构、磁性和光学性质.结果表明,C掺杂AlN产生了自旋极化,在带隙中引入杂质带形成受主能级,实现p型掺杂,同时表现出较强的半金属铁磁性,半金属能隙为0.315eV,理论上可实现100%的自旋载流子注入.掺杂后体系的介电函数虚部和光吸收系数在低能区出现新的峰值,吸收边向低能方向延展,能量损失明显减少.
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关键词
c掺杂aln
铁磁性
稀磁半导体(DMS)
光学性质
第一性原理
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Keywords
c-doped aln
Ferromagnetism
Dilute magnetic semiconductor(DMS)
Optical properties
First-principles
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分类号
O472
[理学—半导体物理]
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