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A BI4π COUNTING METHOD FOR THE MEASUREMENT OF ACTIVITY
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作者 于凤翘 周宝国 +1 位作者 孙安康 李作前 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 1990年第3期179-186,共8页
In this article, a Bi4π counting method comprised of Bi4πcounter and a new fundamental measurement method was described, which can measures rather more radionuclides and can achieve accuracy of 0.03% to 0.06% (1σ),... In this article, a Bi4π counting method comprised of Bi4πcounter and a new fundamental measurement method was described, which can measures rather more radionuclides and can achieve accuracy of 0.03% to 0.06% (1σ), in principle. Thecorrectness of this method is demonstrated by measurements of 60Co sources which results of activities compared with 47πβ-γ coincident method are in agreement within the measurement errors, and it is readily achieved to accuracy of 0.2%. Finally, the range of the applications for this Bi4π counting method among one hundred or more important radionuclides is also discussed. 展开更多
关键词 ACTIVITY bi4π METHOD MEASUREMENT 4π COUNTER
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甘蓝型油菜BnaABI4基因CRISPR/Cas9编辑载体的构建及甘蓝型油菜转化 被引量:1
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作者 杨慧 胡信畅 +2 位作者 次央 阮颖 刘春林 《分子植物育种》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期1144-1151,共8页
ABI4(Abscisicacid-insensitive4)是ABA响应途径中重要的转录因子。本研究以甘蓝型油菜全基因组数据库为基础,借助拟南芥ABI4蛋白的氨基酸序列,通过序列比对,获得了甘蓝型油菜的2个BnaABI4,分别命名为BnaABI4-A (GenBank登录号为BnaA03g... ABI4(Abscisicacid-insensitive4)是ABA响应途径中重要的转录因子。本研究以甘蓝型油菜全基因组数据库为基础,借助拟南芥ABI4蛋白的氨基酸序列,通过序列比对,获得了甘蓝型油菜的2个BnaABI4,分别命名为BnaABI4-A (GenBank登录号为BnaA03g18970D)和BnaABI4-C (GenBank登录号为BnaC03g725-10D)。在这两个基因的CDS序列上寻找一段长度为20 bp、序列相同的片段作为基因编辑的目标位点,构建CRISPR/Cas9基因编辑载体pCAMBIA1300-sg RNA/Cas9-BnaABI4;借助根癌农杆菌介导的油菜下胚轴遗传转化法,成功将BnaABI4的基因编辑表达框转入甘蓝型油菜‘湘油15’中,共获得转基因植株13株,这将为深入研究甘蓝型油菜BnaABI4的生物学功能提供科学依据。 展开更多
关键词 甘蓝型油菜 BnaA bi4 CRISPR/Cas9 遗传转化
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工艺参数对熔盐法制备Bi_4Si_3O_(12)粉体的影响
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作者 江红涛 邬金芳 《陕西科技大学学报(自然科学版)》 2015年第6期53-56,共4页
利用熔盐法制备了纯相Bi_4Si_3O_(12)粉体,研究了工艺参数(如煅烧温度和盐含量)对熔盐法制备Bi_4Si_3O_(12)粉体的影响.通过XRD测试分析及后续实验简单化,得出最佳的煅烧温度和盐含量为850℃和40wt%.同时借助于紫外可见光谱,测试最佳工... 利用熔盐法制备了纯相Bi_4Si_3O_(12)粉体,研究了工艺参数(如煅烧温度和盐含量)对熔盐法制备Bi_4Si_3O_(12)粉体的影响.通过XRD测试分析及后续实验简单化,得出最佳的煅烧温度和盐含量为850℃和40wt%.同时借助于紫外可见光谱,测试最佳工艺条件下制得样品的吸光度,从而计算出禁带宽度为2.44ev.通过荧光光谱分析可知,所得Bi_4Si_3O_(12)粉体的最大激发波长和最大发射波长分别位于270nm和462nm,相对于Bi_4Si_3O_(12)单晶,激发光谱和发射光谱都发生了蓝移.同时分析了Bi_4Si_3O_(12)粉体的形貌与Bi2O3和SiO2粉体的形貌相似性,从而推断出合成机理为溶解-沉淀机理. 展开更多
关键词 bi4 Si3 O12粉体 熔盐法 工艺参数
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X-ray Powder Diffraction Pattern of Bi_4(SiO_4)_3
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作者 Hongchao LIU Changlin KUO (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 1997年第2期145-148,共4页
In cooperation with figure-of-merits the Rietveld analysis can appraise both angular and intensity data of powder diffraction. In this work, X-ray diffraction pattern of Bi4(SiO4)3 was redetermined with intensity figu... In cooperation with figure-of-merits the Rietveld analysis can appraise both angular and intensity data of powder diffraction. In this work, X-ray diffraction pattern of Bi4(SiO4)3 was redetermined with intensity figure-of-merits, which qualify agreement between observed and calculated relative intensities. F30 is 158.90 (0.0059, 32), intensity figure of merit Rint is 8.7, I20(17), 8.0. The values of figure-of-merits show that the data of JCPDS cards are distorted. Both the experimental and calculated peak positions and heights are listed in detail. 展开更多
关键词 SiO4 X-ray Powder Diffraction Pattern of bi4 bi
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Nb掺杂Bi_4Ti_3O_(12)层状结构铁电陶瓷的电行为特性研究 被引量:31
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作者 张丽娜 李国荣 +2 位作者 赵苏串 郑嘹赢 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1389-1395,共7页
采用固相烧结工艺制备了Nb5+掺杂的Bi4Ti3O12层状结构铁电陶瓷.运用XRD 和AFM对Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料的微观结构进行表征,发现所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构,抛光热腐蚀表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.通过对材料... 采用固相烧结工艺制备了Nb5+掺杂的Bi4Ti3O12层状结构铁电陶瓷.运用XRD 和AFM对Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料的微观结构进行表征,发现所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构,抛光热腐蚀表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.通过对材料直流电导率与温度关系的Arrhenius拟合,分析丁Bi4Ti3-xNbxO12+x/2的导电机理. Nb5+掺杂提高了材料的介电常数,但居里温度随掺杂含量的增加呈线性下降趋势.DSC结果显示Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料在居里温度处经历了一级铁电相变.样品的铁电性能测试结果表明, Nb5+掺杂Bi4Ti3O12提高了材料的剩余极化Pr,这主要是由于Nb5+取代Ti4+大大降低了材料中氧空位的浓度,使得氧空位对畴的钉扎作用减弱的缘故. 展开更多
关键词 电导率 活化能 铁电性能 bi4TI3O12
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工艺参数对熔盐法制备钛酸铋粉体影响的研究 被引量:22
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作者 阚艳梅 王佩玲 +1 位作者 李永祥 程一兵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1063-1067,共5页
研究了工艺参数对熔盐法制备钛酸铋粉体晶粒形貌和尺寸的影响.发现温度、盐的种类和盐的用量能够较显著地影响晶粒的形貌和尺寸.在氯盐中,晶粒尺寸随着温度的升高而逐渐增大,晶粒最终发育为较规则的圆片状,晶粒生长按照Ostwald液相生长... 研究了工艺参数对熔盐法制备钛酸铋粉体晶粒形貌和尺寸的影响.发现温度、盐的种类和盐的用量能够较显著地影响晶粒的形貌和尺寸.在氯盐中,晶粒尺寸随着温度的升高而逐渐增大,晶粒最终发育为较规则的圆片状,晶粒生长按照Ostwald液相生长机理来进行.在硫酸盐中,晶粒尺寸明显大于相同条件下在氯盐中的尺寸,且晶粒形貌呈不规则片状.当原料与盐的比例<1时,随着盐用量的增加,晶粒尺寸减小,形貌更加不规则.通过调整工艺参数能够控制颗粒的尺寸和形貌,制备具有各向异性生长的钛酸铋片状粉体. 展开更多
关键词 熔盐法 制备 钛酸铋粉体 bi4TI3O12 工艺参数 显微形貌 晶粒 尺寸
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钛酸铋纳米粉体的水热合成研究 被引量:22
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作者 杨群保 李永祥 +2 位作者 殷庆瑞 王佩玲 程一兵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1135-1140,共6页
讨论了水热合成条件(原料种类、摩尔配比、反应温度和晶化时间)对水热法制备钛酸铋粉体结构和形貌的影响,以Bi(NO3)3·5H2O和TiCl4为原料,NaOH为矿化剂,在180~230℃和2~12h的水热条件下,制备出Bi4Ti3O12纳米粉体.XRD结果表明它是... 讨论了水热合成条件(原料种类、摩尔配比、反应温度和晶化时间)对水热法制备钛酸铋粉体结构和形貌的影响,以Bi(NO3)3·5H2O和TiCl4为原料,NaOH为矿化剂,在180~230℃和2~12h的水热条件下,制备出Bi4Ti3O12纳米粉体.XRD结果表明它是典型的层状钙钛矿结构.TEM观察表明,Bi4Ti3O12纳米晶是方形片状的,无团聚,晶粒边长分布为80~250nm,平均长度约200nm. 展开更多
关键词 钛酸铋 纳米粉体 水热合成 bi4TI3O12 铁电体
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Bi(Nb)OCl光催化剂的制备及其可见光降解罗丹明B溶液的性能 被引量:15
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作者 朱蕾 王其召 +1 位作者 袁坚 上官文峰 《分子催化》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期362-365,共4页
半导体光催化剂作为环境净化材料,具有稳定性好、光效率高、无二次污染等特点,具有广泛的应用前景.过去的研究大都集中在以TiO2为基础的光催化剂上.本文制备了具有层状结构的Bi基氧氯化物Bi(Nb)OCl光催化剂,用XRD、BET和UV-VIS吸收对样... 半导体光催化剂作为环境净化材料,具有稳定性好、光效率高、无二次污染等特点,具有广泛的应用前景.过去的研究大都集中在以TiO2为基础的光催化剂上.本文制备了具有层状结构的Bi基氧氯化物Bi(Nb)OCl光催化剂,用XRD、BET和UV-VIS吸收对样品进行了晶相、孔结构和光吸收性能表征,用罗丹明B的降解表征了材料的光催化活性.结果表明,BiOCl和Bi4NbO8Cl均具有可见光光催化降解活性,但两者的反应机理不同,Bi4NbO8Cl是光催化机制,BiOCl是染料光敏化机制. 展开更多
关键词 光催化 降解 biOCl bi4NbO8Cl
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Bi/BiVO_4&Bi_4V_2O_(11)复合催化剂的制备及其光催化性能 被引量:14
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作者 梁梦君 邓楠 +4 位作者 向心怡 梅英 杨志远 杨赟 杨水金 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第2期263-270,共8页
经由溶剂热反应、光辅助还原过程制备Bi/Bi VO_4&Bi_4V_2O_(11)纳米复合光催化材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱(... 经由溶剂热反应、光辅助还原过程制备Bi/Bi VO_4&Bi_4V_2O_(11)纳米复合光催化材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、N_2吸附-脱附等温线和光致发光(PL)等手段对该复合物进行表征。实验结果表明当金属Bi与BiVO_4&Bi_4V_2O_(11)的质量比值为0.8,可见光照射30 min时,Bi/BiVO_4&Bi_4V_2O_(11)复合催化剂对罗丹明B(RhB)的降解率可达95.6%。此外,Bi/BiVO_4&Bi_4V_2O_(11)对四环素(TC)的降解也表现出增强的光催化性能。Bi/BiVO_4&Bi_4V_2O_(11)复合材料提升的光催化性能可能归因于金属Bi的表面等离子体共振(SPR)效应、拓宽的可见光吸收范围和增大的比表面积。此外,提出了复合光催化剂可能的光催化机理。 展开更多
关键词 bi/biVO4&bi4V2O11 SPR效应 光催化 罗丹明B 四环素 降解机理
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La掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)薄膜铁电性能的影响 被引量:13
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作者 郭冬云 王耘波 +2 位作者 于军 高俊雄 李美亚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期5551-5554,共4页
利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3·25La0·75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁... 利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3·25La0·75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化值和抗疲劳性能,对La掺杂改善Bi4Ti3O12铁电薄膜性能的机理进行了讨论. 展开更多
关键词 铁电性能 bi4Ti3O12薄膜 bi3.25La0.75Ti3O12薄膜 sol—gel法 LA掺杂
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In situ preparation of g-C3N4/Bi4O5I2 complex and its elevated photoactivity in Methyl Orange degradation under visible light 被引量:13
11
作者 Zhe Feng Lin Zeng +4 位作者 Qingle Zhang Shifeng Ge Xinyue Zhao Hongjun Lin Yiming He 《Journal of Environmental Sciences》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第1期149-162,共14页
A graphite carbon nitride(g-C3N4)modified Bi4O5I2 composite was successfully prepared insitu via the thermal treatment of a g-C3N4/Bi OI precursor at 400°C for 3 hr.The as-prepared g-C3N4/Bi4O5I2 showed high phot... A graphite carbon nitride(g-C3N4)modified Bi4O5I2 composite was successfully prepared insitu via the thermal treatment of a g-C3N4/Bi OI precursor at 400°C for 3 hr.The as-prepared g-C3N4/Bi4O5I2 showed high photocatalytic performance in Methyl Orange(MO)degradation under visible light.The best sample presented a degradation rate of 0.164 min^-1,which is 3.2 and 82 times as high as that of Bi4O5I2 and g-C3N4,respectively.The g-C3N4/Bi4O5I2 was characterized by X-ray powder diffractometer(XRD),scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),Raman,X-ray photoelectron spectroscopy(XPS),ultraviolet-visible diffuse reflectance spectra(DRS),electrochemical impedance spectroscopy(EIS)and transient photocurrent response in order to explain the enhanced photoactivity.Results indicated that the decoration with a small amount of g-C3N4 influenced the specific surface area only slightly.Nevertheless,the capability for absorbing visible light was improved measurably,which was beneficial to the MO degradation.On top of that,a strong interaction between g-C3N4 and Bi4O5I2 was detected.This interplay promoted the formation of a favorable heterojunction structure and thereby enhanced the charge separation.Thus,the g-C3N4/Bi4O5I2 composite presented greater charge separation efficiency and much better photocatalytic performance than Bi4O5I2.Additionally,g-C3N4/Bi4O5I2 also presented high stability.·O2^- and holes were verified to be the main reactive species. 展开更多
关键词 g-C3N4 bi4O5I2 Methyl Orange degradation HETEROJUNCTION Visible light
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Nb改性Bi_4Ti_3O_(12)高温压电陶瓷的研究 被引量:12
12
作者 江向平 杨庆 +3 位作者 陈超 涂娜 余祖灯 李月明 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1169-1174,共6页
采用同相法(成型压力~12MPa)获得了Nb改性的Bi4Ti3O12(BIT+xmol%Nb2O5)层状压电陶瓷.研究发现随着Nb2O5含量的增加,a-b面取向的品粒逐渐增多,晶粒尺寸愈细化与均匀.Nb2O5的引入明显降低了BIT系列陶瓷的导电率和介电损耗,... 采用同相法(成型压力~12MPa)获得了Nb改性的Bi4Ti3O12(BIT+xmol%Nb2O5)层状压电陶瓷.研究发现随着Nb2O5含量的增加,a-b面取向的品粒逐渐增多,晶粒尺寸愈细化与均匀.Nb2O5的引入明显降低了BIT系列陶瓷的导电率和介电损耗,提高了陶瓷的相对密度、压电与机电性能.适量Nb2O5(x=4.00)掺杂时,陶瓷的电导率(-10^-13S/cm)比纯BIT的降低了2个数量级,且该陶瓷的相对密度ρ=98.7%,tanδ=0.23%,d33=18pC/N,Qm=2804,kp=8.1%,kt=18.6%,Np=2227Hz·m,Nt=2025Hz·m.BIT+xmol%Nb2O5(x=4.00)陶瓷在600℃经退极化处理后,其d33基本保持不变(-17pC/N),表明该材料在高温器件领域具有良好的应用前景. 展开更多
关键词 压电陶瓷 微观结构 机电性能 bi4TI3O12
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铁电钛酸铋超微粉及陶瓷的研究 被引量:12
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作者 王旭升 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期415-419,共5页
采用类溶胶-凝胶方法制备了铁电Bi4Ti3O12超微粉,分别用X射线衍射、透射电子显微镜、激光散射粒度仪和差热分析仪对其结构、形貌、粒度和相变特性进行了测试分析。结果表明,超微粉形成了正交晶系Bi4Ti3O12结构,... 采用类溶胶-凝胶方法制备了铁电Bi4Ti3O12超微粉,分别用X射线衍射、透射电子显微镜、激光散射粒度仪和差热分析仪对其结构、形貌、粒度和相变特性进行了测试分析。结果表明,超微粉形成了正交晶系Bi4Ti3O12结构,晶粒尺寸为10~50nm。由微粉制备了Bi4Ti3O12陶瓷,其介电常数和损耗角正切分别为ε=105.6和tgδ=0.052(100Hz)及ε=97.2和tgδ=0.00036(4MHz),铁电参数矫顽电场Ec为2.91×106V/m,剩余极化强度Pr为7×10-3C/m2。 展开更多
关键词 超微粉 陶瓷 铁电体钛酸铋
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La掺杂对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷性能的影响 被引量:8
14
作者 卢网平 朱骏 +2 位作者 惠荣 陆文峰 陈小兵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期562-563,566,共3页
 利用传统的固相烧结工艺制备了Sr2LaxBi4-xTi5O18(x=0.00、0.05、0.1、0.25、0.5、0.75、1.00)陶瓷样品。用X射线衍射对其微结构进行了分析,并测量了其铁电、介电性能。X射线衍射结果表明La掺杂对Sr2Bi4Ti5O18的晶体结构几乎没有影响...  利用传统的固相烧结工艺制备了Sr2LaxBi4-xTi5O18(x=0.00、0.05、0.1、0.25、0.5、0.75、1.00)陶瓷样品。用X射线衍射对其微结构进行了分析,并测量了其铁电、介电性能。X射线衍射结果表明La掺杂对Sr2Bi4Ti5O18的晶体结构几乎没有影响。样品的铁电、介电结果表明,随着La掺杂量的增加,样品的剩余极化(2Pr)和矫顽场(Ec)逐渐减小,这是由于离子半径较大的La取代类钙钛矿层A位Bi离子,使得样品晶格畸变变小,从而导致2Pr降低,晶格畸变的减小也使得沿着外电场方向氧八面体中的阳离子更易运动,导致Ec减小。样品的相变温度Tc随着La含量的增加而降低,这也与样品晶格畸变有关。 展开更多
关键词 Sr2bi4Ti5O18 铁电陶瓷 铁电性能 氧空位 晶格畸变 相变温度 掺杂
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双读出量能器用闪烁晶体研究进展 被引量:11
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作者 肖学峰 徐家跃 向卫东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期347-357,共11页
双读出量能器是一种全新设计的高能粒子探测装置,它能同时测量到Cherenkov光和闪烁光,因而能更全面地获得高能粒子的信息。目前,双读出量能器主要有三种设计方式:(1)采用石英纤维产生Cherenkov光,塑料闪烁纤维生成闪烁光;(2)分别以未掺... 双读出量能器是一种全新设计的高能粒子探测装置,它能同时测量到Cherenkov光和闪烁光,因而能更全面地获得高能粒子的信息。目前,双读出量能器主要有三种设计方式:(1)采用石英纤维产生Cherenkov光,塑料闪烁纤维生成闪烁光;(2)分别以未掺杂的晶体纤维作为Cherenkov辐射体、Ce掺杂的同种晶体纤维作为闪烁体;(3)采用同种闪烁晶体有效分离Cherenkov光和闪烁光。第三种设计可以消除取样涨落、提高量能器的分辨率,因而备受关注。本文基于第三种设计方式探讨了钨酸铅(PbWO4)、锗酸铋(Bi4Ge3O12)、硅酸铋(Bi4Si3O12)和镥铝石榴石(Lu3Al5O12)四种。闪烁晶体在双读出量能器方面的研究进展和可能的应用。Pr掺杂PWO晶体以及硅酸铋晶体都有可能用于双读出量能器,而后者由于吸收边比锗酸铋更短,更易于分离Cherenkov光和闪烁光,在双读出量能器应用方面显示出明显的优势。稀土离子掺杂有望进一步提高硅酸铋晶体的性能,开发出更适合双读出应用的闪烁材料。 展开更多
关键词 闪烁晶体 双读出 Cherenkov光 bi4Si3O12 综述
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Sr和Nb复合掺杂Bi4Ti3O12基高温压电陶瓷的研究 被引量:10
16
作者 杨庆 江向平 +3 位作者 余祖灯 涂娜 陈超 陈燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1471-1477,共7页
采用传统固相法制备了Bi4Ti3O12+0.91wt%Nb2O5+xwt%SrCO3(BTNO-Sr,0.00≤x≤1.50)层状压电陶瓷,研究了Sr掺杂对BTNO系陶瓷微观结构与电性能的影响。结果表明所有样品均为单一的铋层状结构相陶瓷。适量引入Sr能使BTNO系陶瓷的晶粒尺寸细... 采用传统固相法制备了Bi4Ti3O12+0.91wt%Nb2O5+xwt%SrCO3(BTNO-Sr,0.00≤x≤1.50)层状压电陶瓷,研究了Sr掺杂对BTNO系陶瓷微观结构与电性能的影响。结果表明所有样品均为单一的铋层状结构相陶瓷。适量引入Sr能使BTNO系陶瓷的晶粒尺寸细化与均一,表现出介电弥散性,并改善其压电﹑机电和铁电性能。当x=0.50时,样品性能最佳:相对密度ρ=98.8%,压电常数d33=22 pC/N,平面机电耦合系数kp=9.5%,机械品质因子Qm=4462,剩余极化强度Pr=13.01μC/cm2,居里温度Tc=620℃。此外,介电性能和热稳定性能研究显示材料x=0.50具有好的压电稳定性,适合于制备高温高频压电器件。 展开更多
关键词 压电陶瓷 微观结构 机电性能 bi4TI3O12
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基于BGO晶体的反射型法拉第光纤电流传感器 被引量:10
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作者 王美蓉 周王民 +2 位作者 赵建林 卫沛锋 张鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1186-1190,共5页
采用Bi4Ge3O12(BGO)晶体作为传感元件,设计了一种闭合磁环型光纤电流传感器,并对其传感特性进行了理论分析和实验研究.将BGO晶体加工成一带斜面的长方体,并在端面镀金属膜,通过光在晶体中多次临界反射来增大光程以提高测量灵敏度.实验... 采用Bi4Ge3O12(BGO)晶体作为传感元件,设计了一种闭合磁环型光纤电流传感器,并对其传感特性进行了理论分析和实验研究.将BGO晶体加工成一带斜面的长方体,并在端面镀金属膜,通过光在晶体中多次临界反射来增大光程以提高测量灵敏度.实验测量得到的法拉第转角与采用倍频法测量的结果符合较好,但与实际结果存在一较大比例系数.对产生该系统误差的主要因素——传感头端面金属膜反射引起的相移及入射角偏离临界角时产生的相移进行了详细地理论分析和数值模拟.结果表明,金属膜反射和偏离临界角引起的相移对测量结果均有较大影响,但输出与作用在传感头上的磁感应强度呈很好的线性关系,可以通过将传感器的测量值乘上一个补偿系数来消除反射相移所产生的误差. 展开更多
关键词 光纤电流传感器 bi4Ge3O12(BGO)晶体 法拉第效应 反射相移
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不同形貌Bi_4Ti_3O_(12)粒子的可控合成及光催化性能(英文) 被引量:10
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作者 林雪 关庆丰 +2 位作者 刘婷婷 张瑶 邹春杰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第2期411-417,共7页
研究了用一步水热法制备的不同形貌的钛酸铋(Bi_4Ti_3O_(12),BIT)粒子的光学和可见光催化性能,并对其晶体结构和微观结构用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段进行... 研究了用一步水热法制备的不同形貌的钛酸铋(Bi_4Ti_3O_(12),BIT)粒子的光学和可见光催化性能,并对其晶体结构和微观结构用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段进行了表征.XRD结果表明,所制备的BIT样品为层状钙钛矿结构.FESEM结果表明,通过控制水热过程的反应参数可以得到不同形貌的纳米粒子.紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)表明BIT样品的带隙能约为2.88-2.93 eV利用可见光(λ>420 nm)照射下的甲基橙(MO)降解实验评价了BIT样品的光催化性能.结果表明,BIT的光催化活性比掺氮TiO_2(N-TiO_2)高得多.研究了形貌对BIT光催化性能的影响.所制备的BIT纳米带光催化效率最高,经可见光照射360 min,甲基橙溶液的降解率可达到95.0%. 展开更多
关键词 钛酸铋 纳米球 纳米片 纳米带 可控合成 光催化降解
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飞秒脉冲激光沉积Si基a轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜 被引量:8
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作者 周幼华 郑启光 +2 位作者 杨光 戴能利 陆培祥 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期832-836,共5页
在钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜的制备过程中容易获得晶粒C轴垂直于基片表面的薄膜,而压电和铁电存储器主要利用a轴的自发极化分量,因而制备a轴择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有特别的意义。采用飞秒脉冲激光作用在钛酸铋陶瓷靶上,采用Si... 在钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜的制备过程中容易获得晶粒C轴垂直于基片表面的薄膜,而压电和铁电存储器主要利用a轴的自发极化分量,因而制备a轴择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有特别的意义。采用飞秒脉冲激光作用在钛酸铋陶瓷靶上,采用Si(111)作为衬底,制备了a轴择优取向的钛酸铋薄膜。采用X射线衍射(XRD)的薄膜附件和场发射扫描电镜(FSEM)研究了薄膜的结构和形貌;采用傅里叶红外光谱仪测量了室温(20℃)下在石英基片上沉积的样品的光学特性;室温下沉积的钛酸铋薄膜呈C轴择优取向,晶粒的平均大小为20nm,其光学禁带宽度约为1.0eV。在500℃沉积的钛酸铋薄膜呈a轴择优取向,晶粒大小在30~300nm之间,薄膜的剩余极化强度P,为15μC/cm^2,矫顽力Er为48kV/cm。 展开更多
关键词 薄膜 铁电薄膜 钛酸铋 脉冲激光沉积法 飞秒
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(Bi,La)_4Ti_3O_(12)Sr(Bi,La)_4Ti_4O_(15)共生结构铁电材料性能研究 被引量:7
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作者 朱骏 卢网平 +3 位作者 刘秋朝 毛翔宇 惠荣 陈小兵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期2627-2631,共5页
采用固相烧结工艺 ,制备了不同La掺杂量 (x =0 0 0 ,0 2 5 ,0 50 ,0 75 ,1 0 0 ,1 2 5和 1 50 )的 (Bi,La) 4 Ti3 O1 2 Sr(Bi,La) 4 Ti4O1 5(SrBi8-xLaxTi7O2 7)共生结构铁电陶瓷样品 .用x射线衍射对其进行微结构分析 ,并测量... 采用固相烧结工艺 ,制备了不同La掺杂量 (x =0 0 0 ,0 2 5 ,0 50 ,0 75 ,1 0 0 ,1 2 5和 1 50 )的 (Bi,La) 4 Ti3 O1 2 Sr(Bi,La) 4 Ti4O1 5(SrBi8-xLaxTi7O2 7)共生结构铁电陶瓷样品 .用x射线衍射对其进行微结构分析 ,并测量铁电、介电性能 .结果发现 ,La掺杂未改变Bi4Ti3 O1 2 SrBi4Ti4O1 5共生结构铁电材料的晶体结构 .随掺杂量的增加 ,样品的矫顽场(Ec)略有增加 ,剩余极化 (2Pr)先增大 ,后减小 .在x =0 50时 ,2Pr 达到极大值 ,为 2 5 6 μC·cm-2 ,与Bi4Ti3 O1 2 SrBi4Ti4O1 5相比 ,2Pr 增加了近 60 % ,而Ec 仅增加约 1 0 % .随La掺杂量的增加 ,样品的居里温度TC 逐渐降低 ,x =0 50时 ,TC=556℃ .在x=1 50时 。 展开更多
关键词 (bi La)4Ti3O12-Srbi4Ti4O15 共生结构 铁电材料 微结构 铁电陶瓷 LA掺杂 居里温度 弛豫铁电体 铁电性能 介电性能
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