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题名Ga掺杂ZnO电子结构的密度泛函计算
被引量：11
- 1
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作者
张富春
邓周虎
阎军锋
王雪文
张志勇
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机构
西北大学电子科学系
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期1268-1272,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(10271093
60472068)
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文摘
根据密度泛函理论(DFT),采用“总体能量-平面波”超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据。计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体能量、能带结构、总体态密度、分波态密度。分析了Ga掺杂对ZnO晶体电子结构和光学吸收带边的影响。
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关键词
ZNO
密度泛函
电子结构
掺杂
光吸收边
burstein-moss移动
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Keywords
ZnO
density function theory
electronic structure
doping
optical absorption edge
burstein-moss shift
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分类号
TN302
[电子电信—物理电子学]
O646.54
[理学—物理化学]
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题名ITO薄膜导电机理紫外-红外光谱分析
被引量：1
- 2
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作者
余刚
赵芳红
刘益环
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机构
中国建筑材料科学研究总院
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出处
《武汉理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第22期84-87,共4页
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文摘
采用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备ITO薄膜,结合薄膜面电阻和微观结构,采用红外、紫外光谱特征分析薄膜的导电机理。结果表明:在相同氧分压下随温度升高紫外吸收波长向短波方向移动,光学带隙展宽,红外等离子共振吸收波长向短波方向移动;随氧分压增加紫外吸收波长明显向长波方向移动,光学带隙变窄,红外等离子共振吸收波长向长波方向移动;根据Burstein-Moss移动理论及XRD、AFM结果,说明温度升高改善ITO薄膜结晶程度,提高Sn掺杂效率,载流子浓度增加;相同温度条件下随氧分压的增加使氧空位减少,载流子减少,并且氧分压的影响更为显著。
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关键词
ITO薄膜
载流子浓度
红外光谱
紫外光谱
burstein-moss移动
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Keywords
ITO film
carrier concentration
infrared spectrum
ultraviolet spectrum
burstein-moss shift
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分类号
TQ171
[化学工程—玻璃工业]
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