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题名铪掺杂对锆钛酸钡钙陶瓷电学性能的调控
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作者
唐志兰
周弘毅
王世超
龚跃球
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机构
湘潭大学材料科学与工程学院
湘潭大学物理与光电工程学院
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出处
《化学通报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第3期344-348,354,共6页
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基金
国家自然科学基金项目(12172318)资助。
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文摘
用固相反应法制备了B位Hf掺杂的Ba_(0.95)Ca_(0.05)Zr_(0.05)Ti_(0.95-x)Hf_(x)(BCZ0.05T((0.95-x))-xH)(x=0、0.02、0.04、0.06和0.08)陶瓷。研究B位同时含有Hf、Zr、Ti三种元素时,铪掺杂对锆钛酸钡钙陶瓷相结构、微观形貌和电学性能的调控。XRD测试结果表明,Hf4+融入晶格,造成晶格膨胀,但形成单一钙钛矿结构。BCZ0.05T((0.95-x))-xH(x=0、0.02)陶瓷中存在明显的四方相与正交相共存的多晶型相转变(PPT),但正交相逐渐转变为主晶相;BCZ0.05T0.91-0.04H陶瓷中,四方相进一步减少,三方相却逐渐增加;当x继续增大到0.06及其以上时,该体系只存在正交相和三方相结构。SEM测试发现,随着Hf的掺杂量增加,晶粒尺寸逐渐减小。剩余极化值随Hf掺杂量的增加先增大再减小,在x为0.02时取得最大值(Pr=6.38μC/cm^(2)),Hf掺杂显著降低矫顽场(Ec)。压电测试结果表明,BCZ0.05T0.91-0.04H陶瓷具有最大压电系数(d33=259 pC/N)。
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关键词
锆钛酸钡钙
多晶型相转变
Hf掺杂
无铅压电陶瓷
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Keywords
bacatizro3
Polymorphic phase transitions(PPT)
Hf doped
Lead free piezoelectric ceramics
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分类号
TQ174.1
[化学工程—陶瓷工业]
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