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一种低压BiCMOS四象限模拟乘法器的设计 被引量：1
1
作者 管慧 汤玉生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期270-275,共6页
提出了一种结构简单的采用 Bi CMOS线性区跨导和输入预处理电路的低压 Bi CMOS四象限模拟乘法器 ,详细分析了电路的结构和设计原理。设计采用典型的 1.2 μm Bi CMOS工艺 ,并给出了电路的 SPICE模拟结果。模拟结果表明 ,当电源电压为... 提出了一种结构简单的采用 Bi CMOS线性区跨导和输入预处理电路的低压 Bi CMOS四象限模拟乘法器 ,详细分析了电路的结构和设计原理。设计采用典型的 1.2 μm Bi CMOS工艺 ,并给出了电路的 SPICE模拟结果。模拟结果表明 ,当电源电压为± 3V时 ,功耗小于 2 .5m W,线性输入电压范围大约± 2 V。当输入电压范围限于± 1.6 V时 ,总谐波失真和非线性误差均小于0 .8% ,- 3d B带宽大于 110 MHz。 展开更多
关键词 模拟集成电路 模拟乘法器 四象限 设计 bicmos
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一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计 被引量：1
2
作者 李彪 雷天民 《电子器件》 CAS 2007年第1期112-115,共4页
文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35μmBiCMOS工艺,采用Bro-kaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压... 文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35μmBiCMOS工艺,采用Bro-kaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5V±0.002V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2mV,电源电压抑制比为60dB.5V电源电压下功耗为1.19mW.具有良好的电源抑制能力. 展开更多
关键词 模拟集成电路 带隙基准电压源 Brokaw参考电压源 温度补偿bicmos
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一种四合一组合式电源控制器芯片的设计与实现
3
作者 陈卢 石秉学 卢纯 《电路与系统学报》 CSCD 2000年第4期93-97,共5页
本文设计和实现了一种用在计算机主板上的新型四合一组合式电源控制器芯片，它集成了一组可编程的同步整流式降压型开关电源控制器、一组普通的降压型开关电源控制器、一组线性电源控制器和一组带片上导通器件的线性电源调整器，从而减... 本文设计和实现了一种用在计算机主板上的新型四合一组合式电源控制器芯片，它集成了一组可编程的同步整流式降压型开关电源控制器、一组普通的降压型开关电源控制器、一组线性电源控制器和一组带片上导通器件的线性电源调整器，从而减小了主板面积和降低了成本。采用1.7(m BiCMOS工艺成功流水制作出该芯片，并以它为核心建立了一个适用于Pentium III系列计算机主板的四合一组合式电源系统。测试结果表明该电源系统各项性能指标完全符合Intel公司为Pentium III系列主板的电源系统制定的VRM8.4标准。 展开更多
关键词 专用集成电路 电源控制器芯片 计算机 bicmos
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