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Na_xCo_2O_4基复合材料的制备及其热电性能 被引量:1
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作者 李妙 霍德璇 +2 位作者 付晨光 廖罗兵 程波 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期208-211,217,共5页
采用固相反应法制备出NaxCo2O4(x=0.9,1.1,1.3)多晶氧化物,采用水热法制备出(Bi0.1Sb0.9)2Te3单相粉末材料,再用球磨法将二者均匀混合获得了复合材料(Bi0.1Sb0.9)2Te3/NaxCo2O4。在5~300K的温度范围内,利用综合物性测试系统(PPMS)对热... 采用固相反应法制备出NaxCo2O4(x=0.9,1.1,1.3)多晶氧化物,采用水热法制备出(Bi0.1Sb0.9)2Te3单相粉末材料,再用球磨法将二者均匀混合获得了复合材料(Bi0.1Sb0.9)2Te3/NaxCo2O4。在5~300K的温度范围内,利用综合物性测试系统(PPMS)对热压复合材料的热电性能进行测量与评价。实验结果表明复合材料的热导率显著降低,同时电导率增大,与NaxCo2O4相比,复合材料的热电性能获得了显著提高。在室温下,复合材料的热电优值ZT约为3.5×10-4。热电性能的改善源于复合材料界面的声子散射的增强。 展开更多
关键词 氧化物 热电材料 NaxCo2O4 复合材料 bisbte合金
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Ag-Bi-Sb-Te四元合金的热电性能 被引量:1
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作者 唐兆官 赵新兵 +1 位作者 朱铁军 曹高劭 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期246-248,共3页
以Ag、Bi、Sb、Te为原料在1373K真空熔炼合成了AgxBi0.5Sb1.5-xTe3(x=0~0.5)合金。微观组织和结构分析显示,真空熔炼的合金具有层状组织特征,属R3m晶体结构,当x≥0.2时出现面心立方AgSbTe2相。电学性能测试表明,在300580K温... 以Ag、Bi、Sb、Te为原料在1373K真空熔炼合成了AgxBi0.5Sb1.5-xTe3(x=0~0.5)合金。微观组织和结构分析显示,真空熔炼的合金具有层状组织特征,属R3m晶体结构,当x≥0.2时出现面心立方AgSbTe2相。电学性能测试表明,在300580K温度范围内合金的电导率随温度升高而下降,掺Ag后合金的电导率明显提高,掺Ag量为X=0.1试样的最大值达到2.3×10^5S/m。材料的Seebeck系数均为正值,表明掺Ag合金为P型半导体。 展开更多
关键词 热电材料 Ag—bisbte合金 真空熔炼 热电性能
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SPS法制备p-型四元Al-Bi-Sb-Te合金的微结构与热电性能 被引量:2
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作者 崔教林 杨炜 +1 位作者 赵伟敏 徐雪波 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1526-1531,共6页
采用SPS法制备了p-型四元Al-Bi-Sb-Te合金,研究其微结构和热电性能.结果表明:Al含量直接影响材料的电、热学输运性能.当材料中Al替代Sb元素后,四元合金AlxBi0.5Sb15-xTe3(x=0.05~0.2)的电导率明显增大;在室温附近,x=0.1的合金其电导率... 采用SPS法制备了p-型四元Al-Bi-Sb-Te合金,研究其微结构和热电性能.结果表明:Al含量直接影响材料的电、热学输运性能.当材料中Al替代Sb元素后,四元合金AlxBi0.5Sb15-xTe3(x=0.05~0.2)的电导率明显增大;在室温附近,x=0.1的合金其电导率可达3.3×104Ω-1·m-1,大约是三元Bi0.5Sb1.5 Te3合金的2倍;四元合金系的最小Seebeck系数α为115μV/K,说明材料属p-型半导体;当温度为411 K时,合金AlxBi0.5-Sb1.5-xTe3(x=0.1)的ZT值出现最大值,其值为0.58,是同温度下典型三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.6倍. 展开更多
关键词 四元Al—bisbte合金 放电等离子烧结系统 微结构 热电性能
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In掺杂对p型Bi0.3Sb1.7Te3合金热电性能的影响
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作者 王小宇 李浩强 +5 位作者 杨双根 孙远涛 向波 朱彬 黄中月 祖方遒 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期68-72,共5页
以p型Bi0.3Sb1.7Te3合金为研究对象,探究In掺杂对其电声传输性能的影响。研究发现,随着In含量的增加,Seebeck系数上升,电导率降低,且当In含量为0.025时材料具有最优的PF,为37.02μW/(K^2·cm)。此外,In掺杂增加了材料中点缺陷的浓... 以p型Bi0.3Sb1.7Te3合金为研究对象,探究In掺杂对其电声传输性能的影响。研究发现,随着In含量的增加,Seebeck系数上升,电导率降低,且当In含量为0.025时材料具有最优的PF,为37.02μW/(K^2·cm)。此外,In掺杂增加了材料中点缺陷的浓度和晶格畸变的程度,加强了对声子的散射,故材料热导率下降。因此,当In含量为0.050时,样品在401 K下有最优的ZT,为1.11。本文为提升p型Bi0.3Sb1.7Te3合金热电性能提供了一种行之有效的方法,增加了热电材料实际应用的潜力。 展开更多
关键词 p型bi0.3sb1.7te3合金 In掺杂 热电性能
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