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基于C-W复合膜／无定形碳纳米岛的表面传导电子发射阴极
1
作者
朱丹
李德杰
+2 位作者
赵勇
胡强
王健
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期419-424,共6页
介绍了基于C-W复合膜/无定形碳纳米岛的表面传导电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。利用低熔点纳米Bi岛作为掩模刻蚀得到无定形碳的纳米岛结构,在保留大岛形貌的同时,去除了一定量的小岛结构;同时在无定形碳中掺入少量的...
介绍了基于C-W复合膜/无定形碳纳米岛的表面传导电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。利用低熔点纳米Bi岛作为掩模刻蚀得到无定形碳的纳米岛结构,在保留大岛形貌的同时,去除了一定量的小岛结构;同时在无定形碳中掺入少量的W原子,制作导电性极佳的C-W复合膜作为上层发射层,利于激活形成电子发射区域。通过对工艺参数的优化,得到了稳定、均匀的电子发射,电子发射率在阴阳极间距2mm、阳极电压为3 kV时达到0.9%,向器件实用化方向迈出了重要的一步。
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关键词
平面显示
电子发射
c
-
w
复合膜
磁控溅射
无定形碳纳米岛
Bi纳米岛
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职称材料
题名
基于C-W复合膜／无定形碳纳米岛的表面传导电子发射阴极
1
作者
朱丹
李德杰
赵勇
胡强
王健
机构
清华大学电子工程系北京
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期419-424,共6页
基金
国家自然科学基金项目(No.60571015,No.50706022)
文摘
介绍了基于C-W复合膜/无定形碳纳米岛的表面传导电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。利用低熔点纳米Bi岛作为掩模刻蚀得到无定形碳的纳米岛结构,在保留大岛形貌的同时,去除了一定量的小岛结构;同时在无定形碳中掺入少量的W原子,制作导电性极佳的C-W复合膜作为上层发射层,利于激活形成电子发射区域。通过对工艺参数的优化,得到了稳定、均匀的电子发射,电子发射率在阴阳极间距2mm、阳极电压为3 kV时达到0.9%,向器件实用化方向迈出了重要的一步。
关键词
平面显示
电子发射
c
-
w
复合膜
磁控溅射
无定形碳纳米岛
Bi纳米岛
Keywords
Flat panel display, Ele
c
tron emission,
c
-
w
c
ompound film, Magnetron sputtering, Amorphous
c
arbonnano-islands, Bi nano-islands
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于C-W复合膜／无定形碳纳米岛的表面传导电子发射阴极
朱丹
李德杰
赵勇
胡强
王健
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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