Sm对BaTiO_3陶瓷的气相扩渗及其电性能 被引量：5

1

作者 郝素娥 韦永德 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2004年第3期258-260,264,共4页

为了改善BaTiO3陶瓷的电性能,采用气相法对BaTiO3陶瓷扩渗了Sm元素,探讨了Sm扩渗对BaTiO3陶瓷导电性能和介电性能的影响.研究表明:经Sm扩渗后,BaTiO3陶瓷的室温电阻率从4 3×109Ω·m下降到2 1×102Ω·m,而且随着频率... 为了改善BaTiO3陶瓷的电性能,采用气相法对BaTiO3陶瓷扩渗了Sm元素,探讨了Sm扩渗对BaTiO3陶瓷导电性能和介电性能的影响.研究表明:经Sm扩渗后,BaTiO3陶瓷的室温电阻率从4 3×109Ω·m下降到2 1×102Ω·m,而且随着频率增大和温度升高,交流电导逐渐增大,BaTiO3陶瓷的导电性更强;经Sm扩渗的BaTiO3陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,而晶界电阻随着温度的升高,呈急剧连续降低状态,总电阻的变化规律与晶界电阻的变化相一致,试样总电阻的PTC效应已不存在,有向导电体过渡的趋势;Sm扩渗使BaTiO3陶瓷的介电常数在低频下显著增加,介电常数随温度的变化呈明显的PTC效应,并使BaTiO3陶瓷的居里温度升高到128 9oC. 展开更多

关键词 钐 稀土 钛酸钡陶瓷 气相扩渗 电性能

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Nd扩渗BaTiO_3陶瓷的电性能与XPS研究 被引量：5

2

作者 郝素娥 韦永德 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期184-187,共4页

采用气相法对钛酸钡陶瓷扩渗Nd元素,经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能发生了十分显著的变化。通过正交实验,确定了最佳扩渗条件,当Nd的浓度为2%,扩渗时间为4h,扩渗温度为860℃时,BaTiO3陶瓷的导电性最好,其室温电阻率从4 3×109Ω·... 采用气相法对钛酸钡陶瓷扩渗Nd元素,经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能发生了十分显著的变化。通过正交实验,确定了最佳扩渗条件,当Nd的浓度为2%,扩渗时间为4h,扩渗温度为860℃时,BaTiO3陶瓷的导电性最好,其室温电阻率从4 3×109Ω·m下降为37 45Ω·m,而且随着温度升高,交流电导逐渐增大,导电性更强。Nd扩渗使BaTiO3陶瓷的介电常数增加,而介电损耗降低,BaTiO3陶瓷的介电性能得到了显著改善。经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的介电常数随着温度的变化呈明显的PTC效应,其居里温度降低为118 1℃。经XPS测试分析,给出了Nd扩渗BaTiO3陶瓷体系中各元素结合能位置的峰值,并表明Nd扩渗BaTiO3陶瓷中Nd,Ba,Ti都存在变价,因而导致了BaTiO3陶瓷导电性的增强。 展开更多

关键词 无机非金属材料 钛酸钡陶瓷 气相扩渗 电性能 钕 稀土

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BaTiO_3陶瓷的击穿与电容器的耐压 被引量：4

3

作者 白花珍 张之圣 胡明 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期22-24,40,共4页

本文介绍了ＢａＴｉＯ３ 陶瓷介质的极化机理，说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的。并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因。此外还较全面地阐述了添加剂、粘合剂及它... 本文介绍了ＢａＴｉＯ３ 陶瓷介质的极化机理，说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的。并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因。此外还较全面地阐述了添加剂、粘合剂及它们的用量以及瓷料中针孔的产生。 展开更多

关键词 陶瓷 极化 击穿 温度 电容器 耐压 钛酸钡陶瓷

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半导体BaTiO_3陶瓷PTC效应的研究 被引量：2

4

作者 冯士明 吴晓东 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期53-58,共6页

本文应用俄歇电子能谱(AES)直接验证了BaTiO_3陶瓷的半导化是由于钛元素的变价(Ti^(4+)+e→Ti^(3+))所致,并据此对材料半导化程度作了半定量的描述;通过电子自旋共振(ESR)对存在于BaTiO_3陶瓷晶界中的Cu、Mn等受主杂质的价态进行了确定... 本文应用俄歇电子能谱(AES)直接验证了BaTiO_3陶瓷的半导化是由于钛元素的变价(Ti^(4+)+e→Ti^(3+))所致,并据此对材料半导化程度作了半定量的描述;通过电子自旋共振(ESR)对存在于BaTiO_3陶瓷晶界中的Cu、Mn等受主杂质的价态进行了确定。根据以上两种谱仪的检测结果,认为各种晶界受主态类型(晶界氧吸附、Ba空位及氧化态的杂质等)都有可能单独或同时存在,并取决于材料的组成及制备工艺。 展开更多

关键词 半导体 batio3陶瓷 PCT热敏电阻

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BaTiO_3基PTC材料性能的影响因素分析 被引量：2

5

作者 王国法 《景德镇陶瓷学院学报》 1994年第2期49-56,共8页

本文综述了影响BaTiO_3基PTC材料性能的各种因素,并分析了一些影响因素之间的交互作用和某些因素的多重作用。

关键词 钛酸钡陶瓷 PTC效应 施主掺杂 受主掺杂 PTC材料 性能

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BMN,BZN掺杂工业用BaTiO_3基陶瓷的介电损耗 被引量：2

6

作者 连芳 牛雅芳 +1 位作者 徐利华 李文超 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期460-463,共4页

采用固相反应合成了Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＢＭＮ），Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＢＺＮ）复合钙钛矿型粉末，并用它来改善工业ＢａＴｉＯ３瓷的介电损耗特性，实验结果表明１３００－１４００℃烧结后，可获得至... 采用固相反应合成了Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＢＭＮ），Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＢＺＮ）复合钙钛矿型粉末，并用它来改善工业ＢａＴｉＯ３瓷的介电损耗特性，实验结果表明１３００－１４００℃烧结后，可获得至密度为９０％左右的瓷体。同时经频谱阻抗分析实验，表明这类材料随频率从１ＫＨｚ增加到１０００ｋＨｚ介电损耗显著降低，品质因数大幅度改善。 展开更多

关键词 介电损耗 功能陶瓷 钛酸钡陶瓷

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施主掺杂BaTiO_3陶瓷的正电子湮没研究 被引量：2

7

作者 张绪礼 周国良 +1 位作者 谭德生 邓传益 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期67-71,共5页

在常温下测量了不同施主食量的 BaTiO_3陶瓷的正电子寿命谱。按照正电子理论对实验结果进行了分析讨论。结果表明,自由钡空位的正电子寿命强度随施主含量的增加而经历一极大值。因而,当施主含量小于某一值时,自由钡空位浓度随施主掺杂... 在常温下测量了不同施主食量的 BaTiO_3陶瓷的正电子寿命谱。按照正电子理论对实验结果进行了分析讨论。结果表明,自由钡空位的正电子寿命强度随施主含量的增加而经历一极大值。因而,当施主含量小于某一值时,自由钡空位浓度随施主掺杂量的增加而增加;超过最大值后,自由钡空位浓度随施主含量增加而减少,并逐步趋于平缓。这一事实强烈地支持了复合缺陷模型。 展开更多

关键词 batio3陶瓷 钛酸钡陶瓷 正电子湮没

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钛酸钡陶瓷补偿缺陷分析 被引量：2

8

作者 赵双群 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第3期19-20,共2页

:研究了施主杂质 Nb的含量 ,x (Nb)在 1.0 %～ 7.0 %范围变化时对 Ba Ti O3半导陶瓷的晶粒尺寸、铁电相变和电特性的影响 ,x (Nb)在 4.0 %左右时观察到了掺杂效应的转变。阻抗行为揭示出高、低施主含量样品在晶粒边界和晶粒体内载流子... :研究了施主杂质 Nb的含量 ,x (Nb)在 1.0 %～ 7.0 %范围变化时对 Ba Ti O3半导陶瓷的晶粒尺寸、铁电相变和电特性的影响 ,x (Nb)在 4.0 %左右时观察到了掺杂效应的转变。阻抗行为揭示出高、低施主含量样品在晶粒边界和晶粒体内载流子导电的激发能不同 ,可由随施主含量增加 ,从纯钡空位到晶界处钡空位和晶粒内部钛空位相结合的补偿缺陷模式的转变来解释。 展开更多

关键词 钛酸钡陶瓷 铁电相变 补偿缺陷 施主

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烧结升温速率对钛酸钡陶瓷压电性能的影响 被引量：2

9

作者 朱强 周恒为 +1 位作者 张超 尹红梅 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第7期1333-1337,共5页

采用固相反应方法在不同烧结升温速率下制备了BaTiO_3陶瓷,并对陶瓷样品的晶体结构、表面形貌、介电、压电和铁电性能进行了测试和分析。结果表明:当烧结升温速率为3℃/min和5℃/min时陶瓷均为四方钙钛矿晶格结构,随升温速率的增大,四... 采用固相反应方法在不同烧结升温速率下制备了BaTiO_3陶瓷,并对陶瓷样品的晶体结构、表面形貌、介电、压电和铁电性能进行了测试和分析。结果表明:当烧结升温速率为3℃/min和5℃/min时陶瓷均为四方钙钛矿晶格结构,随升温速率的增大,四方相程度增强,材料平均晶粒尺寸减小,压电系数和铁电性能随之降低,但介电常数随之增大,当烧结升温速率为5℃/min介电常数最大,其值为3144。当烧结升温速率为1℃/min时陶瓷为正交钙钛矿晶格结构d_(33)和P_r最大,其值为P_r=10μC/cm^2和d_(33)=193 pC/N。 展开更多

关键词 钛酸钡陶瓷 固相反应法 升温速率 压电性能

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BaTiO_3基PTC材料的制备与应用 被引量：1

10

作者 郑中山 李跃 《山东建材学院学报》 1995年第1期57-61,共5页

详细论述了ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ材料的制备过程，以及制备过程中所应注意的问题。介绍了该材料在某些方面的具体应用。

关键词 钛酸钡 陶瓷材料 PTC效应 制备 半导体

原文传递

施主掺杂BaTiO_3陶瓷的正电子湮没和顺磁共振研究

11

作者 冯其璜 古兆毅 唐超群 《武汉工业大学学报》 CSCD 1991年第3期1-6,共6页

本文用正电子湮没和电子顺磁共振相结合的方法对施主掺杂BaTiO_3陶瓷的缺陷进行了研究。正电子湮没寿命测量说明与Ba/Ti=1的样品相比Ba过量或Ti过量都会引起材料中的空位增加。顺磁共振图谱表明,g=1.997峰的强度在铁电相变为顺电相后,... 本文用正电子湮没和电子顺磁共振相结合的方法对施主掺杂BaTiO_3陶瓷的缺陷进行了研究。正电子湮没寿命测量说明与Ba/Ti=1的样品相比Ba过量或Ti过量都会引起材料中的空位增加。顺磁共振图谱表明,g=1.997峰的强度在铁电相变为顺电相后,强度有很大的增长(约20倍)。该峰强度随Ba/Ti的变化与正电子捕获率随Ba/Ti的变化相同。因此该峰是由阳离子空位(V_(Ba)和V_(Ti))引起的。它实质上是由O^-产生的,随施主掺量的增加g=1.997峰急剧增强,这很可能是由于施主增加引起V_(Ti)大量生成的缘故。 展开更多

关键词 batio3 陶瓷 施主掺杂 正电子湮没

原文传递

PTC陶瓷恒温器

12

作者 陈湘渝 刘光聪 曾德平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第1期19-21,共3页

给出了ＨＺ９１型恒温器的设计和制作方法。该恒温器的主要性能是，稳定工作温度为８０±５℃，交流或直流工作电压为２４±４Ｖ，常温下功率消耗为０．９Ｗ左右，调整系数不小于１０（环境温度－５５℃～＋６０℃）。此外，还... 给出了ＨＺ９１型恒温器的设计和制作方法。该恒温器的主要性能是，稳定工作温度为８０±５℃，交流或直流工作电压为２４±４Ｖ，常温下功率消耗为０．９Ｗ左右，调整系数不小于１０（环境温度－５５℃～＋６０℃）。此外，还给出了恒温器用ＰＴＣ热敏电阻的制备工艺． 展开更多

关键词 PTC热敏电阻 恒温器 陶瓷

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钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响

13

作者 赵双群 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期20-20,23,共2页

利用电容-电压关系研究了施主Nb掺杂BaTiO_3陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响,得出了样品在不同冷却速率下的晶界势垒高度和载流子浓度,其值与施主掺杂含量和样品的冷却速率相关,此结果可由在高、低施主掺杂含量下,晶粒边界处和晶粒体离子... 利用电容-电压关系研究了施主Nb掺杂BaTiO_3陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响,得出了样品在不同冷却速率下的晶界势垒高度和载流子浓度,其值与施主掺杂含量和样品的冷却速率相关,此结果可由在高、低施主掺杂含量下,晶粒边界处和晶粒体离子缺位的区别来解释。 展开更多

关键词 钛酸钡陶瓷 离子缺位 势垒

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超细BaTiO_3和掺钇半导BaTiO_3陶瓷的溶胶－凝胶法制备及其表征 被引量：14

14

作者 吴淑荣 李华平 +2 位作者 畅柱国 梁文忠 熊为淼 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第5期427-430,共4页

采用溶胶－凝胶法制备了平均粒径小于３０ｎｍ的超细ＢａＴｉＯ＿３和未见文献报道的掺钇超细ＢａＴｉＯ＿３．并用Ｘ－ｒａｙ粉末衍射分析和化学分析对它们进行了表征；用ＴＧ－ＤＴＧ－ＤＴＡ和ＩＲ对＂ＢａＴｉＯ＿３＂干凝胶的热分... 采用溶胶－凝胶法制备了平均粒径小于３０ｎｍ的超细ＢａＴｉＯ＿３和未见文献报道的掺钇超细ＢａＴｉＯ＿３．并用Ｘ－ｒａｙ粉末衍射分析和化学分析对它们进行了表征；用ＴＧ－ＤＴＧ－ＤＴＡ和ＩＲ对＂ＢａＴｉＯ＿３＂干凝胶的热分解历程进行了研究；用一般陶瓷工艺制得了掺钇半导铁酸钡陶瓷并对其室温电阻率与钇含量以及烧结温度的关系进行了讨论。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 半导体 陶瓷材料 掺钇

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PTCR钛酸钡陶瓷的溶胶-凝胶法制备 被引量：10

15

作者 吴淑荣 李东升 +1 位作者 畅柱国 熊为淼 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期609-612,共4页

通过溶胶-凝胶法制得了PTCR纳米晶粉体，经XRD分析测得粉晶晶体结构和晶粒尺寸。参考PTCR素坯的有关热分析数据对传统陶瓷烧结工艺进行了改进，获得了具有室温电阻率～20Ω·cm，电阻温度系数～15％·℃-1和耐电压强度～110V
... 通过溶胶-凝胶法制得了PTCR纳米晶粉体，经XRD分析测得粉晶晶体结构和晶粒尺寸。参考PTCR素坯的有关热分析数据对传统陶瓷烧结工艺进行了改进，获得了具有室温电阻率～20Ω·cm，电阻温度系数～15％·℃-1和耐电压强度～110V·mm-1的PTCR钛酸钡陶瓷材料。 展开更多

关键词 纳米晶粉体 溶胶-凝胶法 钛酸钡陶瓷

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BaTiO_3半导体陶瓷的分析电镜研究 被引量：5

16

作者 宋祥云 温树林 姚尧 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期59-63,共5页

利用透射电镜(TEM)和微区分析方法对BaTiO_3半导体陶瓷的晶粒和晶界进行了研究。研究发现,某些晶粒中存在一种极为特殊的不均匀性——即晶粒具有“壳-芯”结构特征。选区电子衍射(SAD)和X射线能量色散谱(EDAX)分析证实,壳-芯结构是由晶... 利用透射电镜(TEM)和微区分析方法对BaTiO_3半导体陶瓷的晶粒和晶界进行了研究。研究发现,某些晶粒中存在一种极为特殊的不均匀性——即晶粒具有“壳-芯”结构特征。选区电子衍射(SAD)和X射线能量色散谱(EDAX)分析证实,壳-芯结构是由晶粒中含杂质Si的分布不均匀引起。研究表明,壳和芯同属BaTiO_3结构,它们的结晶学取向相同。同时还发现,在晶界处有富Si的结晶相存在。 展开更多

关键词 半导体 batio3陶瓷 电镜 PTC

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BaTiO_3陶瓷的击穿与电容器的耐压

17

作者 白花珍 胡明 曲远方 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1999年第6期777-780,共4页

介绍了ＢａＴｉＯ３ 陶瓷介质的极化机理，说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的．并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺，特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因．此外还阐述了添加剂、粘合剂及其用量以及瓷... 介绍了ＢａＴｉＯ３ 陶瓷介质的极化机理，说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的．并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺，特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因．此外还阐述了添加剂、粘合剂及其用量以及瓷料中针孔的产生、加工缺陷等对耐压的影响． 展开更多

关键词 击穿 居里温度 钛酸钡陶瓷 电容器 耐压

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PTC BaTiO_3瓷的电子探针研究

18

作者 黎兴发 《分析测试学报》 CAS CSCD 1993年第2期37-41,共5页

利用电子探针对PTC BaTiO_3陶瓷的晶粒和晶界进行了分析研究。发现某些晶界存在着Sb、Cr、Ca和Al、Si的高度富集。这些特殊的不均匀性对陶瓷的性能有较大影响。

关键词 陶瓷 晶粒间界 PTC 钛酸钡

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海水-富盐空气对BaTiO_(3)及Ni-BaTiO_(3) MLCC介电性能的影响

19

作者 梁博 张云飞 +4 位作者 张梦雅 万淇通 黄祺薇 邴丽娜 沈振江 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期1179-1186,共8页

将BaTiO_(3)陶瓷和82 nF的Ni-BaTiO_(3)MLCC放置在海水及富盐空气两种恶劣环境下,利用阻抗分析仪、SEM及EDS探究处理0、24、48、72 h后性能的变化规律及腐蚀机理。结果表明,放置在海水中,BaTiO_(3)陶瓷在不同时间低频(10^(2)~10^(3)Hz)... 将BaTiO_(3)陶瓷和82 nF的Ni-BaTiO_(3)MLCC放置在海水及富盐空气两种恶劣环境下,利用阻抗分析仪、SEM及EDS探究处理0、24、48、72 h后性能的变化规律及腐蚀机理。结果表明,放置在海水中,BaTiO_(3)陶瓷在不同时间低频(10^(2)~10^(3)Hz)相对介电常数与介电损耗增加,且增加幅度巨大,在24 h陶瓷表面产生明显的保护膜,而在富盐空气下的陶瓷,72 h内介电性能变化范围小,表面没有明显的保护膜产生,但具有一定的腐蚀痕迹。82 nF的MLCC放置在海水及富盐空气72 h内高频(10^(5)~10^(6)Hz)电容值及介电损耗变化明显,这由盐分浸入内部结晶所导致,但其表面同样没有保护膜产生,这可能与电容器表面的氧化物涂层有关。 展开更多

关键词 batio_(3)陶瓷 Ni-batio_(3)MLCC 腐蚀机理 介电性能

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第一性原理计算Sn掺杂钛酸钡陶瓷的压电性能

20

作者 王婉茹 李彩霞 +3 位作者 马晓轩 李成龙 计楠 李天奇 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 北大核心 2024年第3期134-140,共7页

为了探究Sn掺杂钛酸钡无铅压电陶瓷的微观结构和宏观电学性能的调控机理。采用第一性原理的密度泛函理论方法计算了锡钛酸钡陶瓷(BaTi_(1-x)Sn_(x)O_(3),简写为BTSx,x=0,0.125,0.20,0.25,0.33和0.50)的能带结构、态密度和压电性能,研究... 为了探究Sn掺杂钛酸钡无铅压电陶瓷的微观结构和宏观电学性能的调控机理。采用第一性原理的密度泛函理论方法计算了锡钛酸钡陶瓷(BaTi_(1-x)Sn_(x)O_(3),简写为BTSx,x=0,0.125,0.20,0.25,0.33和0.50)的能带结构、态密度和压电性能,研究了其压电性调控机理。研究发现:钛酸钡陶瓷的带隙宽度为1.780 eV,在所研究的组分范围内,随着Sn掺杂量的增加,BTSx陶瓷样品的带隙宽度单调减小。其态密度图谱表明原子之间的轨道杂化使压电性更稳定,钛酸钡陶瓷中B位Sn掺杂使其室温压电性能增强。 展开更多

关键词 第一性原理 batio_(3)陶瓷 电子结构 压电性

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