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MgO缓冲层上钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19))薄膜的制备与性能研究 被引量：1
1
作者 丁关凤 朱俊 +2 位作者 王水力 张菲 罗文博 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1130-1133,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲... 采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲层的厚度50nm和沉积温度为750℃的条件下,制得的BaM薄膜c轴取向最好,其(0008)面的ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.289°。扫描电子显微镜(SEM)结果显示此时薄膜的晶粒已有部分呈六角片状。振动样品磁强计(VSM)测试表明,在750℃时沉积的BaM薄膜面外饱和磁化强度为190A/m,剩磁比0.82,薄膜磁性能良好。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(PLD) bam薄膜 MgO缓冲层 面外磁性能
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溅射功率对M型钡铁氧体薄膜磁性能的影响 被引量：1
2
作者 朱光伟 余忠 +3 位作者 孙科 许志勇 张霞 兰中文 《磁性材料及器件》 北大核心 2013年第3期4-7,共4页
采用射频磁控溅射法制备了c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体(BaM)薄膜,研究了溅射功率对BaM薄膜取向及磁性能的影响。结果表明,在溅射功率为80W、110W、140W和170W时所制备的BaM薄膜均具有一定程度的c轴垂直膜面取向,但溅射功率的增高会造... 采用射频磁控溅射法制备了c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体(BaM)薄膜,研究了溅射功率对BaM薄膜取向及磁性能的影响。结果表明,在溅射功率为80W、110W、140W和170W时所制备的BaM薄膜均具有一定程度的c轴垂直膜面取向,但溅射功率的增高会造成薄膜内晶粒取向混乱,导致薄膜磁晶各向异性降低;当溅射功率为140W时,薄膜具有最高饱和磁化强度(Ms)303kA/m和最小面外方向矫顽力(Hc⊥)191kA/m;适当低的溅射功率更有利于制得磁晶各向异性强的薄膜。 展开更多
关键词 bam薄膜 射频磁控溅射 溅射功率 C轴取向 磁性能
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柠檬酸对Sol-Gel法制备BaFe_(12)O_(19)薄膜性能的影响
3
作者 李慧 苏晓东 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2009年第3期58-62,共5页
用硝酸铁和硝酸钡作起始原料,柠檬酸作螯合剂,采用溶胶凝胶工艺(Sol-Gel)在S i(100)基片上制备出具有c轴取向的BaFe12O19铁氧体(BaM)薄膜.采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)对薄膜样品的成相、表面形貌及磁... 用硝酸铁和硝酸钡作起始原料,柠檬酸作螯合剂,采用溶胶凝胶工艺(Sol-Gel)在S i(100)基片上制备出具有c轴取向的BaFe12O19铁氧体(BaM)薄膜.采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)对薄膜样品的成相、表面形貌及磁性进行了分析,研究了配胶过程中所加入柠檬酸的量对薄膜磁学性能的影响,发现适量的柠檬酸的加入对BaM相的形成、晶粒的形状以及薄膜取向至关重要. 展开更多
关键词 bam薄膜 柠檬酸 C轴取向 磁性
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