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原位晶体生长及化学反应的湿环境扫描电子显微分析
被引量：
1
1
作者
吉元
张隐奇
+1 位作者
卫斌
王丽
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1548-1553,共6页
采用环境扫描电镜(ESEM)及微操纵/微注入系统(MMI/MIS),动态观察NaCl晶体的原位溶解和结晶过程以及BiVO4晶体的原位反应.实测MMI系统的针尖在线性进退(Z-轴)、水平(X-轴)转动和垂直(Y-轴)转动3个方向的位移精度分别达到5、5和0.5 nm.MI...
采用环境扫描电镜(ESEM)及微操纵/微注入系统(MMI/MIS),动态观察NaCl晶体的原位溶解和结晶过程以及BiVO4晶体的原位反应.实测MMI系统的针尖在线性进退(Z-轴)、水平(X-轴)转动和垂直(Y-轴)转动3个方向的位移精度分别达到5、5和0.5 nm.MIS系统的液滴尺寸为200~300μm.通过改变样品室压力(420~850 Pa)和样品温度(-1~50℃),控制水的蒸发和凝结状态,研究水湿环境对晶体的溶解、生长及生长速率的影响.采用2个MMI/MIS系统,通过液体微注入方式,在700 Pa和4℃下分别注入NH4VO3和Bi(NO3)3液滴,得到原位反应产物BiVO4八面体.
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关键词
环境扫描电镜(ESEM)
动态和原位
微注入
加湿
bivo
4
晶体
下载PDF
职称材料
BiVO_4晶体的坩埚下降法生长与性能研究
2
作者
冯德圣
刘希涛
+1 位作者
王静
易志国
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期3104-3107,共4页
采用坩埚下降法成功生长出厘米尺寸的单斜相BiVO4晶体并利用X射线衍射仪、偏振光显微镜、接触角测量仪和静电计对其结晶形态、表面畴结构、接触角随光照时间的变化以及电阻率随温度的变化行为进行了研究。发现BiVO4晶体接触角随光照时...
采用坩埚下降法成功生长出厘米尺寸的单斜相BiVO4晶体并利用X射线衍射仪、偏振光显微镜、接触角测量仪和静电计对其结晶形态、表面畴结构、接触角随光照时间的变化以及电阻率随温度的变化行为进行了研究。发现BiVO4晶体接触角随光照时间呈现先减小后增大的变化规律,同时电阻率随温度升高呈现先增大后减小的正温度系数效应。
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关键词
bivo
4
晶体
坩埚下降法
畴结构
接触角
电阻率
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职称材料
题名
原位晶体生长及化学反应的湿环境扫描电子显微分析
被引量：
1
1
作者
吉元
张隐奇
卫斌
王丽
机构
北京工业大学固体微结构与性能研究所
出处
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1548-1553,共6页
基金
国家自然科学基金项目资助(60171024)
北京市教委基金项目资助(KN200610005030)
文摘
采用环境扫描电镜(ESEM)及微操纵/微注入系统(MMI/MIS),动态观察NaCl晶体的原位溶解和结晶过程以及BiVO4晶体的原位反应.实测MMI系统的针尖在线性进退(Z-轴)、水平(X-轴)转动和垂直(Y-轴)转动3个方向的位移精度分别达到5、5和0.5 nm.MIS系统的液滴尺寸为200~300μm.通过改变样品室压力(420~850 Pa)和样品温度(-1~50℃),控制水的蒸发和凝结状态,研究水湿环境对晶体的溶解、生长及生长速率的影响.采用2个MMI/MIS系统,通过液体微注入方式,在700 Pa和4℃下分别注入NH4VO3和Bi(NO3)3液滴,得到原位反应产物BiVO4八面体.
关键词
环境扫描电镜(ESEM)
动态和原位
微注入
加湿
bivo
4
晶体
Keywords
ESEM
dynamic and in-situ
microinjection
wetting
bivo
4
crystal
分类号
TN16 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
BiVO_4晶体的坩埚下降法生长与性能研究
2
作者
冯德圣
刘希涛
王静
易志国
机构
安徽理工大学材料科学与工程学院
中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期3104-3107,共4页
基金
科技部重大研究计划项目(2013CB933203)
国家自然科学基金(21373224)
+2 种基金
福建省自然科学基金(2012J01242)
国家重点实验室开放课题项目(SKL201202SIC)
中国科学院百人计划择优支持项目
文摘
采用坩埚下降法成功生长出厘米尺寸的单斜相BiVO4晶体并利用X射线衍射仪、偏振光显微镜、接触角测量仪和静电计对其结晶形态、表面畴结构、接触角随光照时间的变化以及电阻率随温度的变化行为进行了研究。发现BiVO4晶体接触角随光照时间呈现先减小后增大的变化规律,同时电阻率随温度升高呈现先增大后减小的正温度系数效应。
关键词
bivo
4
晶体
坩埚下降法
畴结构
接触角
电阻率
Keywords
bivo
4
crystal
Bridgman method
domain structure
contact angle
electrical resistivity
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
原位晶体生长及化学反应的湿环境扫描电子显微分析
吉元
张隐奇
卫斌
王丽
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
下载PDF
职称材料
2
BiVO_4晶体的坩埚下降法生长与性能研究
冯德圣
刘希涛
王静
易志国
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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职称材料
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