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用深能级瞬态谱方法研究多晶硅薄膜的晶粒界面态
被引量：
2
1
作者
舒畅
包宗明
桑野博
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第5期263-270,共8页
本文发展了一个改进的深能级瞬态谱方法——C^2DLTS方法,并将该方法应用于硅离于注入再结晶法处理的多晶硅薄膜的晶粒界面态的研究。实验结果表明:多晶硅薄膜的晶粒界面态和硅离子注入后多晶硅薄膜的晶粒组成结构是密切相关的。
关键词
晶粒界面态
多晶硅
薄膜
^
c
^2
dlts
法
下载PDF
职称材料
题名
用深能级瞬态谱方法研究多晶硅薄膜的晶粒界面态
被引量：
2
1
作者
舒畅
包宗明
桑野博
机构
复旦大学
日本庆应义塾大学
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第5期263-270,共8页
文摘
本文发展了一个改进的深能级瞬态谱方法——C^2DLTS方法,并将该方法应用于硅离于注入再结晶法处理的多晶硅薄膜的晶粒界面态的研究。实验结果表明:多晶硅薄膜的晶粒界面态和硅离子注入后多晶硅薄膜的晶粒组成结构是密切相关的。
关键词
晶粒界面态
多晶硅
薄膜
^
c
^2
dlts
法
Keywords
Deep level transient spe
c
tros
c
opy, Grain-boundary states, Polysili
c
on films, Sili
c
on ion implantation and
分类号
O484.5 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用深能级瞬态谱方法研究多晶硅薄膜的晶粒界面态
舒畅
包宗明
桑野博
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991
2
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职称材料
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