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基于M型六角铁氧体Ba(ZnHf)_(0.08)Fe_(11.92)O_(19)的自偏置微带环行器设计
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作者 刘谦 陈义林 李毓林 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第5期604-610,617,共8页
电子信息技术的发展对环行器提出了低损耗、高隔离度及小型化的要求,采用具有高剩磁比(Mr/Ms)和强各向异性场(Ha)的BaM自偏置铁氧体材料有利于提高环行器性能和减小器件尺寸。在阐述高度取向M型六角铁氧体Ba(ZnHf)_(0.08)Fe_(11.92)O_(... 电子信息技术的发展对环行器提出了低损耗、高隔离度及小型化的要求,采用具有高剩磁比(Mr/Ms)和强各向异性场(Ha)的BaM自偏置铁氧体材料有利于提高环行器性能和减小器件尺寸。在阐述高度取向M型六角铁氧体Ba(ZnHf)_(0.08)Fe_(11.92)O_(19)制备工艺的基础上,表征了材料的相结构、微观形貌和磁性能。根据环行器设计理论,基于0.25 mm厚度的BaM铁氧体材料仿真设计了工作于Ku波段的双Y结和开槽多Y结环行器。仿真结果表明,两种环行器均在12.44 GHz处显示出良好的环行功能,电压驻波比均小于1.22。在中心频率附近,双Y结环行器插入损耗为0.61 dB,相应的隔离度为26 dB,20 dB带宽为1.3 GHz;开槽多Y结环行器插入损耗为0.505 dB,相应的隔离度为36 dB,20 dB带宽为1.03 GHz。相比于双Y结环行器,开槽多Y结环行器在保证器件性能的前提下,能够有效改善插入损耗和隔离度等性能,并有利于减小环行器尺寸。 展开更多
关键词 高剩磁比 环行器 隔离度 bam铁氧体
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