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近晶C相液晶中向错线对自由能的影响
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作者 吕健 宋纳红 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期50-52,共3页
利用映射方法计算了近晶相液晶中向错线对自由能的影响.得出向错线自身的自由能是以kπ为单位拓扑量子化的,从而弥补了挖掉奇异区域来估算向错线自由能的不足.研究结果表明,向错强度相同的两条向错线由于排斥最终将达到一个平衡状态,... 利用映射方法计算了近晶相液晶中向错线对自由能的影响.得出向错线自身的自由能是以kπ为单位拓扑量子化的,从而弥补了挖掉奇异区域来估算向错线自由能的不足.研究结果表明,向错强度相同的两条向错线由于排斥最终将达到一个平衡状态,向错强度相反的两条向错线由于吸引可能彼此湮灭. 展开更多
关键词 c指向矢 向错线 自由能
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