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退火处理对室温制备Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3薄膜热电性质的影响
被引量：
1
1
作者
娄本浊
《热加工工艺》
CSCD
北大核心
2012年第14期180-182,共3页
利用射频磁控溅镀法在SiO2/Si基板上制备了Bi0.5Sb1.5Te3薄膜样品,并且测量了薄膜样品在不同退火时间与退火温度下的热电性质。结果表明,薄膜样品经30 h退火后的热电性质与1 h退火后的热电性质相差不大,这说明长时间退火并不是Bi0.5Sb1....
利用射频磁控溅镀法在SiO2/Si基板上制备了Bi0.5Sb1.5Te3薄膜样品,并且测量了薄膜样品在不同退火时间与退火温度下的热电性质。结果表明,薄膜样品经30 h退火后的热电性质与1 h退火后的热电性质相差不大,这说明长时间退火并不是Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的最佳退火时间。而在不同退火温度下,样品的塞贝克系数在275～300℃退火下降比较快,当退火温度为300℃时降至最小,约为181μV/K;而其电阻率则随退火温度的升高呈现出先减小后增大的趋势,退火温度为225℃时具有最小的电阻率,约为6.1 mΩ.cm。最后本文得出经225℃退火10 min后可得到最佳的热电性质,即薄膜样品的塞贝克系数为208μV/K,电阻率为6.1mΩ.cm,功率因子则为6.9×10-4W/(m.K2)。
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关键词
bi
0.
5
sb
1.5
te
3
薄膜
退火处理
热电性质
下载PDF
职称材料
题名
退火处理对室温制备Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3薄膜热电性质的影响
被引量：
1
1
作者
娄本浊
机构
陕西理工学院
出处
《热加工工艺》
CSCD
北大核心
2012年第14期180-182,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(41105107)
陕西省自然科学基础研究计划基金资助项目(2010JM5011)
陕西省教育厅专项科研计划项目(11JK0553)
文摘
利用射频磁控溅镀法在SiO2/Si基板上制备了Bi0.5Sb1.5Te3薄膜样品,并且测量了薄膜样品在不同退火时间与退火温度下的热电性质。结果表明,薄膜样品经30 h退火后的热电性质与1 h退火后的热电性质相差不大,这说明长时间退火并不是Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的最佳退火时间。而在不同退火温度下,样品的塞贝克系数在275～300℃退火下降比较快,当退火温度为300℃时降至最小,约为181μV/K;而其电阻率则随退火温度的升高呈现出先减小后增大的趋势,退火温度为225℃时具有最小的电阻率,约为6.1 mΩ.cm。最后本文得出经225℃退火10 min后可得到最佳的热电性质,即薄膜样品的塞贝克系数为208μV/K,电阻率为6.1mΩ.cm,功率因子则为6.9×10-4W/(m.K2)。
关键词
bi
0.
5
sb
1.5
te
3
薄膜
退火处理
热电性质
Keywords
bi
（0.
5
）
sb
（
1.5
）
te
3 thin film
annealing treatment
thermo-electric property
分类号
TN37 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
退火处理对室温制备Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3薄膜热电性质的影响
娄本浊
《热加工工艺》
CSCD
北大核心
2012
1
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