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一种光电探测器与信号处理器的单片集成器件
被引量：
2
1
作者
杨鑫
谭开洲
+1 位作者
黄绍春
李荣强
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第3期346-350,355,共6页
提出了一种180 V光电探测器与10 V BiCMOS信号处理器的单片光电集成器件。研究发现,器件中n+p结的高边缘电场值对探测效率的影响较大。利用Silvaco TCAD软件进行了仿真设计,研究了高边缘电场对该集成器件中光电探测器的关键参数的影响...
提出了一种180 V光电探测器与10 V BiCMOS信号处理器的单片光电集成器件。研究发现,器件中n+p结的高边缘电场值对探测效率的影响较大。利用Silvaco TCAD软件进行了仿真设计,研究了高边缘电场对该集成器件中光电探测器的关键参数的影响。引入金属场板,提高了探测效率。仿真结果表明,该单片集成器件实现了光电探测器与信号处理器的工艺兼容和电压兼容。对比未引入金属场板和引入金属场板的情况,在入射光波长为1.06μm处,外量子效率分别为4.68%和36.3%,响应度分别为0.04 A·W-1·cm-2和0.31 A·W-1·cm-2。
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关键词
光电集成
高低压
光电探测器
bicmos
信号处理器
下载PDF
职称材料
题名
一种光电探测器与信号处理器的单片集成器件
被引量：
2
1
作者
杨鑫
谭开洲
黄绍春
李荣强
机构
重庆邮电大学光电工程学院
模拟集成电路国家重点实验室
中国电子科技集团公司第四十四研究所
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第3期346-350,355,共6页
基金
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(Y081109)
文摘
提出了一种180 V光电探测器与10 V BiCMOS信号处理器的单片光电集成器件。研究发现,器件中n+p结的高边缘电场值对探测效率的影响较大。利用Silvaco TCAD软件进行了仿真设计,研究了高边缘电场对该集成器件中光电探测器的关键参数的影响。引入金属场板,提高了探测效率。仿真结果表明,该单片集成器件实现了光电探测器与信号处理器的工艺兼容和电压兼容。对比未引入金属场板和引入金属场板的情况,在入射光波长为1.06μm处,外量子效率分别为4.68%和36.3%,响应度分别为0.04 A·W-1·cm-2和0.31 A·W-1·cm-2。
关键词
光电集成
高低压
光电探测器
bicmos
信号处理器
Keywords
photoelectric
integration
high
and
low
voltage
photodetector
bicmos
signal
processor
分类号
TN15 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种光电探测器与信号处理器的单片集成器件
杨鑫
谭开洲
黄绍春
李荣强
《微电子学》
CAS
北大核心
2019
2
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职称材料
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