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AlGaSb三元化合物的液相外延生长及其参数测量
1
作者
茅惠兵
王海龙
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期189-191,共3页
在 GaSb 衬底上用过冷却技术在550℃的饱和温度下生长了晶格匹配的AlGaSb 外延层。用金相显微镜测量了外延层的厚度并观察了形貌。用 X 射线双晶衍射和低温光致发光技术分别测量了材料的晶格常数和禁带宽度,并因此确定了外延层的组分。
关键词
液相外延
AlGaSb/GaSb
参数测量
下载PDF
职称材料
题名
AlGaSb三元化合物的液相外延生长及其参数测量
1
作者
茅惠兵
王海龙
机构
中国科学院上海光学机械研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期189-191,共3页
文摘
在 GaSb 衬底上用过冷却技术在550℃的饱和温度下生长了晶格匹配的AlGaSb 外延层。用金相显微镜测量了外延层的厚度并观察了形貌。用 X 射线双晶衍射和低温光致发光技术分别测量了材料的晶格常数和禁带宽度,并因此确定了外延层的组分。
关键词
液相外延
AlGaSb/GaSb
参数测量
Keywords
LPE
AlGaSb/GaSb
bimorph
diffraction
Photoluminescence
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaSb三元化合物的液相外延生长及其参数测量
茅惠兵
王海龙
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993
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